Цитата(orion_64 @ Feb 9 2012, 00:56)
есть такая потребность - дайте контакт куда обращаться
Полагаю, из-за малого количества сообщений личка у Вас не работает. Напишите мне на мейл sanyao@bk.ru примерно чего Вам необходимо и свои контакты. Тогда подробнее обсудим, наверное даже при личной встрече.
Цитата(ys05 @ Feb 9 2012, 19:47)
Еще интересно, результаты в физических величинах или в у.е. 7К9-7К12 ?
Все результаты, что в физических, что в у.е., являются собственностью заказчика, поэтому здесь их приводить было бы с моей стороны, по меньшей мере, некорректно.
Скажу так:
для обычных ацп-цап пороговые ЛПЭ по отказам/тиристорным эффектам ориентировочно в диапазоне 5...30 МэВ/(мг/см2) [Si]
для Flash по тиристорному эффекту пороговые ЛПЭ высокие, обычно более 60, однако даже на меньших ЛПЭ есть неприятности с эффектами "функционального прерывания" (SEFI), встречаются катастрофические отказы.
Для ОЗУ - очень разнообразное поведение, включая тиристорные эффекты (при лпэ от 20-30), сбои (SEU), множественные сбои.
По результатам испытаний, в зависимости от требований заказчика и вида испытаний (контрольные, определительные), обычно определяются пороговые ЛПЭ эффектов, сечения насыщения, вероятность или частота сбоев/отказов на заданной орбите при заданных параметрах защиты.
PS Часто приходят на испытания микросхемы которые уже стоят в готовой аппаратуре. По результатам испытаний они не проходят, вот тогда у разработчика и начинается головная боль - как защитить и как парировать все эти отказы. Все это выливается во всеобщее недовольство и бумажную волокиту, ведь схемы защиты тоже надо проверять
. Так что если интересует какая то конкретная микросхема, можем обсудить что в ней вообще может быть, и чего опасаться разработчику.