Сабж, может кто-нибуть на вскидку примерно сказать, насколько медленнее получается логика (ALU, умножители и проч) на "толстых" транзисторах (с подзатворным диэлектриком под 3.3/5В) по сравнению с "тонкими", на 1.8В?
Процесс - абстрактный 180nm LP.

Понятно что для точного ответа нужно прогонять схему в симуляторе с правильными моделями, но меня интересует грубая оценка +-лопата, моделей у меня нет и моделировать пока нечего :-)

Посмотрел в процессе 180lp. Для полусумматора задержки на 1.8 В примерно в 1.5 раза больше, чем на 3.3 В.

Ммм.... А зачем тогда 1.8В транзисторы используют? Тупо из-за потребления энергии?
Как-то контринтуитивно... Чем тоньше подзатворный диэлектрик - там быстрее должно быть, но с другой стороны - чем выше напряжение тем быстрее...

Или это результаты одного и того же сумматора с одними и теми же транзисторами, но с разным напряжением питания? Тогда это было бы понятно, но не то что нужно...

Используют, да. из-за меньшего потребления. Цифры по потреблению для 1.8В лучше в 3 раза.
Результаты для аналогичного сумматора с разными транзисторами (из .lib-ов).

Ясно, это все проясняет :-)
А если 3.3V сумматор в 1.8 включить? ;-)

Тогда уже сумматор на 1,8В транзистрах будет быстрее, чем на 3.3В транзисторах примерно раза в 1.7-1.9.

Ясно, спасибо за исчерпывающие ответы :-)