реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3 >  
Reply to this topicStart new topic
> Хоровиц, Хилл. Вопросы по тексту.
Tiro
сообщение Dec 8 2011, 17:36
Сообщение #16


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 781
Регистрация: 3-10-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 768



Цитата(GetSmart @ Dec 8 2011, 20:11) *
И? Кто победит, ХХ или Вики?
Делаем ставки, господа.

--------
В любом случае я объяснял логически механизмы эффекта из определения. Хотите, могу ещё проанализировать эффект от изменения Uбэ sm.gif


Победит PN-переход. Хоровиц-Хилл предлагают _инженерную_ оценку процесса, в Вики ее пытаются объяснить, уточняя _модель_ Эберса-Молла. А что будет происходить в реальном транзисторе, можно только измерить. А модели в симуляторах берутся на основе измерений реальных кристаллов, поэтому вряд ли могут служить доказательством различных теорий.

P.S. И вообще, вопрос о том, кто победит, наводит на мысль сравнить справочник Бронштейна-Семендяева и Корн и Корн, кто из них точнее. )))
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Dec 8 2011, 17:39
Сообщение #17


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(Буратино @ Dec 8 2011, 18:12) *
Позволю себе не согласиться. После многократного прочтения понял следующее:
В рассуждениях авторов фигурируют 5 сопротивлений: сопротивление источника (Rист), сопротивление повторителя со стороны эмиттера (Rвых), Сопротивление резистора с эмиттера в землю (Rэ), сопротивление (Rнагр) и собственное сопротивление эмиттера (rэ)
Рассматривается два случая: с фиксированным напряжением на базе и с источником сигнала имеющим конечное сопротивление (Rвых <> 0)

Ваше право. biggrin.gif
Нет, в данном случае нет различия между Rнагр и Rэ, это одно и то же.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SmarTrunk
сообщение Dec 8 2011, 17:46
Сообщение #18


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 406
Регистрация: 22-05-11
Из: Москва
Пользователь №: 65 195



К Хоровиц-Хилл не строгий учебник, в нем все на пальцах рассказывается. Ненужные на первом этапе (а иногда и на всех остальных) сведения опускаются, например строение P-N перехода, дырки-электроны, по минимуму графики разных ВАХ, без которых не обходится ни одна советская книжка для начинающих. Тот же Скворень, например.

Я Хоровица с удовольствием читал когда-то, в старших классах, 3-е издание в твердой обложке.

Сообщение отредактировал SmarTrunk - Dec 8 2011, 17:54
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Alexashka
сообщение Dec 9 2011, 06:40
Сообщение #19


Практикующий маг
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 634
Регистрация: 28-04-05
Из: Дубна, Моск.обл
Пользователь №: 4 576



Цитата(GetSmart @ Dec 8 2011, 21:30) *
Эффект-то есть, безусловно. Причём оба. Я имел ввиду какой из них Эрли. И как его правильнее объяснять. Потому как в Вики речь идёт исключительно о токах, то бишь изменении Iвых/Iвх. Что к Uбэ прямого отношения не имеет.

ЕМНП в интституте чтобы учесть этот эффект мы рисовали резистор параллельно коллекторному источнику тока. Благодаря ему при увеличении напряжения коллектора, ток коллектора тоже увеличивается. Для ОБ его вроде принимали порядка единиц Мом. Для ОЭ и ОК он меньше в betta раз. Эффект от изменения Uбэ существенно имхо только при изменении температуры.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Буратино
сообщение Dec 9 2011, 07:55
Сообщение #20


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 433
Регистрация: 27-10-08
Из: Украина, Киев
Пользователь №: 41 215



Смещение в усилителе с заземленным эмиттером.
Авторы указывают на траблы при смещении делителем и говорят о том, что температура будет вызывать изменение состояние транзистора, но не ясно какие именно параметры качнутся и куда именно?
Из текста:
Меняется напряжение Uбэ при фиксированном значении Iк. Что значит "фиксированное значение Iк", а также "фиксированном значении Uбэ " ?
Uбэ при повышении температуры увеличится или уменьшится на 2,1мВ/С ?

Все таки при повышении температуры ток коллектора растет или уменьшается? Запутался.
Спасибо!


Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 


--------------------
Брак - это такой вид отношений, в которых один всегда прав, - а другой - муж.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Alexashka
сообщение Dec 9 2011, 08:21
Сообщение #21


Практикующий маг
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 634
Регистрация: 28-04-05
Из: Дубна, Моск.обл
Пользователь №: 4 576



Цитата(Буратино @ Dec 9 2011, 11:55) *
Смещение в усилителе с заземленным эмиттером.
Все таки при повышении температуры ток коллектора растет или уменьшается? Запутался.
Спасибо!

Не думал, что Хоровиц и Хилл настолько сложная книга laughing.gif

А Вы ее с начала читаете или с конца?

PS. Uбэ падает с температурой

Go to the top of the page
 
+Quote Post
Буратино
сообщение Dec 9 2011, 08:44
Сообщение #22


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 433
Регистрация: 27-10-08
Из: Украина, Киев
Пользователь №: 41 215



Цитата(Alexashka @ Dec 9 2011, 12:21) *
PS. Uбэ падает с температурой


С ростом температуры в смысле? А че ток коллектора тогда растет?
И таки не ясно что имеется в виду когда авторы говорят "при фиксированном токе коллектора" "при фиксированном значении Uбэ" ?

Это в смысле если я на базу подам напряжение смещения с очень низкоомного источника, то при повышении температуры напряжение Uбэ останется на месте но увеличится ток коллектора, а если я в качестве нагрузки для усилителя с заземленным эмиттером использую источник тока, то при повышении температуры будет уменьшаться Uбэ?
Ну хокей, а если я зафиксирую Uбэ (низкоомным источником) и поставлю источник тока в кач. нагрузки для усилителя с заземленным эмиттером, что тогда будет происходить с транзистором?
Я лично ниче не понимаюsm.gif


--------------------
Брак - это такой вид отношений, в которых один всегда прав, - а другой - муж.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
GetSmart
сообщение Dec 9 2011, 09:57
Сообщение #23


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753



Цитата(Буратино @ Dec 9 2011, 13:44) *
С ростом температуры в смысле? А че ток коллектора тогда растет?

С ростом температуры Uбэ (как и падение на любом кремниевом диоде) уменьшается, при заданном токе базы/диода. Далее, если на базу подать фиксированное напряжение, то при росте температуры (глядя на ВАХ диода) Uбэ при константном токе должно упасть, но оно фиксировано, а значит вместо этого возрастёт ток базы и Uбэ останется при своём. Увеличенный ток базы вызовет увеличение тока коллектора, т.к. они связаны бетой в упрощённом случае (плюс другие слабые эффекты).

Сообщение отредактировал GetSmart - Dec 9 2011, 11:28


--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Буратино
сообщение Dec 9 2011, 10:56
Сообщение #24


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 433
Регистрация: 27-10-08
Из: Украина, Киев
Пользователь №: 41 215



Получается, что с ростом температуры, каскад с ОЭ и заземленным эмиттером "разгоняет" Iк (хрен его знает чего, нужно саму физику прибора четко понимать), что приводит к уменьшению собственного сопротивления эмиттера (25/Iк(мА)), что в свою очередь меняет (уменьшает) входное сопротивление со стороны базы, что приводит к увеличению базового тока и наверное как следствие к еще большому увеличению тока коллектора.
Если потенциал базы не фиксирован, а например задан при помощи делителя, то это даже несколько ослабляет действие температуры на транзистор так как уменьшающееся сопротивление rэ фигурирует в нижним плече делителя.
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
Прикрепленное изображение
 


--------------------
Брак - это такой вид отношений, в которых один всегда прав, - а другой - муж.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
GetSmart
сообщение Dec 9 2011, 11:06
Сообщение #25


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753



Цитата(Буратино @ Dec 9 2011, 15:56) *
Получается, что с ростом температуры, каскад с ОЭ и заземленным эмиттером "разгоняет" Iк (хрен его знает чего, нужно саму физику прибора четко понимать), что приводит к уменьшению собственного сопротивления эмиттера (25/Iк(мА)), что в свою очередь меняет (уменьшает) входное сопротивление со стороны базы, что приводит к увеличению базового тока и наверное как следствие к еще большому увеличению тока коллектора.

То есть уменьшение сопротивления базы при увеличении её тока по ВАХ диода Вы не заметили, а типа логически обосновали это же самое по формуле сопротивления эмиттера из тока коллектора (25/Iк(мА)).
Раз пошла такая пьянка, то у базы есть два сопротивления. Статическое и динамическое. Динамическое - это для малого сигнала (по переменке), причём не связанное с эффектом Миллера. А о каком Вы вообще толкуете?

Цитата(Буратино @ Dec 9 2011, 15:56) *
Если потенциал базы не фиксирован, а например задан при помощи делителя, то это даже несколько ослабляет действие температуры на транзистор так как уменьшающееся сопротивление rэ фигурирует в нижним плече делителя.

Даже в ХХ написано, что делитель улучшает температурную стабильность каскада, без всяких даже.

Сообщение отредактировал GetSmart - Dec 9 2011, 11:31


--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Буратино
сообщение Dec 9 2011, 11:27
Сообщение #26


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 433
Регистрация: 27-10-08
Из: Украина, Киев
Пользователь №: 41 215



Ну, мы ведь не диод рассматриваем, а транзистор!
В ХХ как раз написано о делителе как о неправильном подходе и как о решении которое простотой и очевидностью вызывает соблазн проигнорировать проблемы с температурой, хотя на самом деле все не совсем так получается.
Ну да и ладно, самое главное впереди! sm.gif


--------------------
Брак - это такой вид отношений, в которых один всегда прав, - а другой - муж.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SmarTrunk
сообщение Dec 9 2011, 11:59
Сообщение #27


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 406
Регистрация: 22-05-11
Из: Москва
Пользователь №: 65 195



Делитель, для создания напряжения базы, очень хорош для задания рабочей точки усилителя ОЭ, при условии установки резистора в цепь эмиттера (шунтированного конденсатором по переменному току). Раздел 2.13 "Смещение усилителя в общем эмиттере".

Внутреннее сопротивление эмиттере 25/Ik (мА) - это сопротивление по переменному току, а к рассчету по постоянному току не имеет отношения.

Очень поможет, перед чтением про транзистор, прочитать раздел про диоды, а перед этим про резисторы, в т.ч. про делитель напряжения (без обид, если разделы прочитаны и поняты - то хорошо).

Бывает, сложно читать Хоровица из-за плохого перевода. Тогда надо взять старое (3-е) издание или читать в оригинале (лучше всего). Еще можно Титце Шенка взять... это тоже классика

Сообщение отредактировал SmarTrunk - Dec 9 2011, 12:02
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Буратино
сообщение Dec 9 2011, 13:23
Сообщение #28


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 433
Регистрация: 27-10-08
Из: Украина, Киев
Пользователь №: 41 215



Цитата(SmarTrunk @ Dec 9 2011, 15:59) *
Делитель, для создания напряжения базы, очень хорош для задания рабочей точки усилителя ОЭ, при условии установки резистора в цепь эмиттера (шунтированного конденсатором по переменному току). Раздел 2.13 "Смещение усилителя в общем эмиттере".

Внутреннее сопротивление эмиттере 25/Ik (мА) - это сопротивление по переменному току, а к рассчету по постоянному току не имеет отношения.

Очень поможет, перед чтением про транзистор, прочитать раздел про диоды, а перед этим про резисторы, в т.ч. про делитель напряжения (без обид, если разделы прочитаны и поняты - то хорошо).

Бывает, сложно читать Хоровица из-за плохого перевода. Тогда надо взять старое (3-е) издание или читать в оригинале (лучше всего). Еще можно Титце Шенка взять... это тоже классика


"rэ", для больших сигналов и соответственно больших токов Iк, слишком мал! В связи с чем учитывают этот параметр только для малых сигналов, ну вот так пишут в ХХ. Если ток коллектора 1mA, то и при расчетах по постоянному току нужно считать "rэ": как -никак 25 Ом


--------------------
Брак - это такой вид отношений, в которых один всегда прав, - а другой - муж.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Dec 9 2011, 13:53
Сообщение #29


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(SmarTrunk @ Dec 9 2011, 13:59) *
Внутреннее сопротивление эмиттере 25/Ik (мА) - это сопротивление по переменному току, а к рассчету по постоянному току не имеет отношения.

С чего Вы взяли?
Вернитесь на пару параграфов назад. Там сказано буквально, что этот параметр относится к параметрам малого сигнала. Но причём здесь переменный ток?
Перевод, всё-таки, не настолько плох, чтобы спутать эти понятия...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
GetSmart
сообщение Dec 9 2011, 14:14
Сообщение #30


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 4 005
Регистрация: 3-05-06
Из: Россия
Пользователь №: 16 753



Цитата(Herz @ Dec 9 2011, 18:53) *
Вернитесь на пару параграфов назад. Там сказано буквально, что этот параметр относится к параметрам малого сигнала. Но причём здесь переменный ток?

В данном случае малий сигнал - синоним переменного тока. Сопротивление (динамическое) при этом определяется (или равно) deltaU/deltaI относительно рабочей точки усилка по постоянке.

Цитата(Буратино @ Dec 9 2011, 18:23) *
"rэ", для больших сигналов и соответственно больших токов Iк, слишком мал!

Ок.

Цитата(Буратино @ Dec 9 2011, 18:23) *
В связи с чем учитывают этот параметр только для малых сигналов, ну вот так пишут в ХХ. Если ток коллектора 1mA, то и при расчетах по постоянному току нужно считать "rэ": как -никак 25 Ом

А вот это (конец) вообще непонятно.


--------------------
Заблуждаться - Ваше законное право :-)
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 28th July 2025 - 06:02
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01548 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016