Выбирая номиналы резисторов R1,R2 (рис.2.16) авторы пишут: "допустим что импеданс со стороны выхода делителя мал по сравнению с импедансом со стороны базы повторителя" тогда мол параллельное соединение резисторов R1,R2 должно быть меньше раз эдек в 10 чем входное сопротивление повторителя, которое равно h21эRэ

Почему употребляется слово "допустим" и почему именно параллельное соединение R1,R2? А если делитель не с одинаковыми номиналами в плечах?

Они итак не одинаковые. Просто +U и Gnd cчитаются замкнутыми (в смысле с нулевым сопротивлением источника) Поэтому импеданс делителя в точке соединения резисторов равен R1||R2.
Хотя в том примере они одинаковые потому, что это эмиттерный повторитель (ака репидер ) чтобы иметь точку по постоянке равную половине питания.

Ну а слово "допустим" было использовано для упрощения объяснения выбора рабочей точки. Если учитывать в делителе и h21эRэ, то делать делитель с на порядок меньшим сопротивлением не обязательно.

Спасибо! Ясно.
А вот почему нужно стремиться к тому чтобы сопротивление выхода делителя было на порядок меньше? Это связано с тем, что если значения сопротивлений выхода делителя и входа повторителя например будут одинаковы, то изменения h21э могу привести к "качанию" потенциала базы? То есть, если например меняется напряжения питания повторителя (а в следствие эф. Эрли и h21эRэ), то синхронно с этим плывет напряжение на базе и соответственно на выходе повторителя?
Значит пар. соед. резисторов делителя должно быть в разы меньше h21эRэ для того чтоб устранить влияние на схему эффекта Эрли и температуры?

Там много разных эффектов происходит. Например температурные. В плане принципов выбора делителя.

А если проанализировать Эрли, то допустим увеличилось напряжение на коллекторе. Это вызвало пропорциональное увеличение потенциала базы из-за делителя. Однако и небольшое уменьшение h21э. Таким образом h21эRэ вкупе с делителем перед базой вызовет уменьшение влияния скачка напряжения. То есть в данном случае эффект Эрли будет играть только положительную роль в стабилизации рабочей точки. Но это не могу 100% утверждать, что везде при любых условиях.

Чтобы переменчивое и нестабильное сопротивление со стороны базы не влияло (в известной степени) на рабочую точку каскада.

ясно, спасибо!

Скажите ,а почему при фиксированном напряжении на базе повторителя, авторы считают rэ и Rэ параллельно соединенными, а при конечном сопротивлении источника - последовательно?
Почему на рисунках "а" и "б" при этом указаны параллельные соединения: собственного сопротивления повторителя (rэ) и сопротивления Rэ?
Спасибо!

Очень просто. На обоих схемах rэ и Rэ включены параллельно, в этом нет сомнений. Вот и на второй странице об этом сказано в скобках. Дело в том, что при расчёте выходного сопротивления (со стороны эмиттера) так или иначе необходимо учитывать сопротивление источника (уменьшенное в этих случаях в h21э+1 раз). Оно включается последовательно с rэ, опять же, в обоих случаях. Просто в первой схеме, поскольку потенциал базы фиксирован, сопротивление источника принимается нулевым и у rэ нет дополнительного слагаемого.

Вот тут я возможно соврал. Увеличение коллекторного потенциала скорее вызывает увеличение h21э и эффект от Эрли будет таки негативным (вредным) для стабильности рабочей точки.

Позволю себе не согласиться. После многократного прочтения понял следующее:
В рассуждениях авторов фигурируют 5 сопротивлений: сопротивление источника (Rист), сопротивление повторителя со стороны эмиттера (Rвых), Сопротивление резистора с эмиттера в землю (Rэ), сопротивление (Rнагр) и собственное сопротивление эмиттера (rэ)
Рассматривается два случая: с фиксированным напряжением на базе и с источником сигнала имеющим конечное сопротивление (Rвых <> 0)

В первом случае "rэ" последовательно соединяется с параллельно соединенными Rнагр и Rэ (если Rэ есть в схеме, а не Rнагр выполняет функцию Rэ)
При этом Rвых = rэ (ибо Rист/(h21э-1) = 0)
А во втором случае Rвых =Rист/(h21э-1) + rэ и вот это все последовательно соединяется с параллельно соединенными Rнагр и Rэ (если Rэ есть в схеме, а не Rнагр выполняет функцию Rэ)


Просто не очень четко мысль сформулирована наверное ,либо перевод не айс.



Увеличение напряжения Uкэ сказывается на напряжении Uбэ, зависимость в книге такая:
дельта Uбэ = - а*дельта Uкэ, где
а = 0,0001

Судя по этому http://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D1%84%...%80%D0%BB%D0%B8
там меняется h21э. Uбэ это другой эффект. То бишь паралельный, но не этот.

ну вот из книги ХХ

И? Кто победит, ХХ или Вики?
Делаем ставки, господа.

--------
В любом случае я объяснял логически механизмы эффекта из определения. Хотите, могу ещё проанализировать эффект от изменения Uбэ

Попробовал помучить мультисим: уменьшая Uкэ с 28,39В на 3,41В получил прирост напряжения на базе равный 7,2мВ

Эффект-то есть, безусловно. Причём оба. Я имел ввиду какой из них Эрли. И как его правильнее объяснять. Потому как в Вики речь идёт исключительно о токах, то бишь изменении Iвых/Iвх. Что к Uбэ прямого отношения не имеет.

Победит PN-переход. Хоровиц-Хилл предлагают _инженерную_ оценку процесса, в Вики ее пытаются объяснить, уточняя _модель_ Эберса-Молла. А что будет происходить в реальном транзисторе, можно только измерить. А модели в симуляторах берутся на основе измерений реальных кристаллов, поэтому вряд ли могут служить доказательством различных теорий.

P.S. И вообще, вопрос о том, кто победит, наводит на мысль сравнить справочник Бронштейна-Семендяева и Корн и Корн, кто из них точнее. )))

Ваше право.
Нет, в данном случае нет различия между Rнагр и Rэ, это одно и то же.

К Хоровиц-Хилл не строгий учебник, в нем все на пальцах рассказывается. Ненужные на первом этапе (а иногда и на всех остальных) сведения опускаются, например строение P-N перехода, дырки-электроны, по минимуму графики разных ВАХ, без которых не обходится ни одна советская книжка для начинающих. Тот же Скворень, например.

Я Хоровица с удовольствием читал когда-то, в старших классах, 3-е издание в твердой обложке.

ЕМНП в интституте чтобы учесть этот эффект мы рисовали резистор параллельно коллекторному источнику тока. Благодаря ему при увеличении напряжения коллектора, ток коллектора тоже увеличивается. Для ОБ его вроде принимали порядка единиц Мом. Для ОЭ и ОК он меньше в betta раз. Эффект от изменения Uбэ существенно имхо только при изменении температуры.

Смещение в усилителе с заземленным эмиттером.
Авторы указывают на траблы при смещении делителем и говорят о том, что температура будет вызывать изменение состояние транзистора, но не ясно какие именно параметры качнутся и куда именно?
Из текста:
Меняется напряжение Uбэ при фиксированном значении Iк. Что значит "фиксированное значение Iк", а также "фиксированном значении Uбэ " ?
Uбэ при повышении температуры увеличится или уменьшится на 2,1мВ/С ?

Все таки при повышении температуры ток коллектора растет или уменьшается? Запутался.
Спасибо!

Не думал, что Хоровиц и Хилл настолько сложная книга

А Вы ее с начала читаете или с конца?

PS. Uбэ падает с температурой

С ростом температуры в смысле? А че ток коллектора тогда растет?
И таки не ясно что имеется в виду когда авторы говорят "при фиксированном токе коллектора" "при фиксированном значении Uбэ" ?

Это в смысле если я на базу подам напряжение смещения с очень низкоомного источника, то при повышении температуры напряжение Uбэ останется на месте но увеличится ток коллектора, а если я в качестве нагрузки для усилителя с заземленным эмиттером использую источник тока, то при повышении температуры будет уменьшаться Uбэ?
Ну хокей, а если я зафиксирую Uбэ (низкоомным источником) и поставлю источник тока в кач. нагрузки для усилителя с заземленным эмиттером, что тогда будет происходить с транзистором?
Я лично ниче не понимаю

С ростом температуры Uбэ (как и падение на любом кремниевом диоде) уменьшается, при заданном токе базы/диода. Далее, если на базу подать фиксированное напряжение, то при росте температуры (глядя на ВАХ диода) Uбэ при константном токе должно упасть, но оно фиксировано, а значит вместо этого возрастёт ток базы и Uбэ останется при своём. Увеличенный ток базы вызовет увеличение тока коллектора, т.к. они связаны бетой в упрощённом случае (плюс другие слабые эффекты).

Получается, что с ростом температуры, каскад с ОЭ и заземленным эмиттером "разгоняет" Iк (хрен его знает чего, нужно саму физику прибора четко понимать), что приводит к уменьшению собственного сопротивления эмиттера (25/Iк(мА)), что в свою очередь меняет (уменьшает) входное сопротивление со стороны базы, что приводит к увеличению базового тока и наверное как следствие к еще большому увеличению тока коллектора.
Если потенциал базы не фиксирован, а например задан при помощи делителя, то это даже несколько ослабляет действие температуры на транзистор так как уменьшающееся сопротивление rэ фигурирует в нижним плече делителя.

То есть уменьшение сопротивления базы при увеличении её тока по ВАХ диода Вы не заметили, а типа логически обосновали это же самое по формуле сопротивления эмиттера из тока коллектора (25/Iк(мА)).
Раз пошла такая пьянка, то у базы есть два сопротивления. Статическое и динамическое. Динамическое - это для малого сигнала (по переменке), причём не связанное с эффектом Миллера. А о каком Вы вообще толкуете?


Даже в ХХ написано, что делитель улучшает температурную стабильность каскада, без всяких даже.

Ну, мы ведь не диод рассматриваем, а транзистор!
В ХХ как раз написано о делителе как о неправильном подходе и как о решении которое простотой и очевидностью вызывает соблазн проигнорировать проблемы с температурой, хотя на самом деле все не совсем так получается.
Ну да и ладно, самое главное впереди!

Делитель, для создания напряжения базы, очень хорош для задания рабочей точки усилителя ОЭ, при условии установки резистора в цепь эмиттера (шунтированного конденсатором по переменному току). Раздел 2.13 "Смещение усилителя в общем эмиттере".

Внутреннее сопротивление эмиттере 25/Ik (мА) - это сопротивление по переменному току, а к рассчету по постоянному току не имеет отношения.

Очень поможет, перед чтением про транзистор, прочитать раздел про диоды, а перед этим про резисторы, в т.ч. про делитель напряжения (без обид, если разделы прочитаны и поняты - то хорошо).

Бывает, сложно читать Хоровица из-за плохого перевода. Тогда надо взять старое (3-е) издание или читать в оригинале (лучше всего). Еще можно Титце Шенка взять... это тоже классика

"rэ", для больших сигналов и соответственно больших токов Iк, слишком мал! В связи с чем учитывают этот параметр только для малых сигналов, ну вот так пишут в ХХ. Если ток коллектора 1mA, то и при расчетах по постоянному току нужно считать "rэ": как -никак 25 Ом

С чего Вы взяли?
Вернитесь на пару параграфов назад. Там сказано буквально, что этот параметр относится к параметрам малого сигнала. Но причём здесь переменный ток?
Перевод, всё-таки, не настолько плох, чтобы спутать эти понятия...

В данном случае малий сигнал - синоним переменного тока. Сопротивление (динамическое) при этом определяется (или равно) deltaU/deltaI относительно рабочей точки усилка по постоянке.


Ок.


А вот это (конец) вообще непонятно.

А статическое?
Не надо бы сюда переменный ток приплетать. Автора это только запутает. И так в первых главах популярной книжки спотыкается. Там сказано определённо: параметр малого сигнала. Для расчёта схемы с заземлённым эмиттером вполне подходящ. И именно по постоянному току. Там вообще вся глава о режимах и заданию смещения по постоянному току. И что такое динамическое сопротивление вполне доходчиво показано.

Uбэ/Iбэ

Это со стороны эмиттера? Шутить изволите?

Это со стороны базы. Если его засчитывать например в базовый делитель напряжения.