Нельзя с этим не согласится, хоть это уже и философия, но исходя из оптимальности могу привести два утверждения (от меня естественно):
1) "оптимально" оно должно быть ещё и по времени разработки. (В данном конкретном случае, на мой взгляд, улучшение времЕнных характеристик не существенно). Достаточно того что есть.
2) С точки зрения оптимальности резисторы в 1,2кОм и 12,4 кОм несколько странноватый выбор. Думаю если поставить 1 и 5,1кОм будет всё отлично работать и резисторы ходовых номиналов



Есть небольшой геморрой с использование транзисторов с внутренними резисторами. Первый это тот что не очень-то они доставабельны. Ну, а после того как достали и всё сделали, то уже ничего подкорректировать не получится, а вот с резисторами снаружи вполне ещё можно "поиграться" номиналами в процессе настройки.
ЗЫЖ правда это плохо относится к отлаженным устройствам выпускаемыми 1000-ми штук. Тогда и технологичней и дешевле использовать тр-ры с интегрированными резисторами. И партию в 1000-10000 шт. достать легче и на монтаже сэкономить можно

Как вы здорово цитаты дергаете. В том же предложении вам был задан вопрос, без ответа на который остальное бессмысленно.
Либо вы не умеете им пользоваться, либо его надо выкинуть. Ибо эта картинка имеет мало общего с реальностью. Почему напряжение насыщения отличается почти вдвое, если транзистор в обоих случаях находится в насыщении и ток коллектора одинаков? Где на ней прописанное в даташите то самое Storage time? Где влияние емкости коллектор-база?
Блох искать не нужно - зная теорию можно сразу проектировать правильно.
И каков же критерий оптимальности в исходных номиналах этого узла?

Так пользуйтесь им сами, если вы умелец. Симетрикс официально бесплатен для простых схем, все данные я привел. Проверяйте.


Потому что напряжение на коллекторе зависит от глубины насыщения, а ток базы разный. Для исходной схемы ток базы примерно равен 2 мА, для схемы с вашими номиналами - примерно 0.3 мА.


Посмотрите даташит внимательнее. Минимальная величина Storage time там не указана. А вопрос о том, насколько реалистична представленная спайс-модель, можете задать службе поддержки Onsemi.

Пикантный нюанс, связанный со Storage time, состоит в том, что это время измеряется после подачи в цепь базы тока противоположного направления и фиксации отрицательного потенциала базы на уровне более чем -1 В. То есть, что исходный вариант схемы, что с вашими номиналами - оба в подметки не годятся схеме измерения, приведенной в даташите.




С вашими номиналами скорость нарастания увеличилась вдвое как раз вследствие уменьшения влияния эффекта Миллера. А иначе, по вашему, в честь чего бы фронт стал круче?


В данном контексте оптимальность, очевидно, состоит в отсутствии граблей и грубых ошибок. И в этом смысли исходные номиналы для транзистора были вполне удовлетворительны. А вот уменьшение резистора с базы на землю потенциально чревато тем, что при некотором стечении обстоятельств транзистор может не открыться. К таковым обстоятельствам относится и возможная замена транзистора на другой тип.



С этой точки зрения оптимально было бы поставить два одинаковых резистора. Собственно, в большинстве так наз. "цифровых транзисторов" именно так и сделано. Простое и надежное универсальное решение.

Базовый шунт-резистор нужно выбирать так чтобы на нём падало не менее 1 вольта. Иначе будет риск не влючиться на минусовых температурах. А уж разные типы биполярных транзисторов имеют разброс намного меньше чем изменение падения на кремниевом переходе от температуры.

Спасибо haker_fox за схему, собрал себе такую-же (без гальванической развязки) все работает отлично.

На здоровье, схема не моя) Я ее тоже позаимствовал.

А у меня все пока руки не доходят до опробирования гальваноразвязанной схемы... Уже более месяца(