Цитата(ledum @ Apr 19 2012, 13:56)

Справедливости ради, для данной чипы - мы видим, быстрей всего, метрологическую коллизию. В силу физических причин слева на графике невозможно на измерительной установке дифференцировать гармошки, интермодуляшки и шумы либо микросхемы, либо установки. ИМХО мы просто видим сигнал/шум слева, а не чистые гармошки или интермодуляцию.
До шумов там должно быть далеко, по моим расчетам уровни интермодуляционных составляющих сравниваются с шумами при 100мВ выходном сигнале, возможно, и это более вероятно, что я что то не так считаю, в этом собственнно хочу и разобраться. Вот например для
http://www.analog.com/static/imported-file...AD8007_8008.pdf графики более правильные, как на мой взгляд, где с ростом выходного напряжения растут искажения, правда для АДшных операционников измерения проводятся по методике ITU-R, в отличие от LT и TI, которые меряют согласно SMPTE. Для последней методики информацию найти сложно, нет никаких формул, даже фотографий приборов с получеными результатами, ничего кроме графиков в даташитах, но зато получаются красивые числа, типа IMD -130дВс и еще меньше. Для ITU-R методики все проще, есть куча информации примеров расчета и тд, но числа не такие красивые

. Но ведь физика везде должна быть одинаковой и следовательно одно значение можно как то пересчитать в другое. Задал еще подобный вопрос Аналог девайсу, посмотрим что они ответят.