Hi all!
Для операционных усилителей для расчета интермодуляционных искажений применяют методику SMPTE, т.е когда подают частоты 60Гц и 7кГц с амплитудой в 4 раза меньше. Тут у меня возник вопрос: как связать, желательно в мат виде, с методом когда подаются 2 равных по амплитуде сигнала, когда уменьшается амплитуда сигнала на 1дБ а интермодуляция на 3дБ, и как получается в даташитах, например, http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lme49990.pdf что с уменьшением амплитуды на выходе ОУ увеличиваются интермодуляционные искажения?
Спасибо.

Наверное, искажения увеличиваются при очень большом сигнале за счет приближения к области ограничения сигнала, а при малом сигнале - за счет точки переключения в 2-х тактных выходных каскадах.

То что при больших сигналах идет искажение, то понятно, но как при уменьшении сигнала растут искажения? Если например пользоваться методикой http://www.analog.com/static/imported-file...ials/MT-053.pdf то с уменьшением амплитуды интермодуляция должна только уменьшатся. И согласно той же методике чтобы получить интермодуляцию порядка -130дБ нужно использовать киловатные транзисторы, а в ОУ получается на миливатных тразисторах такая интермодуляция. В чем подвох?

Наверное потому что режим АБ, причем ближе к Б. Т.е. в режиме малых сигналов сравнительно большая относительная нелинейщина. Резкий рост гармошек с уменьшением выходной мощности - косвенный признак такого режима.
Добавлено. Справедливости ради, для данной чипы - мы видим, быстрей всего, метрологическую коллизию. В силу физических причин слева на графике невозможно на измерительной установке дифференцировать гармошки, интермодуляшки и шумы либо микросхемы, либо установки. ИМХО мы просто видим сигнал/шум слева, а не чистые гармошки или интермодуляцию.

До шумов там должно быть далеко, по моим расчетам уровни интермодуляционных составляющих сравниваются с шумами при 100мВ выходном сигнале, возможно, и это более вероятно, что я что то не так считаю, в этом собственнно хочу и разобраться. Вот например для http://www.analog.com/static/imported-file...AD8007_8008.pdf графики более правильные, как на мой взгляд, где с ростом выходного напряжения растут искажения, правда для АДшных операционников измерения проводятся по методике ITU-R, в отличие от LT и TI, которые меряют согласно SMPTE. Для последней методики информацию найти сложно, нет никаких формул, даже фотографий приборов с получеными результатами, ничего кроме графиков в даташитах, но зато получаются красивые числа, типа IMD -130дВс и еще меньше. Для ITU-R методики все проще, есть куча информации примеров расчета и тд, но числа не такие красивые . Но ведь физика везде должна быть одинаковой и следовательно одно значение можно как то пересчитать в другое. Задал еще подобный вопрос Аналог девайсу, посмотрим что они ответят.

Ну свой вывод по шумам сделал, глянув на крутизну графиков по гармошкам+шумы у ЛМ - чистые 20дБ на 20 дБ изменения уровня - никаких отклонений - достаточно линейная микросхема. Что касается интермодуляции - в соседней теме по усилку обсуждали. Подаем два одинаковых сигнала в линейном диапазоне по усилению (хотя бы на 10 дБ ниже точки компрессии - ограничения) и считываем интермодуляционные. Воображаемая точка интермодуляции третьего порядка будет IP3=Мощность тестового сигнала+(расстояние в децибеллах до интермодуляционных составляющих)/2 - это при мощностях - в ВЧ мы привыкли работать с ними, дабы не привязываться к импедансу тракта. И никаких киловатт - потому что IP3 - все-таки воображаемая точка, а не реальная. Компрессия не даст до нее добраться. Зная одну только эту точку - остальное высчитывается из нее. Ну а в данном случае при входных 1В и меньше, интермодуляционные будут находиться глубоко под шумами, вот NSC-шники и не мудрствуя лукаво выложили динам диапазон по интермодуляции как с/ш для этих напряжений, хотя дорожка чуть ниже, чем шумы ИМХО - сильно не вникал, могу и ошибаться.

Они не увеличиваются. Это шумы.