Здравствуйте!

Всегда подавал питание на VBAT SIM900 через контакты реле (для случая если зависнет то отрубить - разомкнув нормально замкнутые контакты)
Но сейчас потребовалась схема включения через транзистор. Я выбрал P-канальный мосфет с классической схемой включения в разрыв между +4.2В и VBAT.

Транзистор P-канальный MOSFET AO3401
(вот тут даташит).

Транзистор всеми параметрами подходит (в том числе и очень низким Rds), но перед SIM900 должен быть большой электролит "как можно ближе" да и еще с LOW ESR. Дак вот вопрос в том что я где- то читал здесь что из-за большого первоначального зарядного тока может пробить в принципе MOSFET даже с взятый с большим запасом по току стока. Да и если останется на истоке потенциал, а на стоке резко упадет ниже выходного, то пробьет внутренний диод и/или скорее всего тоже выведет MOSFET из строя
Как эту проблему Вы решаете? если можно хотя бы один пример

Сообщение отредактировал Ildar Belkin - Jul 3 2012, 08:18

Здесь же, где-то предлагали полевик открывать не сразу, а ШИМом, подзаряжая Конденсатор.

Да ШИМом видел. Я некорректно описал проблему - хотел бы резисторами, диодами и т.п. обойтись - т.е. обвесом

В чём причина выбора этого полевика? Может применить что-то более популярное, типа IRLML6401TRPBF?
Использовать ШИМ для заряда конденсатора от источника напряжения надо очень аккуратно.
Если источник выдержит, то может просто полевик взять помощнее?

как-то вот так , примерно.

То что доступно у меня. Есть еще IRF4905. Посмотрю то, что Вы предлагаете. Спасибо



Хм... Очень интересно. Большое спасибо. Надо обдумать этот вариант

В USB устройствах для ограничения inrush тока обычно используют p-mosfet c RC схемой. Вот пример от FTDI (страница 7):
http://www.ftdichip.com/Support/Documents/...or_FTDI_ICs.pdf

Вы не "где- то читайте" а сами считайте. Тогда и вопросов станет меньше.
К примеру у Вас в доке транзистор держит 27А импульсный ток. У Вас найдется в схеме источник (стабилизатор) который такой ток сможет обеспечить?

Жирная литиевая батарейка при заряде "пустого" жирного конденсатора с низким сопротивлением легко обеспечит такой ток.

Я и считаю что стоит 2200 мкФ конденсатор low ESR если у него 0,1 Ом эта ESR то 4,2В/0,1 Ом то получается 42А в первый момент сможет скушать или выдать. Не так уже весело, не правдо ли Или я не так считаю?

Сообщение отредактировал Ildar Belkin - Jul 4 2012, 08:01

Но на самом деле вполне достаточно 6401. Без всяких тормозных конденсаторов.
Особенно если не ставить слишком больших конденсаторов по питанию модуля. они как-бы не слишком нужны при питании от батареи.
Микрофарад 200 тантала и хорош. А если слабый БП , то 2200 ставить со стороны БП.

Сообщение отредактировал pau62 - Jul 4 2012, 08:13

Нет, не так считаете. У производителя Low ESR конд. есть значения параметра тока для каждого типа. И емкость там вторичное значение имеет. Например есть 330uFx10V и Esr 0,017 Ом. Но ток не более 4000 mA Rms (для 100кГц). Это Extra Low ESR, зато работает этот конд. много лучше чем 2200 мкФ low ESR 0,1 Ом.

Этот ток для продолжительных режимов важен, если при подключении батарейки он будет превышен - никакой беды не будет.

Добавь сопротивление самого ключа(0,06 Ом при 4,5В управления) и сопротивление источника.
4,2/0,16=26,25А даже при нулевом сопротивлении источника(а это да-алеко не так) и при мгновенном переключении транзистора(без подзаряда на переходном процессе)

А ещё дорога, н-р, шириной 1 мм на 35 мкм меди даст ~ 6 мОм на 10 мм.