Здравствуйте!

Всегда подавал питание на VBAT SIM900 через контакты реле (для случая если зависнет то отрубить - разомкнув нормально замкнутые контакты)
Но сейчас потребовалась схема включения через транзистор. Я выбрал P-канальный мосфет с классической схемой включения в разрыв между +4.2В и VBAT.

Транзистор P-канальный MOSFET AO3401
(вот тут даташит).

Транзистор всеми параметрами подходит (в том числе и очень низким Rds), но перед SIM900 должен быть большой электролит "как можно ближе" да и еще с LOW ESR. Дак вот вопрос в том что я где- то читал здесь что из-за большого первоначального зарядного тока может пробить в принципе MOSFET даже с взятый с большим запасом по току стока. Да и если останется на истоке потенциал, а на стоке резко упадет ниже выходного, то пробьет внутренний диод и/или скорее всего тоже выведет MOSFET из строя
Как эту проблему Вы решаете? если можно хотя бы один пример

Сообщение отредактировал Ildar Belkin - Jul 3 2012, 08:18