Увы, нужен элемент из Circuit Elements. Хотелось промоделировать УМ совместно со схемой защиты, а на логарифмическом усилителе легко реализовать вычисление коэффициента отражения

В Circuit Elements такго элемента не наблюдается. Может быть самому создать схему нужного усилителя?

Да, но как это сделать "легко и просто" - например, задать аналитически?

"легко и просто" вряд ли получится. В Circuit Elements не так уж много нелинейных элементов, транзисторов в частности. Возможно нужно будет поискать подходящие элементы в библиотеке Vendor Local. Я не имел дела с подобными схемами, но на форуме есть пользователи, которые моделируют усилители. Будем надеяться, что кто-нибудь подскажет что-то более конкретное. И ещё не очень надёжный вариант, поискать подходящий готовый усилитель в интернете. Возможно производитель выложил S-параметры или модель, которые можно использовать в качестве подсхемы.

Опять же стоит задать вопрос: для какой цели вы хотите промоделировать логарифмический усилитель? Может вам подскажут более лучший вариант решения.

Да, на это и надеюсь. Вопрос не по моделированию логарифмического усилителя, а по моделированию усилителя мощности с цепями защиты и коррекции ошибок. Вот в этих цепях удобно применять логарифмические усилители типа ADL5519 LOG или LOG101. Собственно говоря нужен "черный ящик" с функцией логарифмирования.

А какие характеристики вы собираетесь моделировать? Усиление, рассогласование? Или системные характеристики? То есть , что вы, собственно, собираетесь считать?

Может эту характеристику можно и в системном анализе рассчитать. Ведь туда можно запихать и СВЧ схему усилителя мощности и промоделировать. Для учета рассогласования есть даже такой специальный блок-переходник RF_START.

К сожалению больших навыков работы в VSS нет, поэтому этот вариант не рассматриваю. А задача которую хотел решить - это коррекция коэффициента комбинационных нелинейных искажений УМ путем внесения в этот УМ предискажений (амплитудных), ну и попутно защита УМ от рассогласования, перегруза по току и т. п. Хотелось бы моделировать с самим УМ или с большесигнальной моделью, S-параметрами здесь не обойдешься.
Странно, мощнейшая программа, а вопрос возможности комлексного моделирования усилителя мощности ВЧ и маломощных цепей его радиоуправления вызывает такие трудности. Весной посетил небольшой семинар, который проводила NI в том числе и по AWR - так там утверждалось что эта система сквозного проектирования. Не уверен, хотелось бы ошибиться.

Мне кажется, что вашу задачу следует моделировать в VSS. Может быть будет полезен пример AGC_using_VGA_F (там система АРУ). VSS поддерживает схематики из Microwave Office (чтобы учесть все эффекты надо воткнуть модуль RF_Start), поэтому можете смело использовать ваш проект в VSS. Ну, а система AWR, действительно система сквозного проектирования.

Не вижу как эту задачу можно выполнить в VSS. VSS грубовата для таких "мелочей". В ней как вы отметили возможно использовать подсхемы из MWO, но разработать схему с отдельными элементами - ОУ, резисторами и т. п. вряд ли получится. Как вы понимаете, сама модель логарифмического усилителя ничего не решает, это всего лишь небольшая часть схемы.
Ну а то что AWR система сквозного проектирования, думаю это всего лишь благие намерения, которые так и останутся намерениями. Любой Главный конструктор знает, разработать изделие это значит разработать комплект рабочей конструкторской документации. Даже самая затратная часть работы - изготовление опытного образца проводится с целью проверки правильности РКД. AWR к РКД и даже к эскизной документации имеет малое отношение. Изготовление, монтаж элементов, сборка, регулировка - все эти процессы идут по документации других САПР. Область применения AWR - эскизный проект и часть технического проекта.
Кроме того, даже этот пример - невозможность моделирования нелинейного УМ с цепями радиоавтоматики, не в пользу идеи сквозного проектирования.
Все это конечно не умаляет достоинств и необходимости использования этого САПР.

Здравствуйте, у меня вопрос по электромагнитному моделированию: возможно ли и как в микровэйве исходя из реальных геометрических размеров промоделировать ряд параллельных проволочек (как развариваются кристаллы транзисторов) с целью определения их индуктивности и взаимной индуктивности в зависимости от высоты над землей и длины самих проволочек?

Думаю, для данной задачи больше подойдет 3D симулятор, типа CST или HFSS...

Хочу посчитать в MWO усилитель на транзисторе Avago ATF-54143. Модель элемента есть в библиотеках MWO:

Почему subcircuit имеет только 2 выхода, хотя у транзистора их 4?

Вероятнее всего это измеренные S-параметры, измеренные в разных режимах и скомбинированные в MDIF файл. Включение скорее всего с общим истоком, для верности посмотрите в даташите. Землю можно вывести щелкнув на свойствах модели, затем на вкладку ground и ставим галочку напротив Explicit ground node.

Есть такой элемент Interconnects->BWIRES3. Там можно задать количество параллельных проволочек, их длину и т.п. и т.д. Может будет вам полезно.