реклама на сайте
подробности

 
 
8 страниц V  « < 2 3 4 5 6 > »   
Reply to this topicStart new topic
> Правильное подключение Mosfet, Подскажите
ViKo
сообщение Oct 25 2011, 08:10
Сообщение #46


Универсальный солдатик
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 8 634
Регистрация: 1-11-05
Из: Минск
Пользователь №: 10 362



Попробую ответить нечитателю на то, что осилил понять. Без лишнего цитирования (вообще без цитирования).

Смотрим datasheet на Power MOSFET IRF540N. Читаем среди ключевых характеристик:
Ultra Low On-Resistance
Fast Switching
Не говорит ли это, что это транзистор, предназначенный для переключения мощных токов?

Смотрим картинку Fig 3. Не видите резкого порога переключения? Так ведь там масштаб по вертикали логарифмический. Нарисуйте в линейном, увидите порог.

Про излишнее цитирование. Бывает часто. Так проще отвечать. Я, во всяком случае, стараюсь ограничивать цитату до разумного предела.

Вот ваше сообщение - почти весь монитор у меня заняло. И каков к.п.д.? Надо ввести термин - коэффициент полезности сообщения. sm.gif

P.S. И, наконец, солидарен с Herz - подозреваю воздействие алкоголя. Признаетесь? sm.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Mike18
сообщение Oct 25 2011, 14:09
Сообщение #47


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 206
Регистрация: 23-12-06
Из: Старых Васюков
Пользователь №: 23 821



Вместо TO-220AB на разведённую плату вполне себе приемлемо мог бы
втиснуться какой-нибудь DTD113ZS или DTD113ES. В рамках коммутации
одной ранее засвеченной в топике "лампочки", разумеется.


P.S.

P.P.S. Кстати, ещё раз за параметр VGS(th) IRF540N.
При 2-х Вольтах на затворе и 250 мкА в стоке, сопротивление некоторых
ключей может быть 8 кОм, а других некоторых, при 4-х Вольтах, и все 16...
Через тернии, так сказать, и от экземпляра к экземпляру. rolleyes.gif

Сообщение отредактировал Mike18 - Oct 25 2011, 19:30


--------------------
Время - материя тонкая и неточная...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ipf
сообщение Aug 19 2012, 16:31
Сообщение #48


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 90
Регистрация: 23-09-11
Из: Вьетнам
Пользователь №: 67 350



Дабы не плодить темы, подниму старую тему. Подскажите , mosfet irf540n . Gate Threshold Voltage от 2 до 4 вольт. То есть на сколько я понимаю, если у меня контроллер работает от 3.3 вольта то лог. уровень на выходе контроллера 3.3 вольта а значит если я подключу данный мосфет к выводу мк и подам 3.3 вольта я не смогу полностью открыть мосфет? Нужен ШИМ на 12 вольт. Пришлось вернутся к этой теме. Заранее спасибо.

Сообщение отредактировал ipf - Aug 19 2012, 16:33
Go to the top of the page
 
+Quote Post
proxi
сообщение Aug 19 2012, 16:38
Сообщение #49


Гуру
******

Группа: Banned
Сообщений: 2 754
Регистрация: 5-06-05
Из: Zurich
Пользователь №: 5 744



а еще и входная емкость
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Myron
сообщение Aug 19 2012, 17:05
Сообщение #50


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 849
Регистрация: 6-02-05
Пользователь №: 2 451



Цитата(ipf @ Aug 19 2012, 10:31) *
Дабы не плодить темы, подниму старую тему. Подскажите , mosfet irf540n . Gate Threshold Voltage от 2 до 4 вольт. То есть на сколько я понимаю, если у меня контроллер работает от 3.3 вольта то лог. уровень на выходе контроллера 3.3 вольта а значит если я подключу данный мосфет к выводу мк и подам 3.3 вольта я не смогу полностью открыть мосфет? Нужен ШИМ на 12 вольт. Пришлось вернутся к этой теме. Заранее спасибо.

Поскольку порог Мин=2В Мах=4В, то некоторые мосфеты из партии будут стараться переключиться при Ваших 3.3В. Но, т.к. гарантированный ток при этом диапазоне на входе, только 250 мкА, то, практически при приличных токах в нагрузке (несколько А) работать схема не будет. Есть 3 варианта:
- Подобрать мосфет с достаточно малым порогомю
- Использовать специальные ключи верхнего уровня с малым напряжением входа.
- Использовать пристегнутую схемую При этом Q1 должен иметь достаточно малый порог, но может быть маломощным. Модно найти 2 транзистора в корпусе.

Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ipf
сообщение Aug 19 2012, 17:05
Сообщение #51


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 90
Регистрация: 23-09-11
Из: Вьетнам
Пользователь №: 67 350



Можно ли использовать полевик а им открывать затвор на мосфете?
Вот по такой схеме

Сообщение отредактировал ipf - Aug 19 2012, 17:35
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Myron
сообщение Aug 19 2012, 17:28
Сообщение #52


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 849
Регистрация: 6-02-05
Пользователь №: 2 451



Цитата(ipf @ Aug 19 2012, 12:05) *
Можно ли использовать биполярный транзистор а им открывать затвор мосфетA?

Можно. Но в Вашем и в моем варианте с двумя транзисторами или даже только с одним нужно защищать выход МК, которым управляется эта схема. Из-за паразитной емкости коллектор-база может произойти пробой выхода МС при переходах состояний. На встроенную в МК защиту не не рассчитывайте.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ipf
сообщение Aug 19 2012, 17:35
Сообщение #53


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 90
Регистрация: 23-09-11
Из: Вьетнам
Пользователь №: 67 350



Между выходом мк и резистором идущим на базу первого транзистора хватит ли диода для защиты?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Dog Pawlowa
сообщение Aug 19 2012, 17:37
Сообщение #54


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 702
Регистрация: 14-07-06
Пользователь №: 18 823



Цитата(ipf @ Aug 19 2012, 20:05) *
Можно ли...

1) Напряжение Vcc чему равно? Максимальное напряжение на затворе обычно 10 В
2) ну а тему скорости включения и перегрева наверняка затронули уже.


--------------------
Уходя, оставьте свет...
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ipf
сообщение Aug 19 2012, 17:39
Сообщение #55


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 90
Регистрация: 23-09-11
Из: Вьетнам
Пользователь №: 67 350



напряжение на Vcc ~12 Волт
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Myron
сообщение Aug 19 2012, 17:55
Сообщение #56


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 849
Регистрация: 6-02-05
Пользователь №: 2 451



Цитата(ipf @ Aug 19 2012, 12:35) *
Между выходом мк и резистором идущим на базу первого транзистора хватит ли диода для защиты?

Последовательный диод - это хорошо. Я еще добавляю TVS на 3.3В и диод на защиту от отрицательного напряжения, если нагрузка подозрительная (с индуктивностью). Вот так будет хорошо для надежной индустриальной разработки.
Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ipf
сообщение Aug 19 2012, 18:02
Сообщение #57


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 90
Регистрация: 23-09-11
Из: Вьетнам
Пользователь №: 67 350



Вот для себя сообразил такую схему

Эскизы прикрепленных изображений
Прикрепленное изображение
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
тау
сообщение Aug 19 2012, 18:21
Сообщение #58


.
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 424
Регистрация: 25-12-08
Пользователь №: 42 757



Цитата(ipf @ Aug 19 2012, 21:02) *
Вот для себя сообразил такую схему

Поставьте FAN3111E в корпусе SOT23-5 и эта штучка сразу заменит 6 ваших деталей.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Myron
сообщение Aug 19 2012, 18:28
Сообщение #59


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 849
Регистрация: 6-02-05
Пользователь №: 2 451



Цитата(ipf @ Aug 19 2012, 13:02) *
Вот для себя сообразил такую схему

Полагаю неплохо. Одно замечание. Пробивное обратное напряжение База-Эммитер биполярного транзистора примерно 5.6В. Если нагрузка имеет индуктивный характер. то ему может быть плохо при переключениях. Лучше применить полевик (минимум 12В или с защитой внутри). При применении биполярного транзистора в этом случае, даже с дополнительным диодом шоттки некуда отводить его паразитный ток земля-база при индуктивности в нагрузке и переключениях.
Ну или применяйте ключ верхнего уровня, как например советует тау.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Aug 19 2012, 18:56
Сообщение #60


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



Цитата(Myron @ Aug 19 2012, 21:28) *
или применяйте ключ верхнего уровня, как например советует тау

Ничего подобного. FAN3111E — это обычный нижний драйвер NMOS, и, главное, он нормально выключен, а та самодельщина, что вы обсуждаете — это тоже нижний драйвер, но нормально включённый.

Начните с того, что это за нагрузка, и что с ней будет от неопределённо долгого воздействия номинального напряжения питания.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

8 страниц V  « < 2 3 4 5 6 > » 
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 25th July 2025 - 22:48
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01509 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016