Ранее не делал инверторов. Собрал обычный мостовой инвертор на MOSFET с драйверами ACPL-H342 (опторазвязанные) + 1Вт источники Recom 12/15. То есть драйвера полностью гальванически развязаны. Мощность 1,5кВт, на входе 400В DC. Выход 220В 50Гц. Частота коммутации 50 кГц.
Думал удастся запустить с полпинка, но не тут то было. Нагрузка: R + L-фильтр(2,2мГн). ШИМ сделал мой коллега. На одном полупериоде Т4 включен, Т1 и Т2 попеременно с дедтаймами формируют Син.ШИМ. Из-за дедтаймов паразитный диод транзистора Т2 проводит ток индуктора, пока не начнет включаться Т1. Именно в этот момент из-за обратного восстановления диода появляется сквозной ток и колебания на частоте около 30МГц, которые пролазят даже в затвор. При попытке поднять напряжение до 250В вылетают транзисторы. И это при выходной мощности 50Вт.

Плечи: Т1+Т2, Т3+Т4
В затворах реально только один резистор 6R8

Сообщение отредактировал taurus - Feb 19 2013, 04:17

Еще к Вам вопросик есть. Если я поставлю что-нибудь из 600-вольтовых транзисторов серии CFD2, на которую Вы ранее указали. Возможно на таком транзисторе разогнать 1,5кВт инвертор на 50кГц, чтобы уменьшить выходной дроссель?

Сообщение отредактировал taurus - Feb 19 2013, 11:43

Вариант классический, но элементов и потерь больше. Более правильный вариант - транзисторы типа HiPerFET, PowerMOS7, PowerMOS8 или им подобные с шустрым внутренним диодом. А IGBT для таких частот и мощностей - смешно.



IMHO, 500В - самое оно.



Такого плана инвертор (по схемотехнике) на 5 кВт при 50 кГц в свое время делали на бояне из IRFP460.

Возникали ли у Вас проблемы, подобные моей проблеме, и как вы их решали?
Хочется из своего негативного опыта научиться получше.

Применительно к IRFP460 - снижали скорость включения (закрывались по-прежнему быстро) + увеличивали емкость сток-исток. При этом несколько страдает КПД, но схема работает.

Потом поставили HiperFET'ы.

А после вообще изменили схемотехнику - сделали изолированный DC-AC с ZVS по всем ключам (гуглите cycloconverter).

В перспективе хочу попробовать IPW65R110CFD. Новые транзисторы, диод вроде бы быстрый.

Купить такую экзотику, наверно, сложнее чем раскошелиться на CREE
http://www.compel.ru/infosheet/CREE%20PWR/CMF10120D/
(сравните свойства паразитного диода, который в SiC можно зашунтировать высоковольтным Шоттки)
за IXYS и Microsemi тоже побегать придётся ...

Сообщение отредактировал НЕХ - Feb 19 2013, 20:52

Да вроде бы на mouser.com есть. Думаю это реально для пробы купить.
SiC мне самому всем нравятся, кроме цены.

Сообщение отредактировал taurus - Feb 20 2013, 07:56

Ещё частный случай каскода, т.е. если сопротивление канала таково, что диод всегда закрыт — тогда восстановление практически ноль.

Для низковольтных Mosfet - возможно. Для высоковольтных - вряд ли (только при очень малой загрузке канала по току).

Под словом - каскод, наверно имелось ввиду это
http://www.toshiba.co.jp/tech/review/2012/...7_01pdf/a08.pdf

У IPP60R099 при 150°С канал 0,24 Ом и при 1,7 А через него диод будет закрыт. Для данной задачи 250 Вт конечно мало, но для многих других вполне достаточно.

Ещё вариант — быстрый внешний диод, поднятый относительно истока смещающим БП.

входное без стабилизации шимом при нарезке синуса отрабатывается? иначе 400 много. в любом случае igbt считаю в самый раз. в аналогичном инверторе вход 320 dc выход 220 синуса 2квт 38кгц применил irg4pc40ud

На входе стоят электролиты.
Если не секрет, какое КПД получили?

Сообщение отредактировал taurus - Feb 20 2013, 14:42

не измерял. ватт 100 навскидку есть значит 95%.
электролиты это хорошо.
если входное стабилизировано - 400vdc для получения синуса 220в много. достаточно 310..325, а если синус модифицированный то и того меньше.

Сообщение отредактировал isc - Feb 20 2013, 15:03