Из 13 поста.

поэтому я создал тему в разделе для начинающих.

Подскажите пожалуйста как правильно сделать. Есть сигнал который будет фиксироваться на одном из значение от 100 мВ до 500 мВ. Например 150мВ. Надо будет сделать 1В. Хочу сначала сделать эксперементальную плату. Взять опрационики в дип корпусах и на обычной макетной плате, собрать дифф. усилитель. Дифф. усилитель потому что от источника сигнала до платы есть ещё провод длиной 20 см, хотелось бы избежать помех.

Сообщение отредактировал BvDV - Apr 14 2013, 15:19

Вот тогда честно все опишите... Зачем все это, какие требования по точности и др. подробности. Как можно больше.
Желательно по-русски.
Вот это, например, - "Есть сигнал который будет фиксироваться на одном из значение от 100 мВ до 500 мВ",
я понять не могу.

всех подробностей я к сожелению не знаю сам. Есть фотоТранзистор который даёт синусойду, в зависимости расстояния от источника света. Когда источник света впритык, амплитуда синусойды около 300мВ. Чем дальше тем амплитуда меньше.
Так вот хотелось бы устанавливать фотоТранзистор на разных растояниях и пробовать усиливать полученый сигнал до 1В, это для начала. Пока не знаю что придётся делать с одним вольтом. Требования по точности для экспериментального варианта не слишком строгие. Что бы было где то около 1В, я так понимаю этого можно добиться поставив подсроечный резистор.

Пойди туда, не знаю куда, принеси то, не знаю, что. Русская народная сказка.

эксперементальная плат ж будет, зачем так серёзно реагировать , я ж не виноват что такие требования расплывчатые

Просто поставили такую задачу, всё как описал, я примерно представляю как должно быть, но как конкретно реализовать на практике, сомнения всякие мучают

Сообщение отредактировал BvDV - Apr 14 2013, 16:01

Идете на ti.com
Выбираете ОУ по параметрам, смотрите даташит и схему кита.
Перерисовываете схему.

Да чего там перерисовывать, стандартная схема усилителя переменного тока.

Здесь только усиление великовато будет.


Так в том-то и дело. Не с того конца, наверное, начинаете. Вы бы всю задачу выяснили и подробно описали. Что это будет, для чего.
Ведь усиливать сигнал с фототранзистора - задача со своими особенностями. Нелогично делать усилитель переменного сигнала с неким регулируемым усилением, затем приспосабливать к нему каскад с фототранзистором, а затем ещё думать, что же делать с усиленным сигналом. Не беритесь за задачу, пока не поймёте, что именно нужно реализовать. А как - это уже второй вопрос. Возможно, Вам вообще компаратора будет достаточно с настраиваемым порогом или каскада с АРУ.

Спасибо за схему.

Спасибо за совет. Но в том то и проблема что выяснить все подробности можно только начав экспереминтировать. Решился одну схему реализовать, посмотрю что будет. Отрицательный опыт, как говорятся тоже опыт.

Ну, экспереминтируйте, раз всё так загадочно.

Извините что поднимаю старую тему. Не много прояснил задачу. Поэтому возникли вопросы.
Есть схема со светодиодом и фототранзистором, марки к сожелению незнаю. Это судя по всему какой то датчик присутствия для станка.
[attachment=76933:55.jpg]
на выходе постояно около 2В. Когда светодиод приближается к фототранзистору, напряжение на выходе падает в зависимости от растояния. Получается когда светодиод в самом близком положение по отношению к фототранзистору, напряжение где то 1.8В.
Подскажите каким способо эту разниу усилить до 1В, используя райл ту райл операционый усилитель.

Заранее спасибо за ответ.

Странно. Когда на фототранзистор не падает свет, на его выходе должно быть 5В.


Чтобы увеличить усиление, достаточно увеличить R1. Поставьте, скажем, R1 = 1к.

да кстати, ошибся. когда свет в макс. удалёном положение то около 2. когда в макс близком 1.8


мне надо именно 1В получить, т.е. эту разницу в 200мВ (падение с 2В до 1.8В) увеличить до 1В.

Сообщение отредактировал BvDV - May 13 2013, 06:04

Все равно это проще сделать без операционного усилителя.

Фототранзистор в первом приближении является источником тока.
* Когда свет в макс. удалёном положении, то напряжение на коллекторе равно 2В, падение напряжения на R1 равно 5В - 2В = 3В, а ток коллектора равен 3В / 0.2kОм = 15мА
* Когда свет в макс. близком положении, то напряжение на коллекторе равно 1.8В, падение напряжения на R1 равно 5В - 1.8В = 3.2В, а ток коллектора равен 3.2В / 0.2kОм = 16мА
* Изменение тока в 16мА - 15мА = 1мА должно создать на выходе изменение напряжения в 1В. Значит, сопротивление нагрузки фотодразнистора должно иметь величину R1 = 1В / 1мА = 1кОм.
* Однако ток коллектора в 15 мА высосет весь ток, какой может выдать R1. Значит, в коллектор фототранзистора надо загнать ток от какого-то источника тока, достаточно высокоомного, чтобы он своим внутренним сопротивлением не оказывал влияния на нагрузку фототранзистора - резистор R1. Это можно сделать, например, при помощи парочки малосигнальных PNP дряньзисторов и пары резисторов, как показано на схеме:




Величина тока задается резистором R3 и при 39 Омах составляет примерно 15 мА. На самом деле нужен источник тока величиной 12 мА, поскольку еще 3 мА выдаст резистор R1. Для точной настройки тока вместо R3 лучше использовать подстроечник величиной 47 Ом последовательно с резистором 22 Ома.