Порекомендуйте схему усиления. Есть сигнал который меняется от 0 до примерно 300мВ, частота до 400кГц. Надо его увеличить до 1В. Думаю для начала собрать на макетной плате, взять LM224N, собрать неиверт. оп. усилитель либо дифф. оп.усилитель.
Большое спасибо.

А что же тут советовать? Вам нужен усилитель с К=3.3? Вот и соберите, хоть инвертирующий, хоть нет. Только ОУ лучше взять более скоростной, у этого маловата полоса.

посоветуйте пожалуйста какой нибуть в дип корпусе, подешевле.

На ваш выбор: LM158, LM158A, LM258, LM258A LM358, LM358A, LM2904, LM2904V
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm358.pdf

Я бы не стал брать ни один из них, учитывая их частоту единичного усиления (1МГц).
2 ТС: на вскидку не скажу в DIP-e, давно с такими не работаю, смотрите чтобы GBW было не хуже 5МГц (слишком много тоже не стоит брать- гудеть будет при плохой разводке), чтоб мог работать с усилением=3,3, и скорость нарастания не менее 5В/мкс.

Сюда заходим выбираем, эмулируем, если нужно:
http://www.ti.com/ww/ru/prod_amps.html

LM318N.
И ширпотреб, и требованиям удовлетворяет.

а если LM833P? Разводка будет на макетной плате,всё на проводах, плюс сам источник сигнала будет подлкючаться к макетной платы через разъём. Провод 10 см от источника сигнала до разъёма на плате. Ещё в добавок сигнал может быть от 0 до 200 мВ и от 0 до 300мВ. Думаю ставить подстроечный резистор в обратную связь операционика, что бы регулировать усиление или как то подругому делается? Это всё чисто для эксперемента. Потом может и на смт всё сделать придётся.

Еще есть распространенные и дешевые, но довольно быстрые ОУ TL071/2/4, TL081/2/4. Они доступны в том числе и в DIP-корпусах. Хотя сделать макет с использованием SOIC тоже не проблема. Еще нужно учесть, что дешевые распространенные ОУ не являются rail-to-rail, поэтому чтобы работать с сигналами от 0 В, потребуется двухполярное питание.

Решил взять покачто для эксперемента MCP601-I/P.


Вот что получил в Симетриксе.

Как считаете, будет работать?

Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Не хотелось бы вас огорчать...
Задам только наводящие вопросы.
Зачем Вы делите входной сигнал пополам?
Откуда ОУ должен брать отрицательное напряжение на выходе?
Номиналы резисторов Вы выбирали из каких соображений?
Какая вам нужна точность воспроизведения сигнала?

R1 и R2 уменьшить в 10 раз.
Левый вывод R2 соединить с общим проводом черед керамический конденсатор 10мкФ 16В.
Закоротить R3.
На верхний вывод R4 подать половину питания.
Входной сигнал подавать через конденсатор.

огорчится можно только не дождавшись ни каких ответов

Я так понял что надо повышать входной импеданс что бы убрать шумы. Поэтому решил просто поставить такие резисторы.

А зачем ОУ отрицательное напряжение? взял райл ту рэйл ОУ. значит я что то опять не понимаю.

Номиналы R1 и R2 брал исходя из нужного коэффицента усиления. R1 планиурую брать подстроечный резистор.

Хочу сделать такой дфф. оу. что бы увиличивать синусойду от 100-500 мВ до 1В

А вот так делать не стоит... Денег не будет.


Вы уж определитесь...
А что до остальных Ваших решений, то они кажутся по меньшей мере странными.

каких моих решений? Или Вы о решениях Gorby?

Из 13 поста.

поэтому я создал тему в разделе для начинающих.

Подскажите пожалуйста как правильно сделать. Есть сигнал который будет фиксироваться на одном из значение от 100 мВ до 500 мВ. Например 150мВ. Надо будет сделать 1В. Хочу сначала сделать эксперементальную плату. Взять опрационики в дип корпусах и на обычной макетной плате, собрать дифф. усилитель. Дифф. усилитель потому что от источника сигнала до платы есть ещё провод длиной 20 см, хотелось бы избежать помех.

Вот тогда честно все опишите... Зачем все это, какие требования по точности и др. подробности. Как можно больше.
Желательно по-русски.
Вот это, например, - "Есть сигнал который будет фиксироваться на одном из значение от 100 мВ до 500 мВ",
я понять не могу.

всех подробностей я к сожелению не знаю сам. Есть фотоТранзистор который даёт синусойду, в зависимости расстояния от источника света. Когда источник света впритык, амплитуда синусойды около 300мВ. Чем дальше тем амплитуда меньше.
Так вот хотелось бы устанавливать фотоТранзистор на разных растояниях и пробовать усиливать полученый сигнал до 1В, это для начала. Пока не знаю что придётся делать с одним вольтом. Требования по точности для экспериментального варианта не слишком строгие. Что бы было где то около 1В, я так понимаю этого можно добиться поставив подсроечный резистор.

Пойди туда, не знаю куда, принеси то, не знаю, что. Русская народная сказка.

эксперементальная плат ж будет, зачем так серёзно реагировать , я ж не виноват что такие требования расплывчатые

Просто поставили такую задачу, всё как описал, я примерно представляю как должно быть, но как конкретно реализовать на практике, сомнения всякие мучают

Идете на ti.com
Выбираете ОУ по параметрам, смотрите даташит и схему кита.
Перерисовываете схему.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Да чего там перерисовывать, стандартная схема усилителя переменного тока.

Здесь только усиление великовато будет.


Так в том-то и дело. Не с того конца, наверное, начинаете. Вы бы всю задачу выяснили и подробно описали. Что это будет, для чего.
Ведь усиливать сигнал с фототранзистора - задача со своими особенностями. Нелогично делать усилитель переменного сигнала с неким регулируемым усилением, затем приспосабливать к нему каскад с фототранзистором, а затем ещё думать, что же делать с усиленным сигналом. Не беритесь за задачу, пока не поймёте, что именно нужно реализовать. А как - это уже второй вопрос. Возможно, Вам вообще компаратора будет достаточно с настраиваемым порогом или каскада с АРУ.

Спасибо за схему.

Спасибо за совет. Но в том то и проблема что выяснить все подробности можно только начав экспереминтировать. Решился одну схему реализовать, посмотрю что будет. Отрицательный опыт, как говорятся тоже опыт.

Ну, экспереминтируйте, раз всё так загадочно.

Извините что поднимаю старую тему. Не много прояснил задачу. Поэтому возникли вопросы.
Есть схема со светодиодом и фототранзистором, марки к сожелению незнаю. Это судя по всему какой то датчик присутствия для станка.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
на выходе постояно около 2В. Когда светодиод приближается к фототранзистору, напряжение на выходе падает в зависимости от растояния. Получается когда светодиод в самом близком положение по отношению к фототранзистору, напряжение где то 1.8В.
Подскажите каким способо эту разниу усилить до 1В, используя райл ту райл операционый усилитель.

Заранее спасибо за ответ.

Странно. Когда на фототранзистор не падает свет, на его выходе должно быть 5В.


Чтобы увеличить усиление, достаточно увеличить R1. Поставьте, скажем, R1 = 1к.

да кстати, ошибся. когда свет в макс. удалёном положение то около 2. когда в макс близком 1.8


мне надо именно 1В получить, т.е. эту разницу в 200мВ (падение с 2В до 1.8В) увеличить до 1В.

Все равно это проще сделать без операционного усилителя.

Фототранзистор в первом приближении является источником тока.
* Когда свет в макс. удалёном положении, то напряжение на коллекторе равно 2В, падение напряжения на R1 равно 5В - 2В = 3В, а ток коллектора равен 3В / 0.2kОм = 15мА
* Когда свет в макс. близком положении, то напряжение на коллекторе равно 1.8В, падение напряжения на R1 равно 5В - 1.8В = 3.2В, а ток коллектора равен 3.2В / 0.2kОм = 16мА
* Изменение тока в 16мА - 15мА = 1мА должно создать на выходе изменение напряжения в 1В. Значит, сопротивление нагрузки фотодразнистора должно иметь величину R1 = 1В / 1мА = 1кОм.
* Однако ток коллектора в 15 мА высосет весь ток, какой может выдать R1. Значит, в коллектор фототранзистора надо загнать ток от какого-то источника тока, достаточно высокоомного, чтобы он своим внутренним сопротивлением не оказывал влияния на нагрузку фототранзистора - резистор R1. Это можно сделать, например, при помощи парочки малосигнальных PNP дряньзисторов и пары резисторов, как показано на схеме:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла


Величина тока задается резистором R3 и при 39 Омах составляет примерно 15 мА. На самом деле нужен источник тока величиной 12 мА, поскольку еще 3 мА выдаст резистор R1. Для точной настройки тока вместо R3 лучше использовать подстроечник величиной 47 Ом последовательно с резистором 22 Ома.

Спасибо вам большое. Но пока не могу попробовать такой вариант, потому что условие для начала получить 1В из такого подключения какое есть, с общим эмиттером.

Читайте Хоровица и Хилла. Раздел ОУ и обратная связь. Там об усилителе (инвертирующем и неинвертирующем) две страницы максимум. Если опустить все математические выкладки, то на полстранички оба типа усилителя расписаны.
Ну, на худой конец, почитайте википедию.

З.Ы. Я бы мог Вам тут всё это написать, естественно, но это очень просто. Этот путь Вам нужно самому пройти. У Вас там еще проблем хватит.

З.Ы.Ы. Удачи!

Вам не усилитель нужен, а триггер Шмитта(на тр-рах или на ОУ).

дело в том что я уже собрал на операционике и макетной плате не инвертирующий усилитель и только после этого появилась возможность померять сигнал. Когда же померил то впал в ступор Если простой сигнал, возростающий от нуля к примеру до 1В понятно как усилить, а как такой, не пойуму.


да кстати. я уже понял, по другому хорошое понимание происходящего не придёт.

Вы это о чем? Я не менял схему включения вашего фототранзистора, он остался включенным точно так же, как был, с общим эмиттером.



У вас входное напряжение 2В должно появиться на выходе тоже как 2В. Вот и сделайте 2В "виртуальной землей" (ВЗ). Входной сигнал меняется относительно ВЗ на -0.2В, выходной сигнал дожен меняться на -1В. Значит, классический неинвертирующий усилитель на ОУ, коэфф. усиления Ку=5, отношение резисторов в обратной связи должно быть 4:1. Теперь надо получить точку со смещением 2В. Делаем резистивный делитель, к 5В идет резистор R3=30 кОм, к земле идет резистор R4=20 кОм, а в точке их соединения получаем искомые 2В. К этой точке подключаем инвертирующий вход ОУ. Получилось, что "с точки зрения ОУ" его инв. вход поключили к ВЗ резистором 20*30(20+30) = 12 кОм. Теперь между выходом и инв. входом включаем резистор R5 = 12*4 = 48 кОм, чтобы получить Ку=5. Неинвертирующий вход подключаем к коллектору фототранзистора.