Уважаемый народ. Столкнулся вот с такой проблемой.
Есть ключ на p-MOSFET FDN306P. На истоке 4.2В, исток-затвор 10к резистор, затвор - земля 200 Ом резистор, на стоке GSM модем в пике 1.8А.
Судя по характеристикам FDN306P (RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V) падение напряжения сток - исток не должен превышать примерно 1,8 х 0,045 = 0,081 В.
Реально падает до 1 В. Сижу курю. Помогите плз кто чем может.