Уважаемый народ. Столкнулся вот с такой проблемой.
Есть ключ на p-MOSFET FDN306P. На истоке 4.2В, исток-затвор 10к резистор, затвор - земля 200 Ом резистор, на стоке GSM модем в пике 1.8А.
Судя по характеристикам FDN306P (RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = –4.5 V RDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = –2.5 V) падение напряжения сток - исток не должен превышать примерно 1,8 х 0,045 = 0,081 В.
Реально падает до 1 В. Сижу курю. Помогите плз кто чем может.

Зачем от нужен такой малый ... затвор - земля 200 Ом резистор. Да и схемку нарисовали бы полную, и кто управляет затвором.

Управляет контроллер, выход сконфигурирован как ОК. Для чистоты эксперимента затвор отключен от контроллера и посажен жестко на землю. А резистор для ограничения тока заряда-разряда емкости затвора полевика.

я для управления ставлю еще биполярник BC847, не жадничаю. Применяю разные IRLML6402, FDC633N, ... .Блокировочники против возбуда и затяга фронта. Использую схему OЭ или с общим истоком, "чтоб негудело". В сериях подтвердился мой выбор, также для SIM900 питание отключаю/включаю.

Да и вот еще что, погоняйте в симуляторе, вопросы отпадут.

Да чего тут гонять-то... Все вроде как кошерно
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

R3 с коллектора прям в затвор, можно её и до 1..10K увеличить. А так у вас делитель получается, не-до-открывается полевик, отсюда и падение 1 вольт на нем. Со стока и затвора на землю ставля конденсаторы, подбираю симулируя. За кошерностью прячуться тривиальные ошибки, все же лучше погонять и посмотреть времена нарастания, допуски, разбросы.

Если реально измеряете между стоком и истоком, то значит это не FDN306, а что-то другое.

Если реально измеряете в любых других местах, то причина в этом, а ключ ни при чём.

Таки причина в транзисторе. Причем в 4-х сразу. Наверное поставщик не то сунул. С IRLML6402 картина поменялась полностью.
Спасибо за участие.

Бывает такое, китайские наверное, подешевле были. Я давно такого не встречал уже, после того как с сертифицированными дисти работаем и тоже из китая.