реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3 >  
Reply to this topicStart new topic
> Старение IGBT в инверторе и изменения параметров, И не тольно IGBT, но и других елементов
Tiro
сообщение Aug 27 2013, 19:50
Сообщение #16


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 781
Регистрация: 3-10-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 768



Цитата(gte @ Aug 27 2013, 22:36) *
Какое то сомнительное обьяснение. Деградация от температуры у полупроводников должна сопровождаться изменением электрических параметров. Про "хрупкость" Вам тот инженер говорил?

Нет, сам пытал его зависимостью от температуры. Что слышал, то говорю. Каждые 5-6 градусов вверх снижают срок службы вдвое. Электрические параметры гарантируются при максимальных заявленных температурах в дейташите в течении срока службы, который, кстати, невелик.

Цитата(gte @ Aug 27 2013, 22:36) *
Деградация от температуры у полупроводников должна сопровождаться изменением электрических параметров.

Хорошо, затвор МОСФЕТ насколько полупроводник? Какие электрические параметры Вы хотите проверить?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexandrY
сообщение Aug 27 2013, 20:10
Сообщение #17


Ally
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050



Цитата(НЕХ @ Aug 27 2013, 22:08) *
про деградацию хорошо у Semikron расписано


На сайте Semikron ничего конкретного не нашел.
Но вот статейка от них довольно интересная.
Особенно там интересно утверждение, что увеличение потерь в следствии деградации это процесс с положительной обратной связью.
Значит очень быстрый.

Т.е. внешний наблюдатель либо вообще не видит плавного увеличения потерь за какое-то продолжительное время, например год.
Либо видит неожиданные выходы из строя.



Цитата(Tiro @ Aug 27 2013, 22:50) *
. Что слышал, то говорю. Каждые 5-6 градусов вверх снижают срок службы вдвое. Электрические параметры гарантируются при максимальных заявленных температурах в дейташите в течении срока службы, который, кстати, невелик.


Ну вы бы ссылку которую дали выше на IXYS посмотрели бы.
Там формула дана, гадать не надо. Называется это acceleration factor.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
gte
сообщение Aug 27 2013, 20:17
Сообщение #18


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 318
Регистрация: 13-02-05
Из: Липецкая область
Пользователь №: 2 613



Цитата(Tiro @ Aug 27 2013, 23:50) *
Нет, сам пытал его зависимостью от температуры. Что слышал, то говорю. Каждые 5-6 градусов вверх снижают срок службы вдвое.

Думаю, этот вопрос освещен, только не в той литературе. В литературе для технологов. Испытания всегда проводили при повышенной температуре и максимальных параметрах. Не ждать же 10 лет.
Но по опыту, правда советских времен, могу сказать, что производители по влиянию ниже предельных по какому то отдельному параметру могут ничего и не знать.
А те кто знает, из потребителей, не скажет.

Цитата
Хорошо, затвор МОСФЕТ насколько полупроводник? Какие электрические параметры Вы хотите проверить?

На треть - "П", например, емкость.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Tiro
сообщение Aug 27 2013, 20:33
Сообщение #19


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 781
Регистрация: 3-10-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 768



Цитата(AlexandrY @ Aug 27 2013, 23:10) *
Но вот статейка от них довольно интересная.
Особенно там интересно утверждение, что увеличение потерь в следствии деградации это процесс с положительной обратной связью.
Значит очень быстрый.

В статье в основном про циклический процесс разогрева-охлаждения, тут даже сталь сломается, не то что кремний.. Но полупроводник и от электрики сломаться может.

Цитата(AlexandrY @ Aug 27 2013, 23:10) *
Ну вы бы ссылку которую дали выше на IXYS посмотрели бы.

Вы бы еще цифры в таблицах посмотрели, AF = 1@125C и не парили мозг.

Цитата(gte @ Aug 27 2013, 23:17) *
Думаю, этот вопрос освещен, только не в той литературе. В литературе для технологов. Испытания всегда проводили при повышенной температуре и максимальных параметрах. Не ждать же 10 лет.

Но по опыту, правда советских времен, могу сказать, что производители по влиянию ниже предельных по какому то отдельному параметру могут ничего и не знать.
А те кто знает, из потребителей, не скажет.

На треть - "П", например, емкость.

Ошибаетесь насчет технологов и испытаний, испытания проводятся на пределе для максимально достоверного числа измерений для параллельной выборки. И ждут тысячи часов, причем чаще всего безрезультатно (нет отказов ни одного из параллельно испытываемого элемента).
По емкости будьте уверены, что параметры элемента будут в рамках дейташита до отказа. По ним отказ не предсказать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
gte
сообщение Aug 27 2013, 21:34
Сообщение #20


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 318
Регистрация: 13-02-05
Из: Липецкая область
Пользователь №: 2 613



Цитата(Tiro @ Aug 28 2013, 00:33) *
По емкости будьте уверены, что параметры элемента будут в рамках дейташита до отказа. По ним отказ не предсказать.

Тогда это влияние не диффузии, а старения диэлектрика, для которого главный фактор напряженность - напряжение.
И влияние резко нелинейное. Можно посмотреть данные по схожим диэлектрикам или использовать при 0,7 от испытательного напряжения.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Егоров
сообщение Aug 27 2013, 23:10
Сообщение #21


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 3 868
Регистрация: 15-03-13
Пользователь №: 76 048



Цитата(Tiro @ Aug 27 2013, 23:33) *
Ошибаетесь насчет технологов и испытаний, испытания проводятся на пределе для максимально достоверного числа измерений для параллельной выборки. И ждут тысячи часов, причем чаще всего безрезультатно (нет отказов ни одного из параллельно испытываемого элемента).

Угу, подтверждаю. Однажды встряли в такие испытания. 5 лет в подвале стояла установка, ответственная дивчина раз в неделю спускалась, осматривала 1000 шт и заносила в журнал. По мере испытаний и ресурс нам изготовители расширяли поэтапно.

Но это компоненты. Сложные изделия могут и по-другому немного.
Сделали 10 самолетов и налетали они по 2000 час. Вот сходит серийный и ему назначают 1000часов. Кончились 1000часов, а те первые налетали уже 3000х10=30000 час совокупного ресурса. Появилась статистика мелких поломок. Значит серийному продляют до 3000тыс или даже больше. Так, несколько первых всегда "летят впереди", наматывая опытный ресурс для серии сзади. Начали ломаться первые - ограничения по ресурсу и для серии окончательно назначают. А модели бывают живучие. Некоторые по 30-50 лет в лету. Планеры живут, начинка модернизируется.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
PrSt
сообщение Aug 28 2013, 02:36
Сообщение #22


http://uschema.com
****

Группа: Свой
Сообщений: 708
Регистрация: 16-02-06
Из: UK(Ukrainian_Kingdom) Kharkov
Пользователь №: 14 394



Цитата(AlexandrY @ Aug 27 2013, 17:42) *
Дело, как всегда, подходит к жестокому спору о терминологии.

Итак, что тогда вы называете отказом? Или наоборот, какие мнения о переводе термина Failure.

Мое мнение, что нет воздействующих факторов на параметры дивайса кроме тех, что перечислены в отчете IXYS по видам отказов.
А значит нет никакого практического старения в другом смысле чем у IXYS.

Я не буду настаивать на истенности именно моей трактовки терминологии, как я уже выше писал, ранее мне с этим не приходилось тесно сталкиваться, а по сему допускаю что где-то неверно выражаюсь, но с мысл думаю вы поняли.
А смысл в том, что, если к примеру есть значение наработки на отказ, то это не то что я ищу.
Мне нужно знать например как измениться емкость затвора, время открывания-закрывания, падение напряжения коллектор-эммитер и т д через к примеру 5 или 10 лет, то есть те самые величины которые можно просимулировать или попытаться воспроизвести на реальном устройстве.
При этом устройство должно быть также рабочим, но лишь с ушудшенными/улучшенными параметрами в целом. А так как это инвертор то это все прямолинейно отразится на эффективности.
Да, я прекрасно понимаю что это очень редкие данные, однако надеюсь что кто-то их встречал в силу опытности и большого кол-ва просмотренного материала.


--------------------
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexandrY
сообщение Aug 28 2013, 05:38
Сообщение #23


Ally
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050



Цитата(Tiro @ Aug 27 2013, 23:33) *
Вы бы еще цифры в таблицах посмотрели, AF = 1@125C и не парили мозг.


Цитировать надо точнее, уважаемый.
Там написано: Total Equivalent Device Hours @ 125°C {AF eq. (1)}

Это означает, что AF считали по формуле 1 а не то, что AF=1

Цитата(PrSt @ Aug 28 2013, 05:36) *
А смысл в том, что, если к примеру есть значение наработки на отказ, то это не то что я ищу.


Искать, конечно можно.

Но мне приходит в голову такая аналогия:

Вот стреляют дробью, перед этим метко прицеливаются (оружие считаем пристреляно, "просимулировано").
Дробь разлетается, на нее воздействует непредсказуемый ветер, состояние воздуха и т.д. В цель попадает какой-то процент.
И стрелку говорят: чтобы лучше попадать есть такая нужная коррекция на старение дроби, ну дескать изменение ее веса вследствие распада изотопов свинца и все такое.
Смешно, да?

Хотя в маркетинговом плане звучало бы привлекательно - "дробь с предкоррекцией траектории учитывающей старение"
Go to the top of the page
 
+Quote Post
gte
сообщение Aug 28 2013, 06:04
Сообщение #24


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 318
Регистрация: 13-02-05
Из: Липецкая область
Пользователь №: 2 613



Цитата(Tiro @ Aug 28 2013, 00:33) *
Ошибаетесь насчет технологов и испытаний, испытания проводятся на пределе для максимально достоверного числа измерений для параллельной выборки. И ждут тысячи часов, причем чаще всего безрезультатно (нет отказов ни одного из параллельно испытываемого элемента).

Это противоречит тому, что я написал?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
shf_05
сообщение Aug 28 2013, 08:22
Сообщение #25


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 143
Регистрация: 22-04-08
Из: г. Екатеринбург
Пользователь №: 36 992



Цитата(Егоров @ Aug 28 2013, 05:10) *
Но это компоненты. Сложные изделия могут и по-другому немного.
Сделали 10 самолетов и налетали они по 2000 час. ....

а ведь 10*2000 и 1*20000 ведь результат разный будет? если например через 20тыс. часов что-то где-то разваливается из-за усталости металла, а на 2тыс. усталость металла никак себя не проявляет ни в одном образце. так же и транзистор, если за год работы из 1000 шт. сгорело 1 шт. , то через 10 лет из 100 шт. может и 50 сгорят.
У нас применяют эквивалент 1000 шт за год как 10 шт. за 100 лет при подсчете работы аппаратуры без ложных действий (не отказов).
пс- кстати в одной из пдф видел примерно такую фразу - материал хороший, но новый и неиспытанный, посмотрим что будет через 10 лет.
ПСПС - есть стандарты MIL по расчету и прогнозированию подобных "старений" и множество литературы, из любопытства посмотрите книгу mil-hdbk-338b и http://documentation.renesas.com/doc/produ...liabilityhb.pdf
ну и массу в гугле practical reliability handbook
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexandrY
сообщение Aug 28 2013, 08:56
Сообщение #26


Ally
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050



Цитата(shf_05 @ Aug 28 2013, 11:22) *
из любопытства посмотрите книгу http://documentation.renesas.com/doc/produ...liabilityhb.pdf


Кстати тоже показательно.
Смотрим на Bathtub Curve (U-кривая надежности) где начинается период повышения процента отказов из-за износа (старения).
И там сказано, что этот период не входит в гарантируемое производителем время работы.( значит и в отчеты не входит и никто дальше не экспериментирует).

А до этого периода кривая снижается!
Т.е. при правильно выбранном ресурсе ни о какой плавной деградации речи быть не может.
А если она обнаружена значит превышен ресурс детали и тут уже коррекции не помогут потому что все идет в разнос.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
shf_05
сообщение Aug 28 2013, 09:56
Сообщение #27


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 143
Регистрация: 22-04-08
Из: г. Екатеринбург
Пользователь №: 36 992



вероятнее всего деградация происходит так - ПШШИК!
мощные npn транзисторы большой мощности советского пр-ва, вытащенные из коробочки отбраковываются моментально - или работает или горит за 5 минут, те, что не горят за 5 минут работают лет 5...10 уже.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
PrSt
сообщение Aug 28 2013, 13:46
Сообщение #28


http://uschema.com
****

Группа: Свой
Сообщений: 708
Регистрация: 16-02-06
Из: UK(Ukrainian_Kingdom) Kharkov
Пользователь №: 14 394



Цитата(shf_05 @ Aug 28 2013, 11:22) *
пс- кстати в одной из пдф видел примерно такую фразу - материал хороший, но новый и неиспытанный, посмотрим что будет через 10 лет.
ПСПС - есть стандарты MIL по расчету и прогнозированию подобных "старений" и множество литературы, из любопытства посмотрите книгу mil-hdbk-338b и http://documentation.renesas.com/doc/produ...liabilityhb.pdf
ну и массу в гугле practical reliability handbook

Во, вот это уще несколько ближе. На стр 115 нашел график степени диградации от кол-ва часов наработки, и как это влияет на смещение напряжения в MOS FET - "Figure 4.15 Supply Voltage (Drain Voltage) Dependency of Degradation"


--------------------
Go to the top of the page
 
+Quote Post
AlexandrY
сообщение Aug 28 2013, 18:31
Сообщение #29


Ally
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 6 232
Регистрация: 19-01-05
Пользователь №: 2 050



Цитата(PrSt @ Aug 28 2013, 16:46) *
Во, вот это уще несколько ближе. На стр 115 нашел график степени диградации от кол-ва часов наработки, и как это влияет на смещение напряжения в MOS FET - "Figure 4.15 Supply Voltage (Drain Voltage) Dependency of Degradation"


Назвать это старением будет трудновато. Там же уже через час была критическая деградация.
Просто форсированный износ на запредельных напряжениях.
Применить фактор акселерации к этим результатам тоже невозможно.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Tiro
сообщение Aug 28 2013, 21:14
Сообщение #30


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 781
Регистрация: 3-10-04
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 768



Цитата(AlexandrY @ Aug 28 2013, 08:38) *
Цитировать надо точнее, уважаемый.
Там написано: Total Equivalent Device Hours @ 125°C {AF eq. (1)}

Это означает, что AF считали по формуле 1 а не то, что AF=1


Из любви к точности:

AF=exp{Ea*[(T2-T1)/(T2*T1)]/k} (1)

Ea: activation energy;
@ HTRB Ea = 1.0 eV
@ HTGB Ea = 0.4 eV

k: Boltzmann’s constant 8.6*10^-5 eV/K
T1: abs. application junction temperature (273+Tj) K
T2: abs. test junction temperature (273+Tj) K

При T1=T2 получите AF=1

Цитата(gte @ Aug 28 2013, 09:04) *
Это противоречит тому, что я написал?

Технологи решают как сделать надежно из имеющихся компонентов, а не занимаются вопросами надежности. Возможно Вы имели в виду технологов полупроводников?
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th July 2025 - 07:45
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01536 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016