Спасибо! Уж очень красивые диаграммы у этого рупора. Интересно, как сохраняется осевая симметрия в диапазоне частот.

Профиль посмотреть не смог. Наверное разные версии программы(у меня 11-я).Но и из рисунка все понятно. Классный рупор.
Ваша модель?

Сообщение отредактировал UKvist - Aug 28 2013, 11:04

Уважаемые форумчане, подскажите пожалуйста как по этой формуле построить кривую, или фэйс. P=50/cos(t)-1.

Сейчас это один из лучших дизайнов гофрированного рупора, придуманный антенной группой из Наварры. Гуглите Navarra Corrugated Horn. Есть CAD-ы, которые считают и оптимизируют его в считанные секунды, а потом получается вот такой замечательный профиль для импорта в CST. Характеристики действительно получаются что надо, особенно при использовании в качестве узкополосного фида для антенны Кассегрена.

Спасибо большое за информацию, посмотрю конечно.

Подскажите пожалуйста, как в данном проекте правильно расположить порт и сосредоточенный элемент: нужно присвоить конденсатору, изображенному на рисунке емкость номиналом в 100 пф. Для этого я использовал сосредоточенный элемент и расположил его на задней грани этого конденсатора (на рисунке виден только край в левой части конденсатора). А сосредоточенный порт я расположил на передней грани этого конденсатора. Второй порт находится за проволоками (его не видно).
Хочу замерить S параметры этого конденсатора.



Сообщение отредактировал Stefan1 - Sep 20 2013, 12:10

А зачем порт на конденсаторе?
Порт подает и абсорбирует энергию. А в конденсаторе абсорбция только за счет потерь.
У конденсатора нет S-параметров как таковых (тем более, что он с сосредоточенными параметрами), они есть у схемы в которую он вставлен. Через конденсатор энергия ведь куда-то идет, вот и ставьте порт там.
Если конденсатор посажен на землю, то этот порт просто не нужен.

Сообщение отредактировал andreysar - Sep 22 2013, 10:56

Да, конденсатор посажен на землю. Можно поставить второй порт не на конденсаторе, а дальше - через проволоки идущие с верхней его обкладки на полоске (аналогично первому порту). Результат при этом не должен сильно измениться.
Хочу добиться, чтобы S параметры этого конденсатор сходились с реальностью, т.к. остаются вопросы с размерами рабочей области, сеткой и т.д. Затем буду усложнять расчет введением помимо него других элементов.
У меня в расчете S параметры получаются довольно не точными, например для mag S12 в зависимости от частоты, получается, как и следовало ожидать, спад по гиперболе с ростом частоты, но почему-то на него накладывается синусоида. С чем это может быть связано?
И еще: правильно ли так распологать сосредоточенный элемент (номинал самого конденсатора) - между гранью конденсатора и землей (по всей поверхности конденсатора сосредоточенный элемент здесь почему-то не получается задать)?

Сообщение отредактировал Stefan1 - Sep 23 2013, 09:26

Синусоида может получаться из-за переотражений от порта, который Вы зачем-то поставили в конденсаторе, и других неоднородностей, которые есть сзади на линии (хотя бы от первого порта, волновое сопротивление которого может не совпадать с волновым сопротивлением линии). Конденсатор (как он нарисован) уже является конденсатором со своей емкостью (и индуктивностью, если его размеры с учетом эпсилон подложки как-то соотносимы с длиной волны). А с точки зрения сосредоточенного порта, который Вы к нему присоединили - это широкая но короткая полосковая линия.
К сожалению непонятен масштаб относительно длины волны и ширины основной полосковой линии.

Сосредоточенный элемент на конденсаторе ставлю для того, чтобы задать его реальную емкость - 100 пФ (т.к. нарисовав конденсатор с его реальными размерами при толщине между его обкладками порядка 1 мкм - CST его не посчитает), а его размеры - 4х0,7 мм.
По поводу основного полоска - толщина диэлектрика - 2 мм, диэлектрическая проницаемость - 10, ширина металлизации - 1,9 мм. По расчету в TXline получается 50 Ом. Насчет длины полоска - я взял ее - 5 мм (при длине волны = 4,7 мм на 2 ГГц)?

Вот разварил проволки с конденсатора на другой борт, чтобы убрать порт с конденсатора:


Все равно при пересчете S параметров в эквивалентной схеме получаются 40, а не 100 пФ. Такая погрешность, как я понимаю, не может возникать из-за сетки и точности. Может сосредоточенный элемент так нельзя распологать или Waveguide port слишком большого размера? И на зависимость S параметров опять накладывается синусоида.
Также для подгона пробовал ввести у конденсатора диэлектрическую проницаемость - 1000, но почему-то при пересчете в эквивалентную схему результат также отличается от 100 пФ примерно на ту же величину.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Sep 25 2013, 09:59

Если бы длина волны была действительно 4,7 мм, то все как раз бы и было объяснимо: неоднородности в районе конденсатора порядка 5 мм (один порядок!!!). Но в действительности на 2 ГГц длина волны в десять раз больше (видимо просто вместо см написали мм), и неоднородности да и длина макета в целом получается что малы (ширина правда около 40 мм, ни и диэлектрика то мало).
Проверьте на всякий случай размерность длины (иногда по умолчанию дюймы стоят).

с сосредоточенными элементами дела не имел, нормально ничего не подскажу.

Либо это чисто счетная погрешность - тогда при изменении параметров счета и изменении сетки результат должен меняться, либо что-то в модели, тогда при изменении размеров и длин синусоида должна смещаться. Может быть что-то с материалами (должен быть металл, а стоит проводник), или ошибка при рисовании (лишний зазор, отсутствие контакта).

Я бы для начала вообще сильно упростил модель, раз пошли непонятные эффекты: убрал все и в "гольный" полосок "воткнул" сосредоточенную емкость, а потом снова стал усложнять модель.

Благодарю за советы, попробую в этих направлениях варьировать модель.
Хотелось бы уточнить еще один момент: у меня почему-то после окончания расчета при вычитании S параметров внешних полосков через "deembed S parameter" в разделе Results S-параметры вообще не меняются (в поле "dist to ref plane" относительно port указываю длину полоска со знаком минус), почему так?

Сообщение отредактировал Stefan1 - Sep 27 2013, 07:00

Всем доброго времени суток! Совсем запутался с CST точнее с отличием реальных измерений от результатов расчетов!

Вобщем дело было так:

1) Задача смоделировать микрополосковую антенную решетку мм диапазона длин волн. В результате задача решена с помощью CST, порт дискретный 50 Ом. Согласование в рабочей полосе частот 200 МГц не хуже минус 23 дБ, КСВН не более 1,5, реальный коэффициент усиления не хуже 25 дБ, уровень боковых лепестков не хуже минус 10 дБ, ширина ДН по уровню 0,5, 5х6 град. Короче говоря результаты приемлемые.
2) Собственно изготовливаю макет, припаиваю на вход отрезок СВЧ кабеля (RG405 с розенбергеровским разъемом 50 Ом, все держит до 40 ГГц) и снимаю характеристики. КСВН в рабочей полосе 2...2,4; КУ=20 дБ, ширина ДН 5х6 град, УБЛ на уровне минус 10 дБ.

Теперь собстсвенно сам вопрос: -где моя ошибка?

Куда пропали 5 дБ я догадываюсь, нет согласования в точке запитке антенны, смоделировал в CST уже запитку не дискретным портом, а волновым портом с использованием модели отрезка коаксиального кабеля, так расчет и показал примерно разницу в 5 дБ! Но почему такая разница при расчетах с использованием разных типов запитки, ведь топология антенны в точке запитке на теже 50 Ом расчитано? Раньше расчитывал подобные антенны но в 3 см диапазоне, все совпадало с реальностью, а тут такой промах? ... теперь никак не получается согласовать антенну на коаксиальный кабель в CST, резонанс скачет рядом, но ближе чем за 500 МГц не подходит, т.е топология нуждается в полной переработке, не помогают никакие согласующие трансформаторы, шаг решетки то уже не изменишь!

Сообщение отредактировал ДонСВЧан - Oct 5 2013, 17:15

Здравствуйте!

Я новичок в Microwave Studio, и у меня такая задача:
Падает плоская волна на систему, состоящую из диэлектрика и металла.
1. Необходимо найти коэффициент отражения от структуры в некотором диапазоне частот. (это я пытался делать через Frequency Domain Solver)
2. На определенной частоте получить распределение поля на одной из границ структуры. (это я пытался делать через Field Monitor)

Возникли следующие проблемы:
1. Пишет ошибку: Could not set up plane wave excitation due to inhomogeneous materials on the plane wave boundary. Да, на границе действительно различные материалы, но чем это мешает плоской волне? Я обложил всю структуру кубиками из вакуума, после чего эта ошибка исчезла, но в чем все-таки дело?
2. Пишет, что 2D monitors will not be recordered in frequency domain calculation, и действительно, нет никаких результатов в 2D Results, и даже в 1D никаких графиков, показывающих коэффициент отражения. В чем дело?

Решетка на диэлектрике?

Rogers 4003 - 0.508/0.017, в расчетах диэлектрическая проницаемость взята 3,55.

Сообщение отредактировал ДонСВЧан - Oct 9 2013, 18:20