не понятно, конкретный экземпляр микросхемы так работает или в схеме у меня что-то не то, но происходит следующее.
У этой микросхемы есть входы DELAB и DELCD для программирования задержек отдельно по замыкающей стойке моста и отдельно для размыкающей стойки.
Вход ADS соединен с землёй, таким образом задержка между включением-выключением каждой из стоек должна уменьшаться в 4 раза при увеличении нагрузки с хх до номинальной.
Однако в одной стойке задержка c изменением нагрузки меняется с 700nS до 200 nS, а в другой с 800 nS до 500nS.
Вот такой перекос. Это у всех микросхем ucc2895 так или у конкретного экземпляра?
Подбором сопротивлений на DELAB и DELCD удалось добиться изменения задержек по стойкам с изменением нагрузки :
700nS до 200 nS одной стойки и
в другой с 600 nS до 300nS.
Мне кажется это неправильно, сопротивления программирования задержек сильно разные, как поведёт себя изделие в серии не понятно.
Спасибо кто дочитал и вник в написанное.

Сообщение отредактировал SergCh - Sep 20 2013, 09:42

Какая точность резисторов? Кроме того, насколько я помню, схема ADS весьма чувствительна к помехам. Смотрите топологию ПП, попробуйте добавить на DelAB, DelCD где-то по 15пФ емкости.

Точность резисторов 5%, но более-менее одинаковая задержка получается при 12 и 17 кОм. Точность тут ни при чём.

Прошу несудить строго, давно это было. Резисторы кажется и получались разные ( это и естественно так-как для а-в и с-d условия zvs немного разные). Возможно там ещё и от токов зависит это время, я не помню схему 2895. Номиналы были поменьше, схемы нет под рукой. На 15 экземплярах прошедших через мои руки отклонений в задержках не наблюдал. Однажды настроив так и ставил. Правда это было лет 7-8 назад и были UCC3895 из Digikey-я. По поводу помех это верно замечено, там всё очень тщательно нада. Да и вообщем-то задержку я бы делал с запасом, лишнее время только понизит немного кпд, да и и только.

Вот только mosfet не слышат ваших заклинаний...

"The longer the ZVS dead-time, the more charge can be accumulated in the free-wheeling diode device, whatever its construction.
In the case of the free-wheeling diode being a MOSFET body-diode, the recovery can be labored and potentially hazardous to the device being recovered.
Dynamic avalanche may be seen at high rates of recovery that can result in catastrophic failure.
A parasitic bipolar junction transistor (BJT) within the MOSFET can be enabled and its lack of safe-operating-area and sufficient breakdown voltage can precede microscopic hot-spot induced failure within the MOSFET.
High temperature can aggravate the matter by increasing a stored charge, reducing the base-emitter voltage threshold of turn-on in the BJT, and/or reducing the thermal margins for the hot-spot formation process.
In general, the less time the output stage switch sees in a reverse current flow mode without being turned-on, the less stored charge can be accumulated in a free-wheeling diode of any form.
(Minority-carrier mechanisms being the least well behaved.)
For example, a MOSFET is just as conductive in its controlled majority-carrier channel during reverse main-terminal operating conditions as it is when the main-terminals are normally biased (forward current).
When so enabled it appears as two devices in parallel, a MOSFET and a diode.
The lower the resistance of the MOSFET, the more of the current is diverted from flowing through the diode.
In some situations the result of having the majority-carrier channel normally biased may be more than a simple current diversion and may sometimes also result in the physical distribution of charge within the MOSFET being more desirable when the majority-carrier current flows are active."

В них всё с точностью наоборот !

В номинальном режиме вряд ли лишняя задержка снизит КПД, а вот максимальный коэффициент заполнения жалко снижать, потому как нужно ещё на морозе минимальное входное напряжение отрабатывать.


Не могли бы вы пояснить мысль?
Одна из задумок в фазосдвигающем преобразователе, включение транзистров моста в то время когда ток через транзистор течёт в противоположном направлении, через диод.
Возможно что чем дольше через этот внутренний диод протекает ток, тем болший заряд накапливается в этом переходе. Но дальше что происходит ?
Транзистор включается при нуле напряжения, и что? Какие негативные последствия от большого мёртвого времени, которое предшествовало включению транзистора?
Можно на пальцах объяснить, желательно по русски?

В классическом фазнике максимальный коэффициент заполнения снижает дурной последовательный резонансный дроссель - так что я теперь обхожусь без него.

Дальше происходит - бабах, иногда.
Заряд может не рассосаться вовремя, тогда при переключении при росте напряжения на стоке от лавинообразного размножения носителей откроется паразитный биполярник и тут же умрет от вторичного теплового пробоя.
Недавно я это наглядно продемонстрировал тут, убив 400-рублевый ключ. Он был подключен с закороченными затвор-исток параллельно такому же ключу в фазнике. Он погиб, а фазник - работает. И это потому, что на затвор работящим ключам приходил открывающий потенциал.
Кроме этого демонстрировал картинку - при подаче напряжения на затвор, падение напряжения на паразитном диоде растёт - ток канала активно противодействует накоплению заряда неосновных носителей.

Зачем такие задержки? Эта микросхема "не любит" больших времён. Интересно её использовать на частотах (значительно) за 100кГц. Может быть поэтому и такие разбросы?


Что-то великоваты резисторы, уменьшить бы в несколько раз. Да и МОПов под такие задержки уже не найти, наверное. Пришлось бы ставить дополнительные конденсаторы параллельно сток-исток для правильной работы преобразователя с ZVS.

А может IGBT народ ставит ?
им то от мертвого времени не поплохеет...

Я же про микросхему говорю. Она не для IGBT проектировалась . Я так думаю А для частот ~500кГц.
И выпустили её уже давно, ещё в конце прошлого века, уже и МОПы другими стали. Сегодня бы такую, действительно, для IGBT. Так ведь нет. А может кто знает?

Интересно! А вот тут: http://www.ti.com/lit/ug/sluu109b/sluu109b.pdf вообще по выходам DELAB и DELCD разные номиналы резисторов стоят (слишком разные). Мы такого не делали. Надо подумать.

Источник 2 кВт, потому даже 100 кГц считаю великоватой. Может не прав, надо будет кпд посмотреть взависимости от частоты.
Дело в том, что на нагрузке 10% и меньше транзисторы выключаются довольно медленно, и даже при задержке в 700 nS наблюдается заметный всплеск тока при включении противоположного транзистора в стойке. Диапазон изменения задержки маловат, со всеми запасами получается гораздо меньше 4, обещанных в даташите.
Да, транзисторы SPW55N80, возможно тяжеловаты для такого источника.


Стойка АВ замыкающая, а CD размыкающая. Потому чисто теоретически задержка в АВ должна быть меньше, поскольку при переключении стойки АВ меньше энергии остаётся в обмотке рассеивания для поддержания условий переключения в нуле.
Я так думаю.

На низких напряжениях мы пробовали irf4910 кажется, вообще слоны... Ни разу не словили к.з.. А вот на высоких напряжениях надо CFD (Infineon) ставить с быстрыми body диодами.
Хотя конечно проблемма с failure FSHFB по моему до конца не решена...

Стойки моста работают совершенно по-разному. В этой модельке ФАЗНИКА правая стойка работает в режиме ШИМ (мёртвое время несколько микросекунд), у левой - 0,6мкС.

С ucc2895 я сам не работал (извините если ответил не по теме).

Сетевой источник 1,6кВт частота 100-110кгц. Разрабатывали уже давно (2004-2006 начинали ещё на UCC2875), но не я им занимался.
Ну при 10% (это уже разрывные токи) там другие процессы портят картину, а ZVS обычно делают до ~50%, ниже уже мало выгоды. Правда остаётся вопрос помехи.
С таким диапазоном надо смириться и под него считать уровень перехода в разрывные. Я так думаю.


Не очевидно. Нужно помоделировать.