Всё получается. Почитайте мануал внимательнее. Если опять не получится, выложите схему или её часть, которую включаете в экстракцию.

Мне кажется, идеально организовать землю в EM структуре сразу при экстракции топологии математической модели невозможно. EM-анализ как раз и предполагает, что вы будете учитывать заземление через переходные отверстия в плате или боковую металлизацию на торце структуры (например, с помощью GND порта в AXIEM или Analyst 3D).
Как запустить Via Port в EMSight-симуляторе я так и не разобрался (да и не пользуюсь я этим симулятором давно). Мне кажется Via Port Вам будет не очень полезен. Проще сделать переходные отверстия к земляному слою платы, как и предполагается в реальной плате.


Спасибо за пример! Всё хорошо работает. Как-то не возникало необходимости делать раньше экстракцию переходных отверстий. Всё дорабатывалось уже в EM-редакторе. Но будем знать, в принципе полезная вещь.

Здравствуйте! Подскажите пожалуйста: как можно рассчитать импеданс платы относительно земли при подключении к одному из портов 50 омной линии исходя из ее измеренных значений S параметров (плата подключалась к анализатору цепей с двух ее портов)? Есть S параметры платы S11, S12, S21 и S22, записанные в одном файле. Плата представляет собой НЧ фильтр и имеет вид микрополосковой линии с подключенными к ней отрезками полосков в разных местах платы. На входе и выходе платы стоят порты. Сначала я перевожу S параметры в Z параметры, а затем из этих Z параметров надо как то выразить импеданс платы со стороны первого порта при подключении 50-ти ом к ее второму порту. Оптимизация этих S параметров для нарисованного в AWR фильтра с похожей топологией дает почему то очень не точный результат (частоты - 3 ГГц).




Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 18 2013, 11:01

Каскадное включение четырехполюсников (двухпортовых устройств), последний из которых (линияс Z = 50 Ом) вырождается в двухполюсник (однопортовое устройство). Фельдштейн и Явич в помощь (Синтез 4-х- и 8-миполюсников на СВЧ).
P. S. Или причём здесь MWO?

Схема включения, как у вас на рисунке. Предположим Вам надо измерить импеданс "платы" со стороны первого порта при подключенной нагрузке 50 Ом ко второму порту. Находите в измерениях группу Linear и там в корне есть метод ZIN. Указываете первый порт и выбираете вашу схему в "Data Source Name". В поле "Complex Modifier" выбираете тип представляемых данных и нажимаете Ok или Apply. Так же можно измерять импедансы маркером прямо на диаграмме Смитта при измерении S11. Аналогично с Z-параметрами и т.д.

А Вы в какой опорной плоскости измеряете эти S-параметры?

Сообщение отредактировал MePavel - Nov 18 2013, 17:20

Не очень понятно, что значит подключить 50 омную линию к одному из портов. Линию подключить нельзя, можно подключить отрезок линии. Собственно сам порт и преставляет собой примерно такую линию. В таком случае входной импеданс с 50-омной нагрузкой можно определить двумя способами. Использовать измеряемую величину ZIN. Или более сложно, определив выходное уравнение для входного сопротивления, используя элементы матрицы ABCD по формуле Маттея. Во вложенном файле результаты этих способов несколько отличаются, очевидно потому, что линия не совсем 50 омная. При этом не имеет значения, использовать схему отрезка линии, или схему с включённым в неё файлом данных в качестве подсхемы.
p.s. Кстати, вовсе не обязательно переводить s-параметры в z-параметры.

Отрезок будет резонатором в случае рассогласования на стыке или просто отражателем с перенесенной фазовой плоскостью отражения в случае согласования на стыке. Видимо, имеется в виду пулубесконечная линия передачи, которую в данном случае можно просто заменить на Z = 50 Ом.

Извините, не понял почему результаты отличаются? Мы же считаем одну и ту же величину - импеданс входа!

Нашёл ошибку. В формулах должны стоять комплексные величины коэффициентов, а не их абсолютные значения.

Сообщение отредактировал MePavel - Nov 18 2013, 17:48

Вы правы.

Имеете ввиду, если эту схему описать Z параметрами? Но я их прописал в output equation, и как их связать с новой схемой - непонятно.
Если же считаю ZIN через прописанные в output equation Z параметры - получается ерунда (возможно в уравнениях ошибки которые я не понимаю). На счет маркера на диаграмме Смита - это же получается комплексный S11, а не импеданс. Для схемы, описываемой S параметрами, ZIN получается таким:



при этом S параметры в Microwav сходятся с показаниями анализатора цепей:



Плата представляет собой внешние цепи согласования транзистора на 50 Ом. Порты подключаю к плате с двух сторон: со стороны вывода транзистора и со стороны 50-ти омной линии.

Файл этот - MLIN у меня не открывается , т.к. у меня версия AWR 2010 года. Если можно сохраните проект в данной версии - хотелось бы посмотреть на уравнения. И почему не обязательно переводить S параметры в Z?

Ну да, можно заменить на 50 Ом. 50-ти омная линия: коаксиальный кабель + нагрузка.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 19 2013, 09:02

Выкладываю в 9-ой версии, но не свой, а тот, что выложил MePavel. Он точнее.
Переводить s-параметры в z-параметры не обязятельно потому, что и ZIN, и уравнение можно создавать непосредственно из s-параметров.

Думаю, что пользоваться output equation Вам совсем необязательно. Намного проще использовать готовую функцию ZIN.

Совершенно верно. Для того, чтобы маркер переводил комплексный S11 в импеданс нужно зайти в свойства диаграммы (правой кнопкой мыши на графике Properties). Там найти вкладку Markers. В поле “Z or Y display” выбрать радиокнопку «Denormalized to» и указать значение импеданса порта. В поле «Display Type» должен быть выбран «Impedance». Формат представления комплексных чисел выбрать по вкусу. См. рисунок.




Судя по всему вы измерили S-параметры вместе с коаксиальными кабелями и коаксиально-полосковыми переходами, соединяющие векторный анализатор цепей с Вашей платой. Всё это надо исключать из рассмотрения, а то импеданс измерять так бессмысленно, как мне думается.


Вообще таким методом снять S-параметры именно того чего надо, достаточно сложно. Но это уже другая тема.

У меня тоже AWR 2010. Попробую сохранить в формате более ранних версий.

Вообще пассивный порт в MWO представляет собой просто 50-ти омный (или иной) резистор, если рассматривать как нагрузку. Откуда там линия взялась не очень понимаю.

Да, так и измерял)

Исключение паразитных элементов, как я понимаю, надо проводить путем измерения коаксиального кабеля с портами и дээмбидингом их S параметров из S параметров всей системы? Здесь скорее всего полно подводных камней, существует ли литература на данную тему?

Спасибо за файл, evgdmi и MePavel. Но вот что-то я здесь не пойму: до этого Вы писали, что в формулах должны стоять комплексные величины коэффициентов, а не их абсолютные значения, а здесь в output equation Zin определяется через абсолютные значения.

Сообщение отредактировал Stefan1 - Nov 20 2013, 10:22

Щёлкните правой кнопкой мышки по одному из уравнений для ABCD, например по ABCD11=Schematic 1:ABCD(1,1) и выберите Properties. Откроется окно Modify Measurement Eguation и Вы увидете, что это комплексные значения.

Совершенно верно!

Я думаю, что руководство пользователя векторного анализатора. ) Разумеется нужны калибровочные меры (калибровочный набор). Количество "подводных камней" зависит от требуемой точности и частоты. Но это уже другая тема. Хотя может есть, кто управлял VNA прямо из AWR и делал процедуру деэмбединга в нём же. Интересно было бы почитать про это.

В output equation только конечный результат Zin по модулю, остальные коэффициенты ABCDx комплексные.

Сообщение отредактировал MePavel - Nov 20 2013, 16:56