реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V   1 2 3 >  
Reply to this topicStart new topic
> Ищется микросхема защиты GaN СВЧ транзистора от пропадания минуса на затворе, есть ли такие в природе?
Boriskae
сообщение Dec 4 2013, 12:40
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 44
Регистрация: 23-11-08
Из: Москва
Пользователь №: 41 893



Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ritkostar
сообщение Dec 4 2013, 13:10
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 18
Регистрация: 12-02-08
Из: Sofia, Bulgaria
Пользователь №: 34 968



Цитата(Boriskae @ Dec 4 2013, 14:40) *
Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?


http://parametric.linear.com/GaAsFET_Bias_Generators

.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Boriskae
сообщение Dec 4 2013, 13:18
Сообщение #3


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 44
Регистрация: 23-11-08
Из: Москва
Пользователь №: 41 893



Цитата(ritkostar @ Dec 4 2013, 17:10) *

Вы меня не совсем правильно поняли, мне не нужен dc/dc конвертер, мне нужен драйвер, который будет отрубать питание транзистора при отсутствии минуса на затворе.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
RFF-11
сообщение Dec 4 2013, 13:31
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 137
Регистрация: 8-05-06
Пользователь №: 16 882



Цитата(Boriskae @ Dec 4 2013, 16:40) *
Ищется микросхема, которая могла бы при пропадании минуса на затворе GaN СВЧ транзистора разрывать питание стока. На рассыпухе городить меньше охота, может есть готовые решения?


Посмотрите на эти, может быть подойдут

HMC920LP5E,HMC980LP5E Hittite


X9470 XICOR

MAX881R

Go to the top of the page
 
+Quote Post
ritkostar
сообщение Dec 4 2013, 13:47
Сообщение #5


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 18
Регистрация: 12-02-08
Из: Sofia, Bulgaria
Пользователь №: 34 968



Цитата(Boriskae @ Dec 4 2013, 15:18) *
Вы меня не совсем правильно поняли, мне не нужен dc/dc конвертер, мне нужен драйвер, который будет отрубать питание транзистора при отсутствии минуса на затворе.


Я ползовался LTC1261. У нее специальный вывод есть REG, который управляет мощный PMOSFET в дрейне GaNi при потерe регуляции.
Максимальное напряжение на REG 12V - нужен дополнительной транзистор для управления PMOS-a.

.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Boriskae
сообщение Dec 5 2013, 10:11
Сообщение #6


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 44
Регистрация: 23-11-08
Из: Москва
Пользователь №: 41 893



К сожалению все вышеперечисленные варианты не подходят, т.к. напряжение питания стока +50 В. А на затвор для наших целей надо -6 В. И желательно всё в одной микросхеме, ну максимум один дополнительный полевик. Но приведённые микросхемы интересные, спасибо за советы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Dec 5 2013, 19:03
Сообщение #7


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Boriskae @ Dec 5 2013, 14:11) *
К сожалению все вышеперечисленные варианты не подходят, т.к. напряжение питания стока +50 В.

Почему же не подходят? В LTC1261 максимальное напряжение питания 9 В. В режиме Tripler Mode соответственно можно получить до 17-18 вольт отрицательных напряжений. Разумно стабилизированные отрицательные минус 9 вольт вроде как тоже не проблема (см. datasheet ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ->Output Voltage). Итого одна микросхема и один DMOS-ключ. Всё как Вам и надо.

Сообщение отредактировал MePavel - Dec 5 2013, 19:04
Go to the top of the page
 
+Quote Post
serega_sh____
сообщение Dec 6 2013, 06:13
Сообщение #8


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 578
Регистрация: 27-06-08
Из: с Урала
Пользователь №: 38 578



А если воспользоваться рекомендованой схемой
Чем такая не устраивает?
Кстати: микросхема уже ранее рекомендовалась вам wink.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
eugene1
сообщение Dec 6 2013, 06:52
Сообщение #9


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 149
Регистрация: 16-11-05
Из: Санкт-Петербург, Россия
Пользователь №: 10 933



Вот готовое решение. Проверено, всё надёжно работает. Решает сразу несколько проблем - генерацию минуса на затворе, формирование последовательности затвор-сток, защиту от пропадания всего чего угодно, плавный запуск при ограничении на потребляемый ток при старте.
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  AN_Bias_50V.pdf ( 717.95 килобайт ) Кол-во скачиваний: 152
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Boriskae
сообщение Dec 6 2013, 10:07
Сообщение #10


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 44
Регистрация: 23-11-08
Из: Москва
Пользователь №: 41 893



Цитата(MePavel @ Dec 5 2013, 23:03) *
Почему же не подходят? В LTC1261 максимальное напряжение питания 9 В. В режиме Tripler Mode соответственно можно получить до 17-18 вольт отрицательных напряжений. Разумно стабилизированные отрицательные минус 9 вольт вроде как тоже не проблема (см. datasheet ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ->Output Voltage). Итого одна микросхема и один DMOS-ключ. Всё как Вам и надо.

Да, но максимальное напряжение на REG +12 В. На сколько я понимаю одного полевика и этой микросхемы не хватит, чтобы открвать/закрывать сток СВЧ транзистора. А по остальным очень интересные решения, но к сожалению требуют много места (как минимум 2 дополнительных каскада). Изначально предполагалось, что есть микросхемы со встроенным ключом, не требующие внешних полевиков. Думаю, что остановлюсь на LTC1261 или MAX881R, если не найду ничего интереснее.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zheka
сообщение Dec 6 2013, 14:15
Сообщение #11


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 2 072
Регистрация: 14-01-06
Пользователь №: 13 164



.................

Сообщение отредактировал zheka - Dec 6 2013, 19:50
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Dec 6 2013, 14:37
Сообщение #12


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(Boriskae @ Dec 6 2013, 14:07) *
Да, но максимальное напряжение на REG +12 В. На сколько я понимаю одного полевика и этой микросхемы не хватит, чтобы открвать/закрывать сток СВЧ транзистора.

Ничего страшного, что на выводе REG может быть максимум +12 В. Последовательно с выходом REG просто включается маломощный стабилитрон с напряжением стабилизации 40-42 В плюс резистор где-то 1 к. Затвор-исток внешнего полевика шунтируется параллельной связкой - резистор 5-10 к || стабилитрон 12 В.
Конечно лучше вместо стабилитрона на 40-42 В использовать маломощный NPN биполярный транзистор включенный по схеме с ОБ. База заводится на источник питания 7-9 В, который питает LTC1261. Эмиттер связывается с выходом REG через резистор 3.3к. Коллектор подключается к затвору внешнего полевика. В общем элементов минимум.
Тут меня больше интересует вопрос каковы требования к пульсациям напряжения смещения GaN-транзистора?
Считаю, что с этой точки зрения микросхема LTC1261 не очень продуманна. Додумались соединить выход сигнала ООС с входом компаратора, который должен отдельно отслеживать напряжение на затворе! Таким образом, если захочется поставить приличный ФНЧ на смещение, чтобы хорошо сгладить пульсации, то нормально отслеживать напряжение на затворе без больших задержек не получится.
Цитата(Boriskae @ Dec 6 2013, 14:07) *
А по остальным очень интересные решения, но к сожалению требуют много места (как минимум 2 дополнительных каскада). Изначально предполагалось, что есть микросхемы со встроенным ключом, не требующие внешних полевиков. Думаю, что остановлюсь на LTC1261 или MAX881R, если не найду ничего интереснее.

Очень сомневаюсь, что Вы найдете микросхему со встроенным мощным ключом, да ещё и рассчитанным на высокие напряжения. Технологически на одном кристалле совместить хорошую аналоговую, "цифровую" и силовую часть весьма непросто.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Boriskae
сообщение Dec 7 2013, 08:11
Сообщение #13


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 44
Регистрация: 23-11-08
Из: Москва
Пользователь №: 41 893



Цитата(MePavel @ Dec 6 2013, 18:37) *
Ничего страшного, что на выводе REG может быть максимум +12 В. Последовательно с выходом REG просто включается маломощный стабилитрон с напряжением стабилизации 40-42 В плюс резистор где-то 1 к. Затвор-исток внешнего полевика шунтируется параллельной связкой - резистор 5-10 к || стабилитрон 12 В.
Конечно лучше вместо стабилитрона на 40-42 В использовать маломощный NPN биполярный транзистор включенный по схеме с ОБ. База заводится на источник питания 7-9 В, который питает LTC1261. Эмиттер связывается с выходом REG через резистор 3.3к. Коллектор подключается к затвору внешнего полевика. В общем элементов минимум.
Тут меня больше интересует вопрос каковы требования к пульсациям напряжения смещения GaN-транзистора?
Считаю, что с этой точки зрения микросхема LTC1261 не очень продуманна. Додумались соединить выход сигнала ООС с входом компаратора, который должен отдельно отслеживать напряжение на затворе! Таким образом, если захочется поставить приличный ФНЧ на смещение, чтобы хорошо сгладить пульсации, то нормально отслеживать напряжение на затворе без больших задержек не получится.

Очень сомневаюсь, что Вы найдете микросхему со встроенным мощным ключом, да ещё и рассчитанным на высокие напряжения. Технологически на одном кристалле совместить хорошую аналоговую, "цифровую" и силовую часть весьма непросто.

Да, пульсации критичны, поэтому всё-таки думаю оказаться от микросхемы со встроенным источником минуса. Думаю брать хороший минус от БП модуля, и делать защиту на рассыпухе(места нужно будет не больше, чем с микросхемой).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Berez
сообщение Dec 7 2013, 09:46
Сообщение #14





Группа: Новичок
Сообщений: 7
Регистрация: 20-09-13
Пользователь №: 78 416



Берёте IPS521G.
НО! этот кристалл позволяет инвертировать упр. сигналы, т.е. можно подавать -5 на Logik GND и 0 в на вход управления (IN). Всё работает, инфа 100%. Сам всё время ставлю на защиту по питанию, только не дал GaN (ещё с ними не работал), а для AsGa. Выключаю усилитель просто выдёргивая минус с БП! Ни разу не дала осечки, все усилители живы-здоровы.
Единственное - это относительно невысокое быстродействие, рекомендую на минус ставить через диод конденсатор, чтобы он попридержал минус на затворе пока ключ сработает (100 мкс).
Go to the top of the page
 
+Quote Post
rloc
сообщение Dec 7 2013, 10:54
Сообщение #15


Узкополосный широкополосник
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 316
Регистрация: 13-12-04
Из: Moscow
Пользователь №: 1 462



Вот еще один вариант прикинул


Прикрепленное изображение
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V   1 2 3 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 18th July 2025 - 05:14
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01599 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016