Транзистор даже теоретически не смог бы работать на паспортном максимуме тока, а разброс отсечки на порядки превышает механические допуски, так что, если решать задачу первоначально обсуждаемым в теме способом, шансов выгореть на столько же больше.

Мы, по-видимому, о разных вещах пишем. Вообще у транзистора есть область безопасной работы (ОБР), как бы не банально звучало... ОБР бывает статической и динамической, и её граница, вообще говоря, зависит от температуры корпуса. Граница ОБР - это зависимость тока стока от напряжения сток-исток. И работать на этой границе транзистор обязан не то что теоретически, но и практически. И даже чуть превышать можно эти границы, просто время безотказной работы уменьшится.

Не совсем понятно, что за отсечка и о каких механических допусках идёт речь?

Например, у CGHV22100 отсечка –3,05 В ±25%, а корпус 10,16 мм ±1,3%.

И чем это мешает сделать защиту по уровню напряжения смещения? Для того и подстроечный резистор, включённый по схеме потенциометра, предусмотрен. Им как раз и устанавливается нужное напряжение смещения. А порог срабатывания задаётся жёстко и отсчитывается от напряжения на неподвижных выводах потенциометра.
А вот простое ограничение тока не может учесть максимально допустимую рассеиваемую мощность Pmax (особенно при работе с сигналом), и тем более её зависимость от температуры корпуса. Можно лишь ограничиться по максимально допустимому постоянному току стока, но при этом мы с гарантированным запасом вылетаем за Pmax. Так что смысла в этом я не вижу вообще. Просто сильное усложнение схемы с сильноточными токовыми детекторами и т.п.
Единственное спасение - сделать защиту, запрещающей подачу напряжения сток-исток, если напряжение затвор-исток выходит за допустимые пределы. Это и имел ввиду автор темы.
P.S. Странное сравнение. Это всё равно, что отклонение абсолютной температуры в процентах выражать. Кстати, для напряжения отсечки ±25% - это очень хороший показатель.

Подстроечный резистор в цепи защиты — нонсенс, и о простом, т.е. без учёта температуры, ограничении тока я не говорил, но я не специалист в данном разделе, и если Вы и другие утверждаете, что этого достаточно, то гораздо проще коммутировать исток, т.е. каскод.

Немного странное утверждение. Но я вообще и не предлагал использовать подстроечный резистор для установки порога защиты. Подстроечным резистором устанавливают требуемое смещение GaN транзистора.
Хотя, вообще говоря, и смещение можно задавать с помощью подборного резистивного делителя напряжения.

Температура корпуса вообще мало о чём говорит. А чтобы учесть температуру канала нужно делать как минимум сложные вычисления, в которых должны фигурировать косвенные измерения рассеиваемой мощности на транзисторе (особенно под СВЧ сигналом).

Не знаю как Вы проще собираетесь коммутировать ток истока у мощного СВЧ транзистора, у которого фланец, т.е. этот самый "исток" намертво прикручивается к тепло- и электропроводящему основанию, являющегося одновременно общей (земляной) шиной для питания и согласующих цепей.

Повторю, я не в курсе темы, но точно не экономил бы на спичках, а тем более не оказался в таком цейтноте, как дефицит места при таких чушках теплоотводов, цене комплектующих и т.п. Про россыпь автор вообще рассмешил — в каждом первом мобильнике её до сих пор сотни.

Я бы остановился на принципах работы схемы смещения GaN HEMT от NXP http://www.nxp.com/documents/application_note/AN11130.pdf (о ней уже упоминалось посте #9). Если прочитать внимательно статью, то можно найти в ней много нюансов, касающихся физики работы GaN HEMT, включая эффекты памяти и большие постоянные токи затвора при саморазогреве кристалла. Как раз всё то, на что я напоролся при первом знакомстве с этими транзисторами. Помимо того, что приведённая в статье схема позволяет максимально уменьшить вышеназванные неприятные эффекты, она решает следующие задачи:
- безопасная и стабильная работа транзистора на участках нарастания и спада напряжения питания (сток-исток) (в эти моменты транзистор закрыт);
- защита по превышению максимально-допустимого постоянного тока стока;
- защита от пропадания отрицательного смещения;
- температурная компенсация напряжения входного смещения с целью поддержания стабильного тока смещения стока.
Считаю в схеме преимуществом отсутствие дополнительного источника отрицательного напряжения. При этом заявленные пульсации напряжения на выходе затворного смещения менее 2 мВ.
Таким образом, я бы разрабатывал собственную схему смещения GaN HEMT основываясь на опыте коллег из NXP с учётом наличия доступных (разрешёных) радиоэлектронных компонентов.

Этого там нет, непосредственно на затвор никто не смотрит.

И исходя из "NPN-MOSFET", "NPN-термометр" и пр., схему явно делал студент, скорее всего смартфоном на бегу, так что да — глянуть раз, а сделать заново.

Как же нет?! Встроенный в микросхему U1 (LTC1261CS8-4) аналоговый компаратор напряжения отслеживает достижение 95% уровня отрицательного смещения относительо номинального значения. Выход REG U1 посылает команду открывания/закрывания мощного ключа на вход микросхеме-драйверу U2 (LT4256-1CS8). Таким образом, если отрицательное напряжение смещения снизится на более чем 5%, то произойдёт отключение питания стока GaN HEMT. Вот и защита от пропадания "минуса" на затворе, причём очень чувствительная.

Если честно не понял, что не так в "NPN-MOSFET" и "NPN-термометр"? А в остальном схема копирует даташитные включения микросхем. Так что и насчёт студента не совсем понятно. Классическая схемотехника. Единственно, что не очень привлекает, так это использование очень специализированных микросхем, которые ещё надо доставать. Поэтому на легкодопуступных отечественных комплектующих придётся проектировать совсем другую схему.

Нет, потому что к затвору подключён только выход ОУ и ничего более.


У меня LT много лет рабочая лошадь, которая просто покупается наравне со всем остальным, а отечественные компоненты неизвестны, бесценны, а потому не продаются и не покупаются.