А, речь про CPLD. Тогда да, пожалуй.

Да и в FPGA c флеш-памятью, например LatticeXP, LatticeXP2, MAX-V, и т.п. такой возможности нету. Там можно переписать user flash, TAG, т.п., но никак не конфигурацию.

такая возможность есть в LatticeXP2 - SSPIA порт/примитив, мы ей пользуемся, очень полезно.
по-моему и в MachXO2 тоже можно (ну из-за малого размера на практике снаружи должен быть какой-то контроллер, но теоретически возможно)

Спасибо, не знал

Но, все равно, в CPLD этой возможности нет.

В случае с моей катушкой - действительно происходила наводка команды на стирание и стиралась страница.

Но! Есть дисер Ферсенко М.В. из ЦНИРТИ, в котором показана аппаратура для уничтожения информации во флэш памяти путём облучения электромагнитным полем мощностью менее 1мкДж в течении 1мС. На эту тему им выполнен ряд НИОКР ещё 7 лет назад.

а принцип или какие-либо детали можете описать? а то и рентгеновское излучение, самое что ни на есть, электромагнитное поле

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Уничтожение информации на полупроводниковом носителе электромагнитным полем при энергиях импульса не менее 2,2-10—5 Дж с использованием туннельного пробоя без деструкции транзисторной структуры.

2. Использование магнитного поля с длительностью импульса более 1 мс, обеспечивает максимальную передачу энергии внутрь полупроводниковой структуры с учетом ослабления магнитного поля за счет скин-эффекта.

3. Разрушение транзистора за счет нагрева возможно даже при малых значениях электрического поля, при многократном импульсном облучении. Создаваемое электрическое поле, с величиной определяемой крутизной (или скоростью) вызывает изменение магнитного поля.

4. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством многократного облучения электромагнитными импульсами обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.

5. Учет и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством программного стирания информации непосредственно с микросхемы памяти с последующим воздействием на флеш носитель высоким напряжением обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.

6. Использование полеобразующей системы состоящей из шести жестко связанных контуров и оптимизация конструкции устройства стирания информации на флеш носителе посредством воздействия переменным магнитным полем обеспечивает надежное стирание информации без возможности ее восстановления.

7. Применение разработанных способов построения систем управления, регистрации и контроля технических характеристик прибора, обеспечивают высокую точность измерения параметров для надежного стирания информации.

8. Комбинация способов внешнего воздействия, оптимизированная и реализованная в макете прибора, обеспечивает гарантированное уничтожение информации с носителей, в основе которых лежат полупроводниковые элементы (флеш память).