Я такого не предлагал, но, будучи наслышан о кротовых норах в пространственно-временном континууме, и прочем подобном, допускаю, что Вы сможете уговорить практически любой NTC стать источником тока 3 А.

))))
конечно же я имел ввиду не прямую аналогичную замену NTC.

изучаю ваши материалы, спасибо.
я имею ввиду конечно управление по цепям ЗИ, но движение электронов в N канальном транзисторе от стока к истоку и шунтирование обратного диода "открытым" каналом, насколько хуже будет его эффективность, чем при правильном включении транзистора.
это я к чему - если Rdson вырастет и не даст выигрыш по теплу, тогда уберу МОП и ставлю диод.

пс- поступило предложение включить МОП в "+" провод, и при этом сделать схему управления "положительнее" чем "+" питания, буду весьма благодарен, если посоветуете максимально простое надежное решение.

Самому было бы интересно увидеть такое решение, причем "простое и надежное", но кроме появления дополнительных источников для питания затвора другого пока не вижу. Применение Р-канальных МОП ограничено их малым напряжением С-И.

есть высоковольтные, но Rdson велико.


вот этот источник то и хотелось бы...

И я, конечно же, не имел ввиду, что Вы имели ввиду это, а имел ввиду то, что Вы всё ещё имеете ввиду решить задачу одной-двумя чудо-деталями, вроде термоядерной одноатомной батарейки и прочей большой политики.

Простое - вот:
http://www.infineon.com/dgdl/Reverse-Bater...22615&ack=t
А надежное - реле.

Так с такого же топик начался

Спасибо

Ну так ТС же не хочет моделировать, поэтому занимаемся перестановкой одних и тех же деталей на схеме. Вот на Fig. 3 N-канальный полевой транзистор в плюсовой цепи. Если правильно подключить конденсатор к затвору, может быть даже будет работать.

В той области ВАХ, которая интересна ТС, открытый канал МОП-транзистора это резистор. Сопротивление резистора не зависит от направления протекающего через него тока.

напротив моделирую.
посоветуйте как учесть нагрев транзистора, никогда не делал тепловой анализ в QrCad или TinaTI, получится ли учесть в модели нагрев транзистора под воздействием тока?
примерно так как инфенион и хочется сделать.
возьму пока паузу поработаю с материалом...

У Вас же ток постоянный - можно просто на калькуляторе посчитать.
Один из вариантов формулы, аппроксимирующей зависимость Rdson от тем-ры, здесь:
http://www.fairchildsemi.com/an/AN/AN-9010.pdf

Это ж только от переполюсовки. На 110 В напрямую не пойдет (даже моделировать не стоит). Ещё подумать нужно
Да и главная то проблема - OVP!

это да, а может ли PSpice и подобное ПО смоделировать рост температуры компонентов и уход их параметров в зависимости от режима работы элементов в схеме?, может вопрос глупо звучит, но ни разу сам не пробовал


я понял, что предлагают только принцип, а не копирование этого конкретного решения.

Temperature (Sweep). Все расписано в руководствах, например:
http://ikit.edu.sfu-kras.ru/files/18/lab.pdf
В модели резисторов и конденсаторов уже встроены температурные коэффициенты.
Для полевых транзисторов некоторые производители добавляют в библиотеки тепловые модели. Неэлектрические величины PSpice не моделирует, поэтому тепловые модели построены в виде эквивалентных им электрических схем.

shf_05, можете как-то определить допустимые потери по теплу. Понятно, что, чем меньше -тем лучше, но и сложность схемы растет или уменьшается почти прямо пропорциональна потерям.
Т.е. где сейчас установлен порог "жадности" 1,3,5 Вт ?

Сообщение отредактировал _gari - Apr 24 2014, 18:49