Что есть PMOS? В смысле, какие компоненты есть на этом принципе?



Так нелогичных нет. Все в рамках даташитов. В чем нарушение?
Вопрос только какой должен быть минимальный зазор для надежности:


---


Биполярный начинает работать от микротоков, в итоге воспринимает ток утечки. А тут с полевиком получается надо достаточно большой ток, чтобы создать падение на резисторе и открыть полевик. Вообщем с биполярным не работало нормально (в microcap).

Может и ересь, я в схемотехнике новичок.


Как бы это дело промоделировать в microcup, непонятно как это задать в "Stepping".


Это да, 1К на затворе уже достаточно шунтирует обратный ток диода. Правда провалы поболее, чем в схеме с дополнительным полевиком (при переключении с батареи на DCDC).


Да? Практически не сталкивался, просто везде писано что при отрицательных температурах заряжать нельзя и еще емкость падает сильно при ниже нуля.


Да, но 12В нужны по любому.

Сообщение отредактировал cg_shura - Jan 26 2015, 15:55

Странно, такие схемы сложные рисуете, шутя играетесь параметрами в Микрокап и говорите что не знаете как биполяр работает. Нормально все с биполяром работает, не так красиво конечно как с полевиком в плане температуры, но если биполяр можно компенсировать по температуре, то разброс Vgs у отдельных полевиков можно компенсировать только персональной подстройкой.
Повторюсь провалы определяются только заданным порогом срабатывания ключа. Вот например в схеме переключаем с полевика на диоды и видим одну и ту же картину. А потому что падение на полевике и диодах одинаковое.

Требования к температуре при заряде более строгие, чем при разряде, но тем не менее -20 допускает. Вот например

И опять же о способе получения 4,2 ни слова не сказано...

Я правильно понимаю, что биполярнику для открытия достаточно микротоков? Например для BC817 приведен параметр "emitter-base cut-off current" - 100 nA. И биполяр в этой схеме как простая перемычка, что вы несколько постов назад и приводили.


Немного разные, в схеме с полевиком видно что потребление от аккума нет при наличии DC:


А в схеме с диодами потребление от аккума есть при наличии DC:



Спасибо. Не знал.


Из 12В ST1S10 делает 4.6В. Эти 4.6В идут на зарядник li-on, и через диод на всю остальное идет уже ~4.2В.

Сообщение отредактировал cg_shura - Jan 27 2015, 07:30

А Вы R1 увеличьте до 10к.

http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET


Вы вроде как батарейный прибор делаете, а любой цифровой вход, находящийся под воздействием нелогичного уровня, помимо шанса выгореть в любой момент, добавляет к току потребления микросхемы несколько миллиампер своего сквозного тока.

Ваша арихметика, навроде "4,6 В – «типичное напряжение Шоттки» = ~4,2 В",— так делаются разве что одноразовые комнатные растения, а надёжные схемы на продажу делаются по всем законам и правилам — элементарно разоритесь на рекламациях.

Да, помогло, спасибо. Действиьельно нет разницы относительно схемы с доп. полевиком.


С этим знаком, спасибо.


Но вот тут не понял мысли, можете подробнее?


Что находится под нелогичным уровнем?


Так входное напряжение расчитано так, что 4.2В это будет максимум, при минимальном токе и макс. температуре. Т.е. при минимальном падении на диоде шотки на выходе будет 4.2В.

В чем тут вы видите проблемы?

Изначально вопрос был в том, какой должен быть минимальный зазор (исходя из практики) между верхним уровнем единицы 3.3-х вольтового устройства и нижним уровнем единицы 4.2-х вольтового устройства.

На четырёх транзисторах реализуете аналоговый переключатель, единым сигналом на который сможете переключать источники вне зависимости от разности их напряжений и её знака.


С Ваших слов, ведомые STM8S питаются от голого аккумулятора высоким напряжением, а ведущий STM32 — от него же, но пониженного до 3,3 В. Так вот, каждый из этих десятков-сотен STM8S от такого "согласования уровней" будет потреблять на 1...10 мА больше, чем Вы мечтаете. В принципе, ничего страшного не произойдёт — просто они будут каждый раз быстренько высасывать свежезаряженный аккумулятор до напряжения, обеспечивающего малопотребляющий "зазор" уровней.

А, тоже вариант, но тогда еще и компаратор или схему переключения надо.


Тут не понимаю, почему STM8S будет больше потреблять от питания 4.2В при работе с 3.3-вольтовым устройством. Расскажите пожалуйста подробнее.

Стандартный супервизор тоже сгодится, и всё равно это дешевле переключателей на идеальных диодах.


Я уже неоднократно объяснял. Тогда уж просто проведите эксперимент — настройте вход как цифровой, подавайте на него аналоговые уровни и измеряйте потребляемый микроконтроллером ток.

Я так и не понял, отчего возникнет сквозной ток, расскажите пожалуйста подробнее.

При подаче на вход КМОП-пары, питающейся от 4,2 В, напряжения 3,3 В, на затворе PMOS окажется 4,2 В – 3,3 В = 0,9 В, тогда как пороговое напряжение транзисторов у такого представителя 3-вольтовой логики, как STM8S, может быть порядка 0,5 В. Итого, PMOS откроется, причём, заметно, а на затворе NMOS те же 3,3 В, так что он давно уже открыт на полную, и вот он — тот самый сквозной ток.

Особенность любой КМОП структуры. Есть запрещенный диапазон входных уровней при котором оба транзистора частично открыты. Эффект нивелируется резкими фронтами. Именно для этого на входах контроллеров часто можно уведеть триггеры Шмитта. У КМОП логики можно найти такой параметр как максимальная длительность фронта входного сигнала, в старых КМОП сериях медленно меняющиеся сигналы на входе приводили к "защелкиванию" структуры и выгоранию микросхемы.
Поищите зависимость тока стока от напряжения входа для КМОП и увидите такой "зубец", вот на него попадать не желательно.