Покритикуйте пожалуйста схему и плату модуля под SIM900.

Питание или от внешних 12В через ST1S10, или от батареи li-on.

Конденсаторы на питание SIM900 или электролит C13 2200 мкф, или два тантала C11 и C12 по 220 мкф. Что именно будет стоять - выяснится практическим испытанием. С танталами меньше габариты и надежнее, но боюсь может емкости не хватить.

На питание SIM900 стоит ключ VT3. Конденсаторы на питание SIM900 до ключа, чтобы при отключении питания заряженные конденсаторы не продолжали питать модуль. Ключ VT3 имеет Rds ~20mOm.

Модуль будет работать с внешним 3.3-х вольтовым MCU, потому для RX/TX есть согласование уровней на диодах.

Используются две симкарты при необходимости, поочередно. Неиспользуемая карта держитсяч неактивной прижатым SIM_RST.
Управление выбором карты через GPIO1 SIM900, AT командой.

Схема:





Плата верх:



Плата верх с полигоном земли:


Плата низ:


Плата низ, с полигоном земли:


--

Трассировка ST1S10. Хочу уточнить, правильно ли отделена земля PGDN и AGND ST1S10, основной ток идет через землю соединяющую входной С8 и выходной конденсатор C10 (желтые стрелки). А полигон под брюхом отделен от пути основных токов.

Верх ST1S10:


Низ ST1S10:


--

Разъем для внешней платы микрофона / усилителя на внеший динамик. Может землю где то в одном месте подключить? Сейчас идет на выводы 17/18 SIM900.

Или mic/spk дифсигналы и им земля не важна? Но к земле разъема будет подключаться оплетка кабеля от микрофона.



Сообщение отредактировал turnon - Jan 30 2015, 08:24