Покритикуйте пожалуйста схему и плату модуля под SIM900.

Питание или от внешних 12В через ST1S10, или от батареи li-on.

Конденсаторы на питание SIM900 или электролит C13 2200 мкф, или два тантала C11 и C12 по 220 мкф. Что именно будет стоять - выяснится практическим испытанием. С танталами меньше габариты и надежнее, но боюсь может емкости не хватить.

На питание SIM900 стоит ключ VT3. Конденсаторы на питание SIM900 до ключа, чтобы при отключении питания заряженные конденсаторы не продолжали питать модуль. Ключ VT3 имеет Rds ~20mOm.

Модуль будет работать с внешним 3.3-х вольтовым MCU, потому для RX/TX есть согласование уровней на диодах.

Используются две симкарты при необходимости, поочередно. Неиспользуемая карта держитсяч неактивной прижатым SIM_RST.
Управление выбором карты через GPIO1 SIM900, AT командой.

Схема:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Плата верх:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Плата верх с полигоном земли:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Плата низ:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Плата низ, с полигоном земли:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

--

Трассировка ST1S10. Хочу уточнить, правильно ли отделена земля PGDN и AGND ST1S10, основной ток идет через землю соединяющую входной С8 и выходной конденсатор C10 (желтые стрелки). А полигон под брюхом отделен от пути основных токов.

Верх ST1S10:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Низ ST1S10:
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

--

Разъем для внешней платы микрофона / усилителя на внеший динамик. Может землю где то в одном месте подключить? Сейчас идет на выводы 17/18 SIM900.

Или mic/spk дифсигналы и им земля не важна? Но к земле разъема будет подключаться оплетка кабеля от микрофона.

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

На питание лучше 2 тантала по 470 ставить, размер корпуса D/E.

Мысли по проекту

1. я бы управление VT2 брал бы от входного напряжения, тогда можно было бы исключить D7 - насколько я помню ST10 к обратному напряжению не критична.

Кроме этого собрал бы логическое И-ИЛИ чтобы не ставить второй ключ.

а. Открывает транзистор и питаем от аккумулятора если пропало входное
б. управляем транзистором и стабилизатором если пришел сигнал POWER_ON

Кстати - а заряжать AKB как будете????

Не увидел от какой точки питаете контроллер - отдельный стабилизатор от входного? А как же при работе от АКБ ?

2. Большая емкость для ST10 - смертельна - разносит в щепки., поэтому идеально это керамика 22 мкф возле стабилизатора + 22-47 мкф ВОЗЛЕ МОДУЛЯ - не до ключа. Или танталы + 0.1 керамика.

3. Не морочить голову с коммутацией двух SIM, а поставить двухсимочный SIM900DS - тем более что плату сильно менять не прийдется
http://www.microchip.ua/simcom/SIM900x/SIM...esign_V1.00.pdf

4. Подумать все же о питании MCU 3.0 вольта и соединять UART напрямую или при 3.3 вольта сигналы В MCU напрямую, а ИЗ MCU в модуль через ключи с OЗ. Схема ниже. Второй резистор в принципе не нужен, он для двунаправленых сигналов.
Прочитать можно тут - http://we.easyelectronics.ru/Shematech/sog...-ustroystv.html
При первом случае контролируем MCU сигнал STATUS при втором не нужно - ключи без Vext не откроются. Диодно-резисторные решения не гут.

5. GND однозначно полигоном, но GND SIM карт отдельным проводом притянуть к 29 ножке и только там уже к полигону

6. GND для аудио(согласно апнотов) конденсаторы и защиту к земле в одной точке у модуля - ножка 18
http://www.microchip.ua/simcom/SIM900x/App...Guide_V1.02.pdf
http://www.microchip.ua/simcom/SIM900x/App...input_V1.01.pdf

Суммарная ёмкость нагрузки ST1S10 для схемы включения по ДШ составляет 20 мкФ. У Вас - сильно больше, поэтому смотрите схему подключения для большой ёмкости нагрузки. И, кстати, поскольку Вы ставите на питание шустрый DC/DC с burst-режимом, от 2200 мкФ электролитов можно отказаться (и даже лучше это сделать), ибо они поставлены с учётом питания от LDO с целью скомпенсировать броски тока, которые сам LDO обслужить за короткий срок может быть не в состоянии.

Напряжение питания всё же лучше снизить до штатных 3 В и отказаться от согласования - зачем Вам лишние детали?

И с переходными Вы, кажется, перестарались =)

UPD: ой, кажется, ув. CADiLO меня опередил

Спасибо.


А то что в даташите ST1S10 приводится описание работы на большую емкостную нагрузку, не соответствует действительности?
Для этого специально в схему добавлены C6, C7.


А чем плохо?

Намано!!!
Не важно кто раньше написал, главное что мысли правильные.

>>>А то что в даташите ST1S10 приводится описание работы на большую емкостную нагрузку, не соответствует действительности?

Не тот случай - сам модуль не имеет большой емкости, так зачем лишние телодвижения и перегруз стабилизатора?
Ставим 2х20 керамику и достаточно

Да, как раз схема для большой ёмкости нагрузки (С6, С7).


Да в устройстве еще будут слейвы SPI с питанием 4.2В, не хотелось бы снижать 3.3 (лог. уровень верхний для 4.2-х вольтовых устройств чтобы не снижался).


Есть такое. Ну оно есть не просит, а земля цельнее

>>> Диодно-резисторные решения не гут.
>>> А чем плохо?

При малых уровнях добавлять туда еще и падения на диодах ?
Идеальных диодов Шоттки не бывает, а лишние 0.2 вольта иногда ой как не лишние.

>>>еще будут слейвы SPI

если не секрет - что именно?

Слейвы SPI на STM8S работают с мастером на STM32. Слейвов может быть много, такие себе мини-модули.



MCP73831T

Да по схеме много чего исправить желательно. ST1S10 - не ставить по любому, много раз поясняли. Лучше уж L5973D.
По разводке тоже не гут. Хотя бы смотрим как рекомендовал сам симком сначала по расположению источника питания. Импульсник только справа или справа-вниз, если смотреть вашу первую картинку, никак ни вверху, там где антенна! Там важны земли, полигоны и расстояния до земель модуля. Избыточное кол-во (большая плотность) сшивок земли, убрать, прорядить. Желаельны согласующие элементы для антенны, и также некоторая длина линии. Совсем коротко как у вас может вызвать проблему. Хотябы в одном слое сделать неразорванный, замкнутый контур замляного полигона по периметру, без вынесения синальных проводников на края.

А какие проблемы с ST1S10, что-то не находил, расскажите пожалуйста.
L5973D просто в ~3 раза дороже.


Как именно поправить не подскажете? Дорожки силовые там мин. 2мм, земля тоже и плюс жирным полигоном.


В чем проблема с большим количеством переходных?


Смотрел в sim900_two-layer_pcb_rf_design_application_note_v1.02.pdf, согласующих элементов нет, но дорожка 4мм, как-то не придал этому значения.

А какие проблемы вызовет короткая дорожка?

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

ST1S10 дешевый потому что низконадёжный. Высокая частота преобразования и как следствие малые емкости для фильтрации, но нужны обязательно с низким динам сопр. Высокая чувствительность к помехам и как правило пробой. Пробой из-за импульсной помехи по входу. Вход-выход не защищены надёжно у этой микр. и тд., ищите на форуме многие отписались еще 2-3 года назад. Земля и плюс жирные полигоны не показатель. Нужно смотреть контур силового протекания токов, и туда никому не залезать! Большое кол-во мелких переходных, заменяются меньшим кол-вом с большим диаметром. Сопротивление меньше у переходных с большим диаметром. И смотрите рекомендации столько нужно переходных. Каждое сверление к тому же деньги. Сама дорожка с согласующими без антенны, выполняет роль антенны, нагружая выход, своего рода некий предохранитель, от выбивания выходного 2 ватного выходного каскада. Еще бы резисторы ставил размером 0402, тр-ры 363 при такой плотности. Коммутация симок проблемная, карточки есть и 1.8В и 3.3В и что будет? На каждую поставил бы свою защитную матрицу диодов.

А 4мм дорожки, указанные в даташите, дают эту нагрузку? Или это просто указано рекомендуемое макс. расстояния до гнезда (U.FL)?

По S10 частично согласен - для автомобильных применений требуются дополнительные танцы с бубном, это действительно было в форуме.
И там вообще изначально даже лучше S14 ставить - входное больше.
При входном от сети или кислотной батареи - в 99% случаях, при правильной разводке все нормально. Подверждено статистикой.
Не стоит превышать сущность над необходимым.

>>>Сама дорожка с согласующими без антенны, выполняет роль антенны, нагружая выход, своего рода некий предохранитель, от выбивания выходного 2 ватного выходного каскада.

При таких размерах и выходной мощности, и при правильной GND дорожка к разъему до 2 см - монопенисуально. Хотя конечно согласен - изначально надо делать правильно.
Но эту мелочь модуль прощает. Просчитывалось и мерилось неоднократно. Гораздо хуже повесить туда монополь без ground plane или несогласованную антенну.
От тогда - от наводок на карточку до выхода из строя PA RF.

На контроллер идет 4.2В через LDO, 4.2В в свою очередь получается или от батареи, или от 12В через ST1S10.

Кстати, а можно ли один ST1S10 пустить и на питание всего устройства (до 2А макс.) и на питание SIM900?

Надо исходить из тока потребления или из длины дорожек от ST1S10 до емкостей Vbat SIM900?

C учетом емкости на Vbat среднее потребление у SIM900 выходит где-то 500 mA при коротких пиках до 2А.
Значит одной ST1S10 хватит на все?

L7986TA рулит и по цене и по входному и по надёге

L5973D немного выигрывает из-за меньшего входного, если такое требование есть.

И потом, если хотите чтобы модем работал уверенно во всех дальних зонах от соты, то подводить минимум 4...4,5 ватта все же необходимо.
Учитывая что скрость нарастания по току высокая посчитайте какой нужен ток.
А то ведь полно всяких любительских поделок, глючащих, постоянно, начинающих перегружаться уже в 3-5 километрах от крайней соты.

А SIM_VDD как формируется, как SIM900 определяет, подавать 1.8 или 3.3В?



Вот прикинул, посмотрите пожалуйста. Только есть проблема - выход 4.2В с ST1S10 идет на батарею через паразитный диод полевика.
Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Сначала на симкарту подается напряжение 1,8 В и если ответила, то работает дальше на этом напряжении. Если не ответила, то подается 2,84 В и работает на этом напряжении.