Покритикуйте пожалуйста схему коммутации питания батарея / DC для SIM900.

Когда есть 12В, SIM900 питается от ST1S10. При пропаже 12В питание переключается на батарею li-on.
При наличии 12В или отсутствии сигнала POWER_ON VT2 закрыт.

Сигнал POWER_ON (лог. уровень 3.3В) позволяет обрывать питание SIM900 (для "железного" ресета).

Диод D2 не позволяет напряжению от ST1S10 пройти через паразитный диод полевика на батарею.

Диод D1 не позволяет напряжению от батареи пройти на цепи 12В через внутренности ST1S10.
D1 поставлен на цепь 12В, а не на выход ST1S10, чтобы он не приводил к провалам при пиках потребления SIM900 (до 2А).

Резистор R1 - для разряда C7, C8 при "железном" ресете SIM900 сбросом питания.

Что тревожит - позволяет ли ST1S10 обратное напряжение на выходе. При обратном напряжении на ST1S10 сама ST1S10 будет выключена, но все же на короткий момент при появлени 12В возможно наличие на выходе ST1S10 и своего напряжение, и напряжения батареи.

Про LTC4142 и Ко знаю - дорого.

Гляньте еще на эту статью - http://www.microchip.ua/publicazii/10-12.pdf

Спасибо, последняя схема из статьи заинтесовала. Не будет ли провала при переключении? И опять же, допустима ли подача обратного напряжения на ST1S10?

BQ24032ARHL. два недостатка - дорогая и паять неудобно. ну еще выводов для управления/чтения состояния много надо

Не соображу, подскажите пожалуйста, в последней схеме куда подключать питание компаратора? Компаратор TLV3491 (в мультисиме он есть).

Сообщение отредактировал turnon - Feb 2 2015, 20:08

Поставить такой-же диод SS26 как после ключа, ещё и после ST1S10 - и ни к одному из источников питания не будет приходить "обратка" от другого.
Только ОБЯЗАТЕЛЬНО добавить на питании SIM900 стабилитрон, т.к. ST1S10 уже не сможет регулировать то напряжение, которое будет "гулять" после диода. Либо TL431 (управляемый стабилитрон), либо какой-то с фиксированным напряжением. Для SIM800H например, по даташиту, настоятельно рекомендуется поставить стабилитрон 5,1В на линию VBAT. Вероятно и здесь это не лишнее.

И провала при переключении, при использовании второго диода, быть не должно, т.к. отключившаяся ST1S10 уже не сможет никоим образом "схавать" энергию после диода (если у неё вообще есть такое свойство), подающуюся по цепи резервного питания.

Другое дело напряжение самого резервного источника. Если из-за разряженной батарейки оттуда выходит не 3,9В (падение на диоде 0,3В), а к примеру 3,3В, то при переключении с основного источника 3,9В (предполагаем что диод после ST1S10 мы поставили) на этот запасной 3,3В - модуль обнаружит "провал" напряжения 0,6В, и скорее всего перезапустится или выключится. Особенно, если в момент переключения питания он "кушал" ток 2А импульсами.

И кстати про данную схему, если в ней ничего не менять. Резервный источник должен ВСЕГДА выдавать 3,9В (как-то следить чтоб батарейка была заряжена до 4,2В всегда), а основной источник тоже должен быть настроен на 3,9В (а не на 4,2В как сейчас) - чтоб модуль не "нервничал" из-за резкого снижения напряжения при переключении источников питания. Если же диод SS26 после ST1S10 будет поставлен - то настройку 4,2В оставить как есть.

PS. Только проверку питания с диодом и стабилитроном после ST1S10 - я бы проводил без SIM900. Но с осциллографом.
И TL431, поскольку её собственный ток коммутации всего 100ма, применять по схемам включения для больших токов потребления (с внешним ключом).


Или просто мощный стабилитрон на фиксированное напряжение.

Сообщение отредактировал controller_m30 - Feb 3 2015, 04:45

Так может не стабилитрон, а TVS-диод? Например, SMAJ5.0A


Дело в том что на диоде при скачке от 100 mA до 2А прироста падение напряжения около 200mV, а это близко к пределу для SIM900 (300mV).

Наверное и TVS можно. Я бы попробовал и TVS. Но SimCom-вцы в даташите на SIM800H пишут именно про диод Зеннера на VBAT. А TVS предлагают ставить на линии SIM карты. Хотя чем они отличаются в данном случае... хз.


А как же тогда резервное питание от батарейки через такой-же диод??? Там ведь тоже будет падение при скачке потребления от 100 ma до 2А?
Если у диода такие свойства, что он не годится для питания модуля в активном режиме - может другой диод подобрать? Или несколько таких в параллель?

Не годится в такой схеме обычный диод. Ни простой кремниевый, ни Шоттки.
Ставьте транзисторный коммутатор или его "микросхемную" версию "идеальный диод"

По какой именно причине? То что скачок падения напряжения на диоде при скачке потребления?

А так например? Три в одном.
(украдено в инете )

Вы теряете в среднем 0,35В на диоде Шоттки. То есть при частично разряженном аккумуляторе 3,6В на нагрузке будет 3,25В, что явно недостаточно для устойчивой работы. Внутреннее сопротивление диода (динамическая составляющая) будет достаточно велико (около 0,1Ом), работа GSM модуля при малой емкости конденсаторов в цепи питания будет нестабильной.

Характеристика "недорогой" - юмор, ~$5.

Подскажите пожалуйста по Вашей схеме из статьи (http://www.microchip.ua/publicazii/10-12.pdf)
Не соображу, в последней схеме куда подключать питание компаратора? Компаратор TLV3491 (в мультисиме он есть).

туда же откуда берется питание зарядного - представьте что компаратор входит в состав микросхемы


>>>Характеристика "недорогой" - юмор, ~$5.

Откуда там $5 ???

http://www.bristolelectronics.com/ltc4002es8-4-2-ltc

http://www.findchips.com/search/ltc4002 - ARROW например LTC4002ES8-4.2#PBF $2.15

На Алибабе можно покопавшись найти десяток по $1.92

В мультисиме пробую, выходит так: при пропаже входного (In) пропадает и питание компаратора. А при отсутствии на входе "-" компаратора на выходе должен быть плюс, а так как питания на компараторе нет, на выходе компаратора тоже ничего нет и батарея не подключается.
 gsm_powerkey.comparator.zip ( 7.96 килобайт ) Кол-во скачиваний: 71