реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> RF усилитель мощности на транзисторах, RF усилитель мощности на транзисторах MRFE6VP61K25N и BLF188XR
ASDFG123
сообщение Feb 25 2015, 05:45
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042



Заинтересовали транзисторы BLF188XR и MRFE6VP61K25N, хотелось бы сделать усилитель на них, и сразу же возникли вопросы, может кто уже работал сними и знает тонкости.
Вопросы возникли и теоретические и практические.
По схеме типовых усилителей из даташита: это push-pull ? или Doherty.
Где можно посмотреть топологию по которой их рассчитывали и литературу. На коаксиалах я так понял это балуны?
Повторить хотелось бы версию на полосках как в даташите у MRFE6VP61K25N с перерасчетом на 170-200 МГц.

А из практических вопросов: как лучше крепить транзистор, то есть варианты корпуса (1 с винтами и утапливаемый в радиатор, 2 без винтов и утапливаемый, 3 без винтов и не утапливаемый) и по поводу контакта фланца с теплораспределяющей пластиной, на нее надо наносить термопасту ? или припаивать или просто прижимать без термопасты ? (инженеры филипса просто прижимали через спец крепление-кроватку, радиолюбители вроде паять стараются).
И выбор материала, исходя из чего выбирать материал ? разные паллеты выполнены на разных материалах, ес-но разные проницаемости, но как выбирать толщину и материал какие преимущества у того другого ?
Спасибо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Feb 25 2015, 08:59
Сообщение #2


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(ASDFG123 @ Feb 25 2015, 08:45) *
Заинтересовали транзисторы BLF188XR и MRFE6VP61K25N, хотелось бы сделать усилитель на них, и сразу же возникли вопросы, может кто уже работал сними и знает тонкости.
Вопросы возникли и теоретические и практические.
По схеме типовых усилителей из даташита: это push-pull ? или Doherty.
Где можно посмотреть топологию по которой их рассчитывали и литературу. На коаксиалах я так понял это балуны?
Повторить хотелось бы версию на полосках как в даташите у MRFE6VP61K25N с перерасчетом на 170-200 МГц.

А из практических вопросов: как лучше крепить транзистор, то есть варианты корпуса (1 с винтами и утапливаемый в радиатор, 2 без винтов и утапливаемый, 3 без винтов и не утапливаемый) и по поводу контакта фланца с теплораспределяющей пластиной, на нее надо наносить термопасту ? или припаивать или просто прижимать без термопасты ? (инженеры филипса просто прижимали через спец крепление-кроватку, радиолюбители вроде паять стараются).
И выбор материала, исходя из чего выбирать материал ? разные паллеты выполнены на разных материалах, ес-но разные проницаемости, но как выбирать толщину и материал какие преимущества у того другого ?
Спасибо.

По датшиту MRFE......
-по схеме это обычный двухтактный усилитель. На рис. 3 приведена схема испытательной установки. Она узкополосная и вряд ли вам подойдет. Ее назначение - как можно точнее измерить характеристики самого транзистора, а не транзисторного каскада.
На рис 14 схема УМ. Трансформатор Т1 с коэф. трансформации сопротивления в 9 раз. На 1 и 2 коаксиальных линиях выполнен сим/сим трансформатор 5,../50 Ом, на линии 3 балун сим/несим на 50 Ом. Эту схему или рис. 18 можно взять за основу.
-Крепить лучше винтами, на медный радиатор или медную пластину с дальнейшей ее установкой на радиатор, с пастой КПТ-8.
- по материалу подойдет FR4, а толщину исходя из стоковой нагрузки транзистора. Она ориентировочна в районе 2 Ом, микрополоски на это и расчитывают.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ASDFG123
сообщение Feb 25 2015, 09:37
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042



Спасибо, все стало гораздо понятней.
Мне наверное стоило сразу закачать даташит сюда, т.к вы скачали MRFE6VP61K25H похоже
В MRFE6VP61K25N отличаются версии и 230 и 87-108, у фм версии как раз и сделано на полосках, в интернете не нашел балунов (не сим-сим) на полосках с подобной конструцией
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  MRFE6VP61K25N.pdf ( 908.8 килобайт ) Кол-во скачиваний: 213
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Feb 25 2015, 11:00
Сообщение #4


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(ASDFG123 @ Feb 25 2015, 12:37) *
Спасибо, все стало гораздо понятней.
Мне наверное стоило сразу закачать даташит сюда, т.к вы скачали MRFE6VP61K25H похоже
В MRFE6VP61K25N отличаются версии и 230 и 87-108, у фм версии как раз и сделано на полосках, в интернете не нашел балунов (не сим-сим) на полосках с подобной конструцией

В этом варианте используются не совсем микрополоски. Если внимательнее посмотреть на рис. 12 и 13, то на входе и выходе транзистора увидете трансформаторы, первичная обмотка представляет один виток на верхней поверхности печатной платы, а вторичная - две витка на нижней стороне платы (рис. 13). У выходного трансформатора средняя часть одиночного витка имеет по ВЧ нулевой потенциал и соединена с началом вторичной обмотки через перемычку. Трансформатор сим/несим с коэф. трансформации сопротивления 16.
Наверное, можно это взять за основу.
Да, FR4, наверное здесь не пройдет - слишком энергетика в выходном трансформаторе велика. Но надо пробовать.

Сообщение отредактировал tsww - Feb 25 2015, 11:04
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ASDFG123
сообщение Mar 5 2015, 04:16
Сообщение #5


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042



Спасибо, теперь понятно конденсатор 1000п, на землю, по вч соединяет. А индуктор L3 в виде хитро загнутой проволоки на схеме 12 для чего служит?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Mar 5 2015, 07:48
Сообщение #6


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(ASDFG123 @ Mar 5 2015, 07:16) *
Спасибо, теперь понятно конденсатор 1000п, на землю, по вч соединяет. А индуктор L3 в виде хитро загнутой проволоки на схеме 12 для чего служит?

L3 компенсирует выходную емкость транзистора. Влияет на кпд и усиление на верхней границе частотного диапазона, но ограничивает нижнюю границу. Во многих балансных транзисторах она встроеная в сам транзистор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
horgenn
сообщение Mar 15 2015, 10:50
Сообщение #7


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 21
Регистрация: 14-03-15
Из: г. Минск
Пользователь №: 85 670



Цитата(tsww @ Mar 5 2015, 10:48) *
L3 компенсирует выходную емкость транзистора. Влияет на кпд и усиление на верхней границе частотного диапазона, но ограничивает нижнюю границу. Во многих балансных транзисторах она встроеная в сам транзистор.

Если речь идёт о широкополосном усилителе, то думаю, что следует моделировать каждый каскад на AWR. Добиваться хорошего КСВ для каждого каскада в отдельности. Без этого весь усилитель ведёт себя абсолютно не так, как обещают в datashhet.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Mar 16 2015, 06:35
Сообщение #8


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(horgenn @ Mar 15 2015, 13:50) *
Если речь идёт о широкополосном усилителе, то думаю, что следует моделировать каждый каскад на AWR. Добиваться хорошего КСВ для каждого каскада в отдельности. Без этого весь усилитель ведёт себя абсолютно не так, как обещают в datashhet.

Против идеи моделирования возразить трудно, даже если речь идет о однокаскадном УМ.
Что касается достижения хорошего КСВ, а обычно под этим понимают минимальное отклонение от 50(75) Ом, то скорее всего надо говорить о оптимальном входном и выходном импедансе каскада УМ. Например для данного усилителя в многокаскадном варианте входное сопротивление должно быть резистивным, ориентировочно 6 или 12 Ом, на что и должен быть расчитан предыдущий каскад. Если этот УМ однокаскадный, то скорее всего оптимальное входное сопротивление должно быть 50 Ом. А выходное 50 Ом и в том и другом случаях.
По датшиту - в нем приведены данные измерения в установке производителя. Чаще всего эта установка узкополосная, в ней компенсированы все реактивности, с целью получения данных самого транзистора, а не каскада на этом транзисторе. В датшите редко что "обещают" для каскада УМ, но для данного транзистора в датшите, кроме узкополосной измерительной установки, приведена и схема широкополосного усилителя. С большой долей вероятности она работоспособна.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
horgenn
сообщение Mar 16 2015, 16:52
Сообщение #9


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 21
Регистрация: 14-03-15
Из: г. Минск
Пользователь №: 85 670



Цитата(tsww @ Mar 16 2015, 09:35) *
Против идеи моделирования возразить трудно, даже если речь идет о однокаскадном УМ.
Что касается достижения хорошего КСВ, а обычно под этим понимают минимальное отклонение от 50(75) Ом, то скорее всего надо говорить о оптимальном входном и выходном импедансе каскада УМ. Например для данного усилителя в многокаскадном варианте входное сопротивление должно быть резистивным, ориентировочно 6 или 12 Ом, на что и должен быть расчитан предыдущий каскад. Если этот УМ однокаскадный, то скорее всего оптимальное входное сопротивление должно быть 50 Ом. А выходное 50 Ом и в том и другом случаях.
По датшиту - в нем приведены данные измерения в установке производителя. Чаще всего эта установка узкополосная, в ней компенсированы все реактивности, с целью получения данных самого транзистора, а не каскада на этом транзисторе. В датшите редко что "обещают" для каскада УМ, но для данного транзистора в датшите, кроме узкополосной измерительной установки, приведена и схема широкополосного усилителя. С большой долей вероятности она работоспособна.

Для узкополосного усилителя - да, даташита достаточно, пожалуй. По правде говоря, я имел ввиду те AN, в которых приводится схема однокаскадного усилителя мощности на 4-5 октав с верхней частотой 500-600 МГц. При этом нормальных согласующих цепей не просматривается вообще. Без нормального согласования каскады в усилителе будут плохо работать - неравномерность получится жестокая. По крайней мере, при разработке ШП усилителя у меня на расчёт согласующих цепей и их моделирование уходит, наверно, 90 процентов времени.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Mar 16 2015, 17:23
Сообщение #10


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



Вот вам и тест на КСВ https://www.youtube.com/watch?v=NZQHlAyLczQ
И ответ: как лучше крепить транзистор.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ASDFG123
сообщение Mar 17 2015, 02:24
Сообщение #11


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 165
Регистрация: 2-01-13
Пользователь №: 75 042



В чем лучше моделировать: Genesys, ADS, Microwave Offece, HFSS ?
На сайте в документах есть S-param и помоему ADS и AWR фаилы библиотеки.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Sokrat
сообщение Mar 17 2015, 05:08
Сообщение #12


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 455
Регистрация: 13-04-08
Из: Владимирская обл., г. Муром
Пользователь №: 36 738



Цитата(ASDFG123 @ Mar 17 2015, 05:24) *
В чем лучше моделировать: Genesys, ADS, Microwave Offece, HFSS ?
На сайте в документах есть S-param и помоему ADS и AWR фаилы библиотеки.

Если по-проще и по-быстрее - то однозначно AWR. Если совсем точно - ADS и HFSS. Но это симуляторы 3-d ЭМ моделирования. Там нужно "рисовать" всё руками, что является достаточно длительным процессом. AWR, я думаю, все-таки предпочтительнее. Genesys не видел.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
horgenn
сообщение Mar 17 2015, 16:10
Сообщение #13


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 21
Регистрация: 14-03-15
Из: г. Минск
Пользователь №: 85 670



Цитата(Sokrat @ Mar 17 2015, 08:08) *
Если по-проще и по-быстрее - то однозначно AWR. Если совсем точно - ADS и HFSS. Но это симуляторы 3-d ЭМ моделирования. Там нужно "рисовать" всё руками, что является достаточно длительным процессом. AWR, я думаю, все-таки предпочтительнее. Genesys не видел.

Согласен. AWR - хороший симулятор. Но иногда он что-то выкидывает - делает какой-нибудь выброс в характеристике. Тогда с оптимизацией сложности. Выброс явно "левый", но оптимизатор и его считает. На ADS и Genesys такого вроде не видел. Правда, и схемы там брал попроще.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Mar 18 2015, 06:09
Сообщение #14


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(ASDFG123 @ Mar 17 2015, 05:24) *
В чем лучше моделировать: Genesys, ADS, Microwave Offece, HFSS ?
На сайте в документах есть S-param и помоему ADS и AWR фаилы библиотеки.

На самом деле выбор симуляторов небольшой. Вы же хотите расчитать не LNA, где можно обойтись S-параметрами, а нелинейный УМ, где необходима хорошая большесигнальная модель. А для мощных ВЧ транзисторов производитель чаще всего такие модели дает для ADS и AWR. С AWR попроще, а результат в обоих случаях примерно одинаков. Каких то "выбросов" в AWR не замечал. Ну если в Curcuit Options не установить погрешность 0.01 и хуже.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 17th June 2025 - 17:04
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01471 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016