Заинтересовали транзисторы BLF188XR и MRFE6VP61K25N, хотелось бы сделать усилитель на них, и сразу же возникли вопросы, может кто уже работал сними и знает тонкости.
Вопросы возникли и теоретические и практические.
По схеме типовых усилителей из даташита: это push-pull ? или Doherty.
Где можно посмотреть топологию по которой их рассчитывали и литературу. На коаксиалах я так понял это балуны?
Повторить хотелось бы версию на полосках как в даташите у MRFE6VP61K25N с перерасчетом на 170-200 МГц.

А из практических вопросов: как лучше крепить транзистор, то есть варианты корпуса (1 с винтами и утапливаемый в радиатор, 2 без винтов и утапливаемый, 3 без винтов и не утапливаемый) и по поводу контакта фланца с теплораспределяющей пластиной, на нее надо наносить термопасту ? или припаивать или просто прижимать без термопасты ? (инженеры филипса просто прижимали через спец крепление-кроватку, радиолюбители вроде паять стараются).
И выбор материала, исходя из чего выбирать материал ? разные паллеты выполнены на разных материалах, ес-но разные проницаемости, но как выбирать толщину и материал какие преимущества у того другого ?
Спасибо.

По датшиту MRFE......
-по схеме это обычный двухтактный усилитель. На рис. 3 приведена схема испытательной установки. Она узкополосная и вряд ли вам подойдет. Ее назначение - как можно точнее измерить характеристики самого транзистора, а не транзисторного каскада.
На рис 14 схема УМ. Трансформатор Т1 с коэф. трансформации сопротивления в 9 раз. На 1 и 2 коаксиальных линиях выполнен сим/сим трансформатор 5,../50 Ом, на линии 3 балун сим/несим на 50 Ом. Эту схему или рис. 18 можно взять за основу.
-Крепить лучше винтами, на медный радиатор или медную пластину с дальнейшей ее установкой на радиатор, с пастой КПТ-8.
- по материалу подойдет FR4, а толщину исходя из стоковой нагрузки транзистора. Она ориентировочна в районе 2 Ом, микрополоски на это и расчитывают.

Спасибо, все стало гораздо понятней.
Мне наверное стоило сразу закачать даташит сюда, т.к вы скачали MRFE6VP61K25H похоже
В MRFE6VP61K25N отличаются версии и 230 и 87-108, у фм версии как раз и сделано на полосках, в интернете не нашел балунов (не сим-сим) на полосках с подобной конструцией

В этом варианте используются не совсем микрополоски. Если внимательнее посмотреть на рис. 12 и 13, то на входе и выходе транзистора увидете трансформаторы, первичная обмотка представляет один виток на верхней поверхности печатной платы, а вторичная - две витка на нижней стороне платы (рис. 13). У выходного трансформатора средняя часть одиночного витка имеет по ВЧ нулевой потенциал и соединена с началом вторичной обмотки через перемычку. Трансформатор сим/несим с коэф. трансформации сопротивления 16.
Наверное, можно это взять за основу.
Да, FR4, наверное здесь не пройдет - слишком энергетика в выходном трансформаторе велика. Но надо пробовать.

Спасибо, теперь понятно конденсатор 1000п, на землю, по вч соединяет. А индуктор L3 в виде хитро загнутой проволоки на схеме 12 для чего служит?

L3 компенсирует выходную емкость транзистора. Влияет на кпд и усиление на верхней границе частотного диапазона, но ограничивает нижнюю границу. Во многих балансных транзисторах она встроеная в сам транзистор.

Если речь идёт о широкополосном усилителе, то думаю, что следует моделировать каждый каскад на AWR. Добиваться хорошего КСВ для каждого каскада в отдельности. Без этого весь усилитель ведёт себя абсолютно не так, как обещают в datashhet.

Против идеи моделирования возразить трудно, даже если речь идет о однокаскадном УМ.
Что касается достижения хорошего КСВ, а обычно под этим понимают минимальное отклонение от 50(75) Ом, то скорее всего надо говорить о оптимальном входном и выходном импедансе каскада УМ. Например для данного усилителя в многокаскадном варианте входное сопротивление должно быть резистивным, ориентировочно 6 или 12 Ом, на что и должен быть расчитан предыдущий каскад. Если этот УМ однокаскадный, то скорее всего оптимальное входное сопротивление должно быть 50 Ом. А выходное 50 Ом и в том и другом случаях.
По датшиту - в нем приведены данные измерения в установке производителя. Чаще всего эта установка узкополосная, в ней компенсированы все реактивности, с целью получения данных самого транзистора, а не каскада на этом транзисторе. В датшите редко что "обещают" для каскада УМ, но для данного транзистора в датшите, кроме узкополосной измерительной установки, приведена и схема широкополосного усилителя. С большой долей вероятности она работоспособна.

Для узкополосного усилителя - да, даташита достаточно, пожалуй. По правде говоря, я имел ввиду те AN, в которых приводится схема однокаскадного усилителя мощности на 4-5 октав с верхней частотой 500-600 МГц. При этом нормальных согласующих цепей не просматривается вообще. Без нормального согласования каскады в усилителе будут плохо работать - неравномерность получится жестокая. По крайней мере, при разработке ШП усилителя у меня на расчёт согласующих цепей и их моделирование уходит, наверно, 90 процентов времени.

Вот вам и тест на КСВ https://www.youtube.com/watch?v=NZQHlAyLczQ
И ответ: как лучше крепить транзистор.

В чем лучше моделировать: Genesys, ADS, Microwave Offece, HFSS ?
На сайте в документах есть S-param и помоему ADS и AWR фаилы библиотеки.

Если по-проще и по-быстрее - то однозначно AWR. Если совсем точно - ADS и HFSS. Но это симуляторы 3-d ЭМ моделирования. Там нужно "рисовать" всё руками, что является достаточно длительным процессом. AWR, я думаю, все-таки предпочтительнее. Genesys не видел.

Согласен. AWR - хороший симулятор. Но иногда он что-то выкидывает - делает какой-нибудь выброс в характеристике. Тогда с оптимизацией сложности. Выброс явно "левый", но оптимизатор и его считает. На ADS и Genesys такого вроде не видел. Правда, и схемы там брал попроще.

На самом деле выбор симуляторов небольшой. Вы же хотите расчитать не LNA, где можно обойтись S-параметрами, а нелинейный УМ, где необходима хорошая большесигнальная модель. А для мощных ВЧ транзисторов производитель чаще всего такие модели дает для ADS и AWR. С AWR попроще, а результат в обоих случаях примерно одинаков. Каких то "выбросов" в AWR не замечал. Ну если в Curcuit Options не установить погрешность 0.01 и хуже.