реклама на сайте
подробности

 
 
> Время включения транзистора, как оно выбирается?
Dima92
сообщение May 24 2015, 14:50
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 64
Регистрация: 25-04-15
Из: Санкт-Петербург
Пользователь №: 86 385



Здрасьте, осталась пара вопросов (применительно к обратноходовой и прямоходовой топологиям ИП например), после прочтения бумажки :
http://electronix.ru/forum/index.php?act=a...st&id=30537
1) Можно ли по полному заряду затвора рассчитывать время включения при определенном токе? Это достаточно достоверный параметр?
2) По какому параметру выбирать время включения - скорость изменения напряжения (dv/dt)?
Время обратного восстановления диода (сначала закрывать диод, а потом открывать транзистор)?
ЭМС (это мне не очень понятно как учесть)?

Например транзистор SPP11N80C3 Инфиниона, полный заряд затвора (при 13 В на нем) - 80 нКл. Ток в 2 А включит транзистор за 40 нс,
диод закроется за например 35 нс, при включении с 400 В dv/dt составит 10 В/нс, а транзистору можно 50.
Есть ли ошибки в таком рассуждении или все впорядке?
Go to the top of the page
 
+Quote Post



Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 28th July 2025 - 14:12
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01389 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016