|
Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование |
|
|
|
Jul 4 2015, 21:08
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 399
Регистрация: 25-07-10
Из: Rybinsk
Пользователь №: 58 593

|
Цитата(790 @ Jul 4 2015, 21:44)  Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx? Глазом моргнуть не успеешь  , как придется покупать новый. Надеюсь, речь идет о больших мощностях.
|
|
|
|
|
Jul 5 2015, 05:52
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 85
Регистрация: 5-06-15
Пользователь №: 87 024

|
Цитата(ser_aleksey_p @ Jul 5 2015, 00:08)  Глазом моргнуть не успеешь  , как придется покупать новый. Надеюсь, речь идет о больших мощностях. Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт.
|
|
|
|
|
Jul 5 2015, 07:23
|
Профессионал
     
Группа: Модератор FTP
Сообщений: 2 111
Регистрация: 29-12-05
Пользователь №: 12 684

|
Цитата(790 @ Jul 5 2015, 08:52)  Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт. для обычных применений безразлично, гибнет ли транзистор мгновенно, или в течение долей секунды, и производитель это время ни определять, ни указывать в даташитах не будет. наверняка интересующее время зависит и от частоты сигнала, и от типа транзистора. поэтому, если даже кто-то и имеет цифру, то вряд ли совпадут с вашими его мощность, частота и тип транзистора. и раз уж вам для ваших целей это важно, придется вам самому организовывать эксперимент, проводить измерения и определять это время. после того, как вы проведете эти эксперименты, было бы любезно с вашей стороны поделиться здесь результатами ваших экспериментов.
|
|
|
|
|
Jul 6 2015, 04:38
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864

|
Цитата(790 @ Jul 4 2015, 21:44)  Здравствуйте. Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?
Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут. В некоторых ТУ на мощные отечественные транзисторы, в методике, где описывается как измерить такой параметр как работа на рассогласованную нагрузку, указывается время 1 сек. Причем речь идет о работе не на ХХ или КЗ, а на КСВ = 20(15).
Сообщение отредактировал tsww - Jul 6 2015, 04:46
|
|
|
|
|
Jul 6 2015, 08:24
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864

|
Цитата(790 @ Jul 6 2015, 09:34)  Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает. Если 1 сек, то это хорошо. Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Кроме того не стоит забывать и о области безопасной работы - это зависимость связывающая безопасный ток и напряжение. Обычно завязана на величину максимальной рассеиваемой мощности, т. е. произведение тока и напряжения не должно превышать эту мощность. При больших напряжениях имеет ограничение.
|
|
|
|
|
Jul 6 2015, 17:53
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150

|
Цитата(tsww @ Jul 6 2015, 11:24)  Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, Достаточно долго - это от нескольких десятков микросекунд до долей секунды. В зависимости от того за какое время температура в активной области кристалла достигнет критической (максимально допустимой). Определяется тепловым импедансом транзистора, температурой корпуса и рассеиваемой мощностью на транзисторном кристалле. На некоторые транзисторы в документации приводятся импульсные ОБР или, что более информативно, семейство характеристик теплового импеданса от времени и скважности импульса. Цитата(tsww @ Jul 6 2015, 11:24)  если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Иногда даже меньше. Я бы уточнил "необратимого пробоя".
|
|
|
|
|
Jul 7 2015, 08:35
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 137
Регистрация: 8-05-06
Пользователь №: 16 882

|
Цитата(790 @ Jul 6 2015, 09:34)  Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает. Если 1 сек, то это хорошо. Покажите, полуйста схему защиты
|
|
|
|
|
Jul 9 2015, 06:33
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864

|
Цитата(TheMad @ Jul 8 2015, 16:32)  Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности. Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности. 80 мс вполне рабочая величина. Снижение ее на порядок, что возможно, кардинально ситуацию не изменит. В случае перегрузки по напряжению транзистор все равно "сгорит". Иногда для защиты от перенапряжения в затвор и сток ставят специальные ВЧ ограничительные диоды, способные в течение десятков мс выдерживать перенапряжения. А за это время уже начинает отрабатывать обычная защита. Да, по конструированию выходной цепи начинающейся с емкости - думаю, что это нецелесобразно. Нецелесобразно по причине неопределенности предстоящего рассогласования. Возможны случаи когда эта емкость "срезонирует" и эффект будет обратный.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|