реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V   1 2 >  
Reply to this topicStart new topic
> Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование
790
сообщение Jul 4 2015, 18:44
Сообщение #1


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 85
Регистрация: 5-06-15
Пользователь №: 87 024



Здравствуйте.
Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ser_aleksey_p
сообщение Jul 4 2015, 21:08
Сообщение #2


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 399
Регистрация: 25-07-10
Из: Rybinsk
Пользователь №: 58 593



Цитата(790 @ Jul 4 2015, 21:44) *
Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?


Глазом моргнуть не успеешь blink.gif , как придется покупать новый.
Надеюсь, речь идет о больших мощностях.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
790
сообщение Jul 5 2015, 05:52
Сообщение #3


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 85
Регистрация: 5-06-15
Пользователь №: 87 024



Цитата(ser_aleksey_p @ Jul 5 2015, 00:08) *
Глазом моргнуть не успеешь blink.gif , как придется покупать новый.
Надеюсь, речь идет о больших мощностях.


Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
l1l1l1
сообщение Jul 5 2015, 07:23
Сообщение #4


Профессионал
******

Группа: Модератор FTP
Сообщений: 2 111
Регистрация: 29-12-05
Пользователь №: 12 684



Цитата(790 @ Jul 5 2015, 08:52) *
Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт.

для обычных применений безразлично, гибнет ли транзистор мгновенно, или в течение долей секунды,
и производитель это время ни определять, ни указывать в даташитах не будет.
наверняка интересующее время зависит и от частоты сигнала, и от типа транзистора.
поэтому, если даже кто-то и имеет цифру, то вряд ли совпадут с вашими его мощность, частота и тип транзистора.
и раз уж вам для ваших целей это важно, придется вам самому организовывать эксперимент,
проводить измерения и определять это время.
после того, как вы проведете эти эксперименты, было бы любезно с вашей стороны поделиться здесь результатами ваших экспериментов.

Go to the top of the page
 
+Quote Post
saab
сообщение Jul 5 2015, 20:03
Сообщение #5


Профессионал
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 013
Регистрация: 8-04-14
Пользователь №: 81 284



Цитата(790 @ Jul 5 2015, 03:44) *
Здравствуйте.
Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.

Ээ, до Канадской границы успеем laughing.gif
Есть еще вторичный пробой. Кстати не указали тип BJT или PHEMT или FET какой.
Между прочим существенная разница.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Jul 6 2015, 04:38
Сообщение #6


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(790 @ Jul 4 2015, 21:44) *
Здравствуйте.
Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.

В некоторых ТУ на мощные отечественные транзисторы, в методике, где описывается как измерить такой параметр как работа на рассогласованную нагрузку, указывается время 1 сек. Причем речь идет о работе не на ХХ или КЗ, а на КСВ = 20(15).


Сообщение отредактировал tsww - Jul 6 2015, 04:46
Go to the top of the page
 
+Quote Post
790
сообщение Jul 6 2015, 06:34
Сообщение #7


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 85
Регистрация: 5-06-15
Пользователь №: 87 024



Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.
Если 1 сек, то это хорошо.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Jul 6 2015, 08:24
Сообщение #8


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(790 @ Jul 6 2015, 09:34) *
Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.
Если 1 сек, то это хорошо.

Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Кроме того не стоит забывать и о области безопасной работы - это зависимость связывающая безопасный ток и напряжение. Обычно завязана на величину максимальной рассеиваемой мощности, т. е. произведение тока и напряжения не должно превышать эту мощность. При больших напряжениях имеет ограничение.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
MePavel
сообщение Jul 6 2015, 17:53
Сообщение #9


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150



Цитата(tsww @ Jul 6 2015, 11:24) *
Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго,

Достаточно долго - это от нескольких десятков микросекунд до долей секунды. В зависимости от того за какое время температура в активной области кристалла достигнет критической (максимально допустимой). Определяется тепловым импедансом транзистора, температурой корпуса и рассеиваемой мощностью на транзисторном кристалле. На некоторые транзисторы в документации приводятся импульсные ОБР или, что более информативно, семейство характеристик теплового импеданса от времени и скважности импульса.
Цитата(tsww @ Jul 6 2015, 11:24) *
если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд.

Иногда даже меньше. Я бы уточнил "необратимого пробоя".
Go to the top of the page
 
+Quote Post
RFF-11
сообщение Jul 7 2015, 08:35
Сообщение #10


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 137
Регистрация: 8-05-06
Пользователь №: 16 882



Цитата(790 @ Jul 6 2015, 09:34) *
Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.
Если 1 сек, то это хорошо.


Покажите, полуйста схему защиты
Go to the top of the page
 
+Quote Post
TheMad
сообщение Jul 8 2015, 13:32
Сообщение #11


Знающий
****

Группа: Свой
Сообщений: 660
Регистрация: 12-07-06
Пользователь №: 18 770



Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности.
Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.


--------------------
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Sokrat
сообщение Jul 9 2015, 04:02
Сообщение #12


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 455
Регистрация: 13-04-08
Из: Владимирская обл., г. Муром
Пользователь №: 36 738



Цитата(TheMad @ Jul 8 2015, 16:32) *
Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.

Может снижения???
Go to the top of the page
 
+Quote Post
tsww
сообщение Jul 9 2015, 06:33
Сообщение #13


Частый гость
**

Группа: Участник
Сообщений: 105
Регистрация: 24-06-11
Пользователь №: 65 864



Цитата(TheMad @ Jul 8 2015, 16:32) *
Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности.
Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.

80 мс вполне рабочая величина. Снижение ее на порядок, что возможно, кардинально ситуацию не изменит. В случае перегрузки по напряжению транзистор все равно "сгорит". Иногда для защиты от перенапряжения в затвор и сток ставят специальные ВЧ ограничительные диоды, способные в течение десятков мс выдерживать перенапряжения. А за это время уже начинает отрабатывать обычная защита.
Да, по конструированию выходной цепи начинающейся с емкости - думаю, что это нецелесобразно. Нецелесобразно по причине неопределенности предстоящего рассогласования. Возможны случаи когда эта емкость "срезонирует" и эффект будет обратный.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Sokrat
сообщение Jul 10 2015, 04:02
Сообщение #14


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 455
Регистрация: 13-04-08
Из: Владимирская обл., г. Муром
Пользователь №: 36 738



Цитата(790 @ Jul 6 2015, 09:34) *
Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.
Если 1 сек, то это хорошо.

И всё-таки, можно взглянуть как построена схема защиты?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
790
сообщение Jul 10 2015, 05:33
Сообщение #15


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 85
Регистрация: 5-06-15
Пользователь №: 87 024



Защита построенная на направленном ответвителе.

Сам транзистор довольно стойкий.

Capable of Handing 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 48 Watts CW Output Power(3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 1 mW to 30 Watts CW Pout.

Наверное лучше циркуляторов ничего не придумать.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V   1 2 >
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 21st July 2025 - 16:12
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01472 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016