Здравствуйте.
Какое время СВЧ транзистор выдерживает рассогласование xx?

Находил информацию 10-20 мкс и 1-2 с. Разница большая. В даташитах не пишут.

Глазом моргнуть не успеешь , как придется покупать новый.
Надеюсь, речь идет о больших мощностях.

Это понятно) Нужны цифры. Мощность 30-50 Ватт.

для обычных применений безразлично, гибнет ли транзистор мгновенно, или в течение долей секунды,
и производитель это время ни определять, ни указывать в даташитах не будет.
наверняка интересующее время зависит и от частоты сигнала, и от типа транзистора.
поэтому, если даже кто-то и имеет цифру, то вряд ли совпадут с вашими его мощность, частота и тип транзистора.
и раз уж вам для ваших целей это важно, придется вам самому организовывать эксперимент,
проводить измерения и определять это время.
после того, как вы проведете эти эксперименты, было бы любезно с вашей стороны поделиться здесь результатами ваших экспериментов.

Ээ, до Канадской границы успеем
Есть еще вторичный пробой. Кстати не указали тип BJT или PHEMT или FET какой.
Между прочим существенная разница.

В некоторых ТУ на мощные отечественные транзисторы, в методике, где описывается как измерить такой параметр как работа на рассогласованную нагрузку, указывается время 1 сек. Причем речь идет о работе не на ХХ или КЗ, а на КСВ = 20(15).

Транзистор LDMOS, 1 ГГц, 30 Вт. Защита срабатывает за 80 мс, транзистор не сгорает.
Если 1 сек, то это хорошо.

Важно понять характер рассогласования - если рассогласование приводит к увеличению тока стока, то транзистор это выдерживает достаточно долго, если же к перенапряжению, то процесс пробоя занимает десятки наносекунд. Кроме того не стоит забывать и о области безопасной работы - это зависимость связывающая безопасный ток и напряжение. Обычно завязана на величину максимальной рассеиваемой мощности, т. е. произведение тока и напряжения не должно превышать эту мощность. При больших напряжениях имеет ограничение.

Достаточно долго - это от нескольких десятков микросекунд до долей секунды. В зависимости от того за какое время температура в активной области кристалла достигнет критической (максимально допустимой). Определяется тепловым импедансом транзистора, температурой корпуса и рассеиваемой мощностью на транзисторном кристалле. На некоторые транзисторы в документации приводятся импульсные ОБР или, что более информативно, семейство характеристик теплового импеданса от времени и скважности импульса.

Иногда даже меньше. Я бы уточнил "необратимого пробоя".

Покажите, полуйста схему защиты

Да, мне тоже видится что 80 мс для защиты это очень медленно, в особенности когда речь идёт о 1 ГГц и немаленькой мощности.
Полностью согласен с предыдущими ораторами: если транзистор попадёт в пучность напряжения стоячей волны то жить ему останется недолго - как правило десятки-сотни наносекунд. Также влияние имеет добротность выходной цепи и то с чего она начинается. Если сконструировать выходную цепь так чтобы она начиналась с приличного (для данного напряжения и мощности) конденсатора то можно потерять несколько процентов КПД получив на сдачу весьма полезное осложнение перенапряжения на коллекторе\стоке и как следствие повышение надёжности.

Может снижения???

80 мс вполне рабочая величина. Снижение ее на порядок, что возможно, кардинально ситуацию не изменит. В случае перегрузки по напряжению транзистор все равно "сгорит". Иногда для защиты от перенапряжения в затвор и сток ставят специальные ВЧ ограничительные диоды, способные в течение десятков мс выдерживать перенапряжения. А за это время уже начинает отрабатывать обычная защита.
Да, по конструированию выходной цепи начинающейся с емкости - думаю, что это нецелесобразно. Нецелесобразно по причине неопределенности предстоящего рассогласования. Возможны случаи когда эта емкость "срезонирует" и эффект будет обратный.

И всё-таки, можно взглянуть как построена схема защиты?

Защита построенная на направленном ответвителе.

Сам транзистор довольно стойкий.

Capable of Handing 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 48 Watts CW Output Power(3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
Stable into a 5:1 VSWR. All Spurs Below -60 dBc @ 1 mW to 30 Watts CW Pout.

Наверное лучше циркуляторов ничего не придумать.

Изоляторов батенька, довольно дорогая и узкополосная штука.

Почему не начать с моделирования схемы в САПР ? Кроме того, холостой ход - он где ? Открутили разъем от передатчика, или антенна оборвана на конце фидера. В первом случае фаза отраженной волны всегда одна и та же, что несколько упрощает задачу, во втором - зависит от длины кабеля. А в зависимости от фазы будет будет и по-разному изгибаться нагрузочная кривая. Если не использовать вентили на выходе, то вариант решения по сути один - транзистор с запасом по пробивному напряжению, работающий процентов на 30-60 от максимума. Кстати, большинство современных GaN транзисторов испытывается в режимах с большим КСВН нагрузки, порядка 10, в документах по надежности такие тесты есть. И живут они в таких режимах довольно долго, часами, с некоторой деградацией выходной мощности.

Откручивал от выхода, длинный кабель, кз, нагрузки с разными КСВН. Микросхема держит КСВН 10. Надо пробовать на разных транзисторах.