Изоляторов батенька, довольно дорогая и узкополосная штука.

Почему не начать с моделирования схемы в САПР ? Кроме того, холостой ход - он где ? Открутили разъем от передатчика, или антенна оборвана на конце фидера. В первом случае фаза отраженной волны всегда одна и та же, что несколько упрощает задачу, во втором - зависит от длины кабеля. А в зависимости от фазы будет будет и по-разному изгибаться нагрузочная кривая. Если не использовать вентили на выходе, то вариант решения по сути один - транзистор с запасом по пробивному напряжению, работающий процентов на 30-60 от максимума. Кстати, большинство современных GaN транзисторов испытывается в режимах с большим КСВН нагрузки, порядка 10, в документах по надежности такие тесты есть. И живут они в таких режимах довольно долго, часами, с некоторой деградацией выходной мощности.

Откручивал от выхода, длинный кабель, кз, нагрузки с разными КСВН. Микросхема держит КСВН 10. Надо пробовать на разных транзисторах.