|
|
  |
транзистор с обратносмещенным переходом база-эммитер, в серийном устройстве |
|
|
|
Jul 18 2015, 04:16
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 37
Регистрация: 7-08-05
Пользователь №: 7 421

|
Добрый день! Сразу скажу -- не нубы. Но в серийном устройстве просмотрели ситуацию, когда переходе база-эммитер NPN транзистора смещен в обратную сторону. Причем почти всегда во время работы устройства. Течет ток порядка 200 мкА. Переход получился как стабилитрон со напряжением пробоя 8 вольт.  Тестировали, все работает отлично, ничего не грелось и не сгорало. Вообще про это не думали. Но в даташите вдруг оказалось, что так делать нельзя...  Насколько такое использование неправильно? Что будет при длительной эксплуатации? Заранее благодарен за любые идеи.
Сообщение отредактировал Dj_Atmex - Jul 18 2015, 04:16
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 05:34
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 13 372
Регистрация: 27-11-04
Из: Riga, Latvia
Пользователь №: 1 244

|
QUOTE (Dj_Atmex @ Jul 18 2015, 07:16)  Насколько такое использование неправильно? Что будет при длительной эксплуатации? Ну точно на этот вопрос Вам никто не ответит. Но как таковое использование обычных транзиторов в режиме лавинного пробоя в прежние времена было. Не массовым, но и не дивной экзотикой. Хотя насколько могу помнить реальные схемы, там все-же в этом режимк не находились постоянно. Хотя и токи были побольше. Ключевой вопрос в ОГРАНИЧЕНИИ тока. Эти самые 200uA чем определены? Внешними цепями, или эти 8V прямо от источника напряжения прилетают? В первом случае все почти наверняка безобидно. Во втором 100% криминал. Очевидно, что по при таком использовании нужно все-же предполагать, что срок службы транзистора уменьшится, поскольку лавиный пробой, в неспециально созданных стуктурах, происходит в малой части площади p-n перехода. Хотя в данном случае 200uA по сравнению с максимальным прямым током базы (каким кстати?) скорее всего катостофическим не выглядит. QUOTE (Белый дед @ Jul 18 2015, 08:20)  Транзисторы даже используют как термокомпенсированные стабилитроны, которые могут работать в режиме микротоков. Мощность на переходе и максимальный ток базы только не нужно превышать. Стабилитроны и стабисторы о которых Вы попытались рассказать, есть две РАЗНЫЕ сущности.
--------------------
Feci, quod potui, faciant meliora potentes
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 05:49
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 37
Регистрация: 7-08-05
Пользователь №: 7 421

|
Спасибо большое за ответ, zltigo!
Конечно, ток базы определен внешними цепями. 48В и 200 кОм. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер расписано для 1 мА и 5 мА (транзистор MMBT5551).
Очень интересно, сейчас гуглю схемы с лавинным пробоем. Некоторые из них вполне себе наверное имели серийное применение.
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 06:09
|
Местный
  
Группа: Участник
Сообщений: 495
Регистрация: 6-05-09
Пользователь №: 48 727

|
Цитата(zltigo @ Jul 18 2015, 11:34)  Но как таковое использование обычных транзиторов в режиме лавинного пробоя в прежние времена было. Очевидно, что по при таком использовании нужно все-же предполагать, что срок службы транзистора уменьшится, поскольку лавиный пробой, в неспециально созданных стуктурах, происходит в малой части площади p-n перехода. Стабилитроны и стабисторы о которых Вы попытались рассказать, есть две РАЗНЫЕ сущности. Я бы вам порекомендовал больше никогда не писать про то, в чем (cenzored)не понимаете. Во-первых, пробой эмиттерного перехода не лавинный, а туннельный. Во-вторых, транзисторы для режима лавинного пробоя производятся серийно и ничем не отличаются от обычных, кроме цены. В третьих, если включить транзистор с отключенной базой, получится эмиттерный переход с обратным смещением и последовательно включенный коллекторный переход с прямым смещением. В сумме - термокомпенсированный стабилитрон, а никакой не стабистор.
Сообщение отредактировал Егоров - Jul 18 2015, 06:56
Причина редактирования: Грубость!
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 06:25
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 13 372
Регистрация: 27-11-04
Из: Riga, Latvia
Пользователь №: 1 244

|
Цитата(Белый дед @ Jul 18 2015, 09:09)  Я бы вам порекомендовал больше никогда не писать про то, в чем ......не понимаете.  Цитата Во-первых, пробой эмиттерного перехода не лавинный, а туннельный. Нет. Механизма "пробя" два, но туннельный престает сказываться на фоне лавинного. Цитата Во-вторых, транзисторы для режима лавинного пробоя производятся серийно и ничем не отличаются от обычных, кроме цены. Крутое утверждение, это я про "ничем не отличаются", а не о серийном производстве. Цитата В третьих, если включить транзистор с отключенной базой, получится эмиттерный переход с обратным смещением и последовательно включенный коллекторный переход с прямым смещением. Вам не кажется, что речь идет о абсолютно другом включении? Про притягтвание "термокомпенсации" в 2mV/C ненормированного напряжения пробя тоже очень понравилось. Цитата(Dj_Atmex @ Jul 18 2015, 08:49)  Напряжение насыщения коллектор-эмиттер расписано для 1 мА и 5 мА (транзистор MMBT5551). Да, прямой ток базы не отнормировали вообще. Но те-же 5mA нормированы для 50mA коллектроного. Так-то 5mA базового еще достаточно далеки от максимума.
Сообщение отредактировал Егоров - Jul 18 2015, 06:57
Причина редактирования: Грубость в цитате
--------------------
Feci, quod potui, faciant meliora potentes
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 06:38
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 37
Регистрация: 7-08-05
Пользователь №: 7 421

|
Спасибо! Да-да, я понял что речь идет про другой переход. Но пробой перехода эмиттер-база видимо тоже широко используется. Например в генераторах розового шума. Очень много схем с таким включением транзистора выгугливается. Вот например  Цитата(Белый дед @ Jul 18 2015, 10:09)  Во-первых, пробой эмиттерного перехода не лавинный, а туннельный.
Сообщение отредактировал Dj_Atmex - Jul 18 2015, 06:40
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 06:41
|

Гуру
     
Группа: Свой
Сообщений: 13 372
Регистрация: 27-11-04
Из: Riga, Latvia
Пользователь №: 1 244

|
QUOTE (Белый дед @ Jul 18 2015, 09:28)  Трудно что-то доказать человеку, который когда-то непонятно что прочитал в книжках и сразу все забыл. Забыть спецальность трудно. Да и любимую книжку с обманчивым названим "Основы теории транзисторов и транзисторных схем", тоже. QUOTE Напряжение пробоя эмиттерного перехода транзистора почти всех транзисторов от 5 до 6 вольт. Это в чистом виде лавинный пробой. Вы уже начали вообще в "показаних" путаться. Для начала нахали с утверждением, что QUOTE Во-первых, пробой эмиттерного перехода не лавинный, а туннельный. Теперь прямо противоположное. QUOTE И это никак не уменьшает срока работы п/п прибора. В специально сконструированном - да. В том, который по Вашим утверждениям "ничем не отличаются от обычных, кроме цены" - нет.
--------------------
Feci, quod potui, faciant meliora potentes
|
|
|
|
|
Jul 18 2015, 07:05
|
Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 541
Регистрация: 21-03-12
Из: РФ
Пользователь №: 70 919

|
Цитата(Белый дед @ Jul 18 2015, 10:09)  транзисторы для режима лавинного пробоя производятся серийно и ничем не отличаются от обычных, кроме цены. Уважаемые господа, не спорьте )))) тут просто некоторая путаница образовалась)) Лавинный режим - это особый режим, создающийся при включении транзистора. И очень часто для него используют именно 5551 (потому что ZTX415 чертовски дорогие). Лавинный режим используют для получения чрезвычайно коротких фронтов, это не то, что пробой на постоянном токе типа стабилитрона. (Я использовал 5551 в лавинном режиме, и специально проверял, не "стареют" ли они при этом. Ухудшения параметров не наблюдалось.)
--------------------
Построив автомобили, человечество освободило лошадей от необходимости работать. Почему оно не освободило от такой необходимости себя ))
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|