В общем-то давно понятно, что это одинаковые кристаллы, только возможно в корпусе с пониженной индуктивностью.
Ну или может быть база разварена не одним проводником, а двумя.

Типа "стабилитрона" особо ни о чем не говорит, ибо "полезных" межанизмов пробоя таки действительно два и использоаться могут оба.
Но ситуаця такова, что туннельный механизм уже тонет в лавинном начиная с порядка 5V обратного напряжения, даже если специально играться с легированием. Так-что все заметно более 5V работает реально на лавинном пробое.
Поминаемое в данной теме напряжение 8V, это уже чистейший лавинный пробой. Точка. Так-то фантазии Белый дед может оставить при себе.
В райоте 5V - дело темное, но можно пытаться оценивать по температурному коэффициенту - те, которые на туннельном эффекте, те имеют отрицательный температурный коэццициент, ибо ширина запрещенной зоны с ростом темературы уменьшается.

Наверное правильнее было бы все-таки разграничить "лавинный пробой" в смысле физики явления в pn-переходе, и "лавинный режим" (avalanche mode), если мы говорим о лавинных транзисторах.
Лавинный режим заключается в следующем.
Если напряжение К-Э на закрытом 5551 повышается медленно, то около +270v он открывается как стабилитрон на это напряжение.
Если же напряжение повышается быстро, то на этом пороге он открывается полностью, наподобие динистора, за очень малое время. Это и есть лавинный режим. Можно получить очень короткий фронт нарастания тока, недоступный другими способами.

Ваши рассуждения про напряжения пробоя относятся исключительно к промышленным стабилитронам.
Причем цифры взяты из литературы 70-80 годов и соответствуют технологиям и нормам тех лет.
В pn переходах реальных современных маломощных транзисторов все немного по-другому.
Поэтому критику, типа это 5 вольт - туннельный пробой, а это 7 вольт - уже исключительно лавинный, оставьте при себе.
Эту информацию в книжках и интернетах вы вряд ли найдете, это мои личные экспериментальные данные.
А с нафталинными теоретиками дел иметь не хочу.

Я плакал читая эти строки. "Личные экпериментальные данные", это вообще прекрасно - не надо прозябать на этом форуме - Ваше место в ряду Зеннера, Маккея. Двигайте науку, а то там все погрязли, причем даже не в 70-80 годах, а вообще к 30x.
Решили, паразиты физики, что туннельный эффект при напряжениях уже больше 4х запрешенных зон вытесняться начинает, и так и пребывыют в заблуждении. Дерзайте - у Вас появляются шансы приблизится к Нобелевской премии.
И на 70x годов книжку, уважаемого Степаненко, названую мной, бочку катить не надо. Там нет ни технологий ни норм. Физика. Просто физика. Почитайте, хоть она и зело толстая для неокрепших умов. Но для данной темы будет вполне достаточно первой ее части.
Теория она ведь чем перекрасна - она объясняет ГРАНИЦЫ ВОЗМОЖНОГО. И как-бы она ни была "нанафталинена", пусть даже реальным нафталином сыпавшимся в париков ее создателей, она живет. И если Ваши "экспериментальные данные" противоречат "нафталинным теоретиям", то есть два варианта, либо Ваш неназваный и неописанный эксперимент некооректный, либо Вам действиельно надо двигать науку вперед. Но второе, могу оценить, как совершенно неверояный исход.

zltigo, будет просто замечательно, если Вы пороетесь в этой чудо-книге и ответите убойной физикой на непосредственный вопрос темы, т.е. от чего зависит деградация.

Да он даже механизм лавиного пробоя не понимает, а вы его про деградацию спрашиваете.

Типа "постебаться" захотели? Ну-ну .
Ответ на этот вопрос лежит за пределами физики полупроводников в ее чистом виде. Так-что вопросы типа почему после удара молотком транзистор не работает, это уже другая физика и химия. Про молоток, это, конечо, шутка, но общий ответ простой - НАКОПЛЕНИЕ ДЕФЕКТОВ. Как накоплению дефектов способствует постоянная работа в режиме режиме лавиннго пробоя, ответ тоже простой - как и ЛЮБОЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ - способствует. Вопрос, конечно, в степени воздействия и его минимизации. Тут уж карты в руки и физикам теоретикам, и физикам экспериментаторам и технологам - как минимизировать в конкретном приборе. И как соответсвенно сделать, например, лавинный транзитор НЕ переклеиванием бирки с ценой.

Если вернуться к вопросу ТС, то ни лавинный, ни туннельный пробои ресурса транзистора не съедят, если тот не греется.
Изначально бездефектный полупроводник в транзисторе будет работать столетиями (если не понимать под дефектами легирующие примеси), т.к. скорость диффузионных процессов очень мала при нормальной температуре.
Если говорим о дефектах типа несанкционированных загрязнений, вызывающих коррозию, электромиграцию и пр. причины постепенных отказов, то вроде как с ними научились бороться вне зависимости от типа транзистора и режима его включения.

Единственно, надо посмотреть, какие импульсные токи будут в его схеме, т.к. они могут вызывать локальные разогревы, которые не почувствуешь снаружи, но которые будут влиять на ресурс. Тут нужна более подробная инфо по схеме включения, воздействующих сигналах и назначению такого удивительного каскада.

Это доказывает факт существования ультрастабильных ИОН на стабилитронах, непрерывно работающих в режиме лавинного пробоя при достаточно больших токах.
И никакой деградации и "накопления дефектов".

Сообщение отредактировал Белый дед - Jul 18 2015, 12:45

а вот деградация осветительных светодиодов - очень даже зримый факт...

Светодиоды, п/п лазеры и высоковольтные устройства - одни из немногих примеров полупроводниковых девайсов, явно подверженных деградации. Все из-за предельных режимов.
Хотя, по-моему, в светодиодах больше проблем из-за люминофора

Как человек написавший в самом первом посте, что скорее в описанном режиме все обойдется, я тем не менее не могу не заметить, что понятие ПРЕДЕЛЬНЫЙ РЕЖИМ у каждого конкретного полупроводникового прибора свое. Увы , так-что размышлизмы того-же Белый дед http://electronix.ru/forum/index.php?showt...t&p=1352313 в стиле, что существование танков доказывает, что на автомобилях можно носиться по лесу и сшибать деревья, ну очень......


Ну осветительные светодиоды, особозримо в основном из-за люминофора деградируют. Хотя, как пример зримой деградации - хорошо .

Ну так опишите механизм лавинного пробоя перехода, не томите.
Еще очень просим описать, как именно образуются дефекты при пробое.

Сообщение отредактировал Белый дед - Jul 18 2015, 13:38

В самом начале 90-х годов принимал участие в выпуске партии приборов для тогдашних телефонных линий с запиткой от них же.
Там в качестве стабилитрона использовался обратносмещёный переход Б-Э транзистора КТ315. (С ограничением тока естественно).
Рекламаций до сих пор не поступало. Так что пользуйтесь и не бойтесь.
Хотя может быть все уже давно перешли на сотовые...
А в генераторе шума на обратносмещённом переходе режим чуть-чуть отличается от режима стабилизации напряжения, тем что
надо работать на самом изломе ВАХ. Там шум даже получается не симметричный... Но фильтрами всё исправляется.
Ребята давайте жить дружно...