как я понял вот объяснение:


полоска фоторезиста "подтравливается" с той стороны, где до другой полоски фоторезиста достаточно большое расстояние - со стороны полигона.

и далее - если полигон разрезать проводником, получается следующая структура фоторезиста: нет фоторезиста (полигон) - есть полоска (зазор полигон проводник)(подтравливается слева) - нет полоски (проводник) - есть полоска (зазор полигон проводник)(подтравливается справа) - нет фоторезиста (полигон). из этого имеем - сам проводник травится точно 0.15 а зазоры слева и справа от него - уменьшаются.

осталось только выяснить какой размер меди влияет на подтравливание фоторезиста.

Спасибо не интересует, платы сделаные по вашему мнению стоят дороже чем те которые сделает человек который понимает этот вопрос правильно.

Да, хорошее слово. А чего бы это ей "подтравливаться"? С какого перепугу? Свет, что ли рассеивается, отражаясь от большего участка меди (от полигона)?


хорошо-хорошо... Только вот разобраться бы, почему "подтравливается"...


Плюсую однозначно.

имхо
эти "трабования" позволяют держать более широкие ворота по концентрации рабочих растворов, вот и всё.
отсюда и всякие "недотравилось, перетравилось".

Такого критерия не существует.
На самом деле тут многое зависит от общего рисунка платы — насколько она насыщена, насколько равномерно распределена медь по всей плате, какой именно ширины проводники проходят около полигона, какова площадт самого полигона и его конфигурация... Всё это учесть, а тем более описать правилами при трассировке, невозможно. Да и не нужно. Для этого и ввели достаточно простой и легко реализуемый параметр — расстояние от полигона до проводника.



держать стабильность качества изготовления плат.