реклама на сайте
подробности

 
 
3 страниц V  < 1 2 3  
Reply to this topicStart new topic
> Питание MGT, xilinx multi-gigabit transceiver power supply
kappafrom
сообщение Dec 3 2015, 10:14
Сообщение #31


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 379
Регистрация: 23-10-12
Из: Msk
Пользователь №: 74 056



Да, mgt не было. Хотим потестить mgt каналы, впихнуть в старую разводку, но сделать как можно больше для того, чтоб он заработал и как можно меньше навредить прежним сигналам. Существенное ограничение сверху сейчас - толщина платы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
peshkoff
сообщение Dec 3 2015, 10:37
Сообщение #32


люблю бегать и орать
*****

Группа: Свой
Сообщений: 1 685
Регистрация: 28-04-07
Из: ЮБутово@Москва.ru
Пользователь №: 27 376



Цитата(kappafrom @ Dec 3 2015, 13:14) *
Да, mgt не было. Хотим потестить mgt каналы, впихнуть в старую разводку, но сделать как можно больше для того, чтоб он заработал и как можно меньше навредить прежним сигналам. Существенное ограничение сверху сейчас - толщина платы.


Без картинок сложно что-либо советовать. Вы пишите, что пара слоев внутри относительно свободны. Туда и расположите полигон питания и сигнальные линии. Вообще МГТ не так много едят, отдельно плэйн ему не нужен
Go to the top of the page
 
+Quote Post
kappafrom
сообщение Dec 3 2015, 12:55
Сообщение #33


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 379
Регистрация: 23-10-12
Из: Msk
Пользователь №: 74 056



Если не делать для mgt отдельное питание, задача упростится, т.к. +1V2 в одном из полигонов уже есть. Правда приходит оно с DC-DC и от него питаются ядра больших микросхем. В референсах у банков MGT свой линейный регулятор (u)ldo. Они хоть и в два раза меньшие по эффективности, чем dcdc. Но для высокоскоростного интерфейса нужно fast transient response, желательно не нагруженный ничем другим. Давно решил, что для mgt буду делать своё питание и свой клок.
Относительно свободны сигнальные слои. Размещать в них полигон питания не желательно.
Последнее что придумал, учитывая слова форумчан:
1 sig, mgt_clk
2 gnd
3 sig + gnd
4 pwr (+5V, +1V8, +1V2, mgt_pwr)
5 sig + gnd
6 gnd
7 pwr (+3V3, +2V5)
8 sig +gnd
9 gnd
10 sig +mgt_sig
11 gnd
12 sig

Причём в отличие от предыдущей конфигурации стека:
1 sig
2 gnd
3 sig
4 pwr
5 sig
6 sig
7 pwr
8 sig
9 gnd
10 sig
Каждый слой у меня теперь экранирован с двух сторон, почти все сигнальные слои земля как опора, есть конденсатор из полигонов в центре стека, умещен mgt, добавлены заливки землёй сигнальных слоёв.
Питание мгт расположу на топе, переходов по слоям будет шесть (три с топа на слой mgt_pwr и три обратно). Лучше, чем если установить питание на боттоме, тогда в двенадцатислойке по переходам будет 11 слоев. По индуктивности так выгоднее.
Плюс ради уменьшения стабов располагаю сигнальные линии мгт ниже, лишние контактные площадки с других слоёв удалю. И мгт дифпары будут лежать между двумя сплошными земляными полигонами. Для старой разводки стало либо лучше по опоре, либо не хуже, чем было. На мой взгляд, лучшее что пока придумал.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
kappafrom
сообщение Dec 7 2015, 09:59
Сообщение #34


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 379
Регистрация: 23-10-12
Из: Msk
Пользователь №: 74 056



1)
Цитата(peshkoff @ Dec 2 2015, 15:59) *
питание - 2 центральных плэйна.

насколько хорош этот вариант?
вижу минус: емкостная связь между полигонами питания (выгоднее pwr-gnd).
вижу плюс: у каждого сигнального слоя в опоре - хотя бы один неразорванный полигон (земля).
прокомментируйте, пожалуйста.

2) можно ли расположить ULDO непосредственно рядом с MGT в цифровой зоне платы (см. 1) или лучше в зоне остальных источников питания и тянуть длинным полигоном до зоны MGT (см. 2)?
Прикрепленное изображение
Go to the top of the page
 
+Quote Post

3 страниц V  < 1 2 3
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 19th June 2025 - 23:30
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01328 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016