Если не делать для mgt отдельное питание, задача упростится, т.к. +1V2 в одном из полигонов уже есть. Правда приходит оно с DC-DC и от него питаются ядра больших микросхем. В референсах у банков MGT свой линейный регулятор (u)ldo. Они хоть и в два раза меньшие по эффективности, чем dcdc. Но для высокоскоростного интерфейса нужно fast transient response, желательно не нагруженный ничем другим. Давно решил, что для mgt буду делать своё питание и свой клок. Относительно свободны сигнальные слои. Размещать в них полигон питания не желательно. Последнее что придумал, учитывая слова форумчан: 1 sig, mgt_clk 2 gnd 3 sig + gnd 4 pwr (+5V, +1V8, +1V2, mgt_pwr) 5 sig + gnd 6 gnd 7 pwr (+3V3, +2V5) 8 sig +gnd 9 gnd 10 sig +mgt_sig 11 gnd 12 sig
Причём в отличие от предыдущей конфигурации стека: 1 sig 2 gnd 3 sig 4 pwr 5 sig 6 sig 7 pwr 8 sig 9 gnd 10 sig Каждый слой у меня теперь экранирован с двух сторон, почти все сигнальные слои земля как опора, есть конденсатор из полигонов в центре стека, умещен mgt, добавлены заливки землёй сигнальных слоёв. Питание мгт расположу на топе, переходов по слоям будет шесть (три с топа на слой mgt_pwr и три обратно). Лучше, чем если установить питание на боттоме, тогда в двенадцатислойке по переходам будет 11 слоев. По индуктивности так выгоднее. Плюс ради уменьшения стабов располагаю сигнальные линии мгт ниже, лишние контактные площадки с других слоёв удалю. И мгт дифпары будут лежать между двумя сплошными земляными полигонами. Для старой разводки стало либо лучше по опоре, либо не хуже, чем было. На мой взгляд, лучшее что пока придумал.
|