Подскажите пожалуйста, какой из двух вариантов лучше и почему. Важна надежность и защита от наносекундных помех, пролезающих через паразитные связи от 220В на реле к управляющей схеме.

Вариант 1. Линии питания к реле (+12V_RELAY, GND_RELAY) сделаны дорожками.


Вариант 2. Линии питания к реле (+12V_RELAY, GND_RELAY) сделаны полигонами.


--

Питание развязано феритовыми бусинами:


Схема одного канала реле:

Защиту от наносекундных помех питание реле не решает, фильтры на питании управляющей схемы и экранирование помогут.
Теоретически полигон лучше, но реле нагрузка индуктивная, поэтому полигоны нужны только для увеличения пропускной способности по току.
Если трассы достаточно широкие можно трассами, полигон преимущества не даст.

Прошу прощения, невнимательно прочитал.
Попробуйте контакты на 220В зашунтировать небольшой ёмкостью.

Сообщение отредактировал V.K - Jan 14 2016, 16:44

А что порекомендуете в данной конструкции для защиты от пролезания наносекундных помех в цепи управления?



0.1 uF 630V хватит? Только боюсь что в этом случае маломощные нагрузки будут частично запитаны через этот конденсатор при разомкнутых контактах реле.

Проверьте. Если поможет - проверьте с меньшей ёмкостью.

1. Цепи питания реле зафильтруйте, у Вас там стоит всего один конденсатор, поставьте два с каждой стороны, на 10uF и 0.1uF и типоразмер 0805 или
1206, как минимум. А лучше 22uF в корпусе 1210 и 0.1uF 0805 c каждой стороны.

2. Цепи питания управляющей схемы тоже зафильтруйте,
a). на 12V поставьте Ferrite Bead, затем конденсатор 22uF в корпусе 1210 и 0.1uF 0805
б). Далее LDO или DCDC на 3.3V или сколько Вы там используете для питание схемы управления

3. У Вас базовая цепь транзистора нарисована неверно. Сначала должно идти Ferrite Bead затем конденсатор, затем база транзистора.
Так как транзистор по базе потребляет немного, и кроме того нужен токоограничивающий резистор то лучше сделать так
a). База транзистора должна через резистор 10К и конденстор 0.01uF соединена на землю, чтобы исключить любые левые броски и наводки на базу.
б). Далее идет резистор 1К на схему правления
То есть схема управления транзистором такая
Сигнал -> резистор 1К последовательно -> 10К+0.01uF на землю -> база транзистора.
в) Если хочется использовать FerriteBead для транзистора тогда так
Сигнал -> Ferrite Bead -> 0.1uF на землю -> резистор 1К последовательно -> 10К+0.01uF на землю -> база транзистора.

4. И наконец на плате питание от разъема должно сначала запитывать реле, а потом схему управления. Не наоборот.

5. Плата двухслойка с хорошей землей на нижнем слое без разрывов в полигоне земли.

Вот тогда вышибить ее будет сложно.

Тантал CASE A пойдет, или надо именно керамику?


Я так поставил из расчета что помеха лезет от реле со стороны базы транзистора и далее на ножку контроллера. Потому на пути помехи сначала Ferrite Bead, а потом конденсатор. Или неверно размышляю?


Там применен транзистор со встроенными резисторами 10k / 47k. Но получаетмя лучше поставить внешний резистор.


Там расходится две линии от ножки разъема, одна линия на питание реле, другая - на питание схемы управления.


А земля на нижнем слое - это GND или GND_RELAY ?


Спасибо, очень полезная информация.

Керамика, для фильтрации она лучше всего.

Если у Вас две земли GND и GND_RELAY, то обе земли на нижней стороне платы с зазором между ними.

3212 не ломанётся от механического воздействия на плату?
При таком корпусе стоит обратить внимание на подвижное крепление обкладок, если гонимся за надёжностью изделтя...

Я за вариант 1.
У полигонов емкость чуть выше - наносекундам будет легче проходить из 220 на полигон.
Схема одного канала реле:
на C6 обидится выход МК, земля C6 идет на грязную землю а надо на чистую.
Лучше поставить обычный транзистор с двумя базовыми резисторами, FB3 не нужна. Конденсатор в середине на "чистую" землю.

ошибся, поправил, конечно же 1210.