реклама на сайте
подробности

 
 
2 страниц V  < 1 2  
Reply to this topicStart new topic
> Максимальное сопротивление для подтяжки затвора
Plain
сообщение Jan 26 2016, 20:58
Сообщение #16


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



Какие ещё мегаомы, когда модем потребляет амперы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Herz
сообщение Jan 26 2016, 21:10
Сообщение #17


Гуру
******

Группа: Модераторы
Сообщений: 10 983
Регистрация: 23-11-05
Пользователь №: 11 287



Цитата(Ga_ry @ Jan 26 2016, 21:33) *
Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.
Используйте биполярный транзистор.

Как я отстал... Думал, это технология изготовления IGBT.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 26 2016, 22:01
Сообщение #18


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Цитата(Plain @ Jan 26 2016, 23:58) *
Какие ещё мегаомы, когда модем потребляет амперы.


Модем-то потребляет миллиамперы, но в устройстве он большую часть времени спит и средний ток мал.
Ну и биполярник тут не годится, нужно сопротивление открытого ключа в десятки мОм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Guest_TSerg_*
сообщение Jan 26 2016, 22:05
Сообщение #19





Guests






Цитата(Herz @ Jan 27 2016, 00:10) *
Как я отстал... Думал, это технология изготовления IGBT.


Лучше всего, для коммутации тока в носимых девайсах, использовать давно и хорошо себя зарекомендовавшие неубиваемые полупроводниковые элементы:

Прикрепленное изображение
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Plain
сообщение Jan 26 2016, 22:19
Сообщение #20


Гуру
******

Группа: Участник
Сообщений: 6 776
Регистрация: 5-03-09
Из: Москва
Пользователь №: 45 710



Цитата(quarz @ Jan 27 2016, 01:01) *
Модем-то потребляет миллиамперы, но в устройстве он большую часть времени спит и средний ток мал.

Во время сна, на всех резисторах Вашей схемы напряжение ноль, так что, какие эти резисторы номиналом — абсолютно без разницы.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Aner
сообщение Jan 27 2016, 10:08
Сообщение #21


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 4 869
Регистрация: 28-02-08
Из: СПБ
Пользователь №: 35 463



QUOTE (Plain @ Jan 27 2016, 02:19) *
Во время сна, на всех резисторах Вашей схемы напряжение ноль, так что, какие эти резисторы номиналом — абсолютно без разницы.

Правильно сказать, что на концах резисторов почти равные потенциалы и почти не течёт ток. Но чем выше номинал резистора в затворе, тем он более чувствителен к наведенным различным помехам. Если без разницы, то и не ставили туда резисторы. Зачем то их ставят; может поясните зачем?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
quarz
сообщение Jan 27 2016, 10:56
Сообщение #22


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980



Потенциал на затворе может навестись электромагнитным полем от протекающего тока через другие проводники на плате, правильно? Или от электростатического потенциала.
А резистор шунтирует затвор, позволяя току стечь на исток и выровнять потенциал затвора с истоком.

Вот как оценивать эти поля и наводки.
Например, если можно было бы оценить для конкретной платы мощность этих помех, к примеру: не более 16 мкВт, то можно уже и резистор рассчитать.

Ключ начинает открываться при Vgs=0.4В, значит на резисторе должно падать меньше Vgs, т.е. R<V^2/P; R < 10 КОм
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Ga_ry
сообщение Jan 27 2016, 12:38
Сообщение #23


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 494
Регистрация: 23-06-09
Из: Полтава, UA
Пользователь №: 50 579



Цитата(ШСА @ Jan 26 2016, 22:06) *
А нельзя ли поподробней?

Суть в том что тренч это сотни/тысячи маломощных транзисторов включеных параллельно для уменьшения итогового RDS мосфета но крутизна каждого из них неодинакова, поэтому при заходе в линейный режим некоторая часть транзисторов будет открываться раньше и весь ток нагрузки потечет через них. Результат - локальный перегрев и отказ единичных транзисторов.
Т.е. эти мосфеты можно применять только в режиме переключения, но никак не в линейном режиме.

Есть апноут от IRF an-1155 Linear Mode Operation of Radiation Hardened MOSFETS
там все подробно изложено.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ШСА
сообщение Jan 27 2016, 13:34
Сообщение #24


Местный
***

Группа: Участник
Сообщений: 291
Регистрация: 11-04-14
Из: Саратов
Пользователь №: 81 335



Спасибо за ссылку.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
shat
сообщение Jan 29 2016, 04:53
Сообщение #25





Группа: Участник
Сообщений: 8
Регистрация: 26-01-16
Пользователь №: 90 203



Цитата(quarz @ Jan 26 2016, 12:41) *
Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
Для уменьшения потребления в открытом состоянии, затворы ключей собираюсь подтягивать мегаомными резисторами R1, R3. Это нормально, они не будут приоткрываться от наводок в отсутствии сигнала GSM_PWREN? Ведь сопротивление резисторов наверное сравнимо с входым сопротивлением затвора.

Подскажите, от чего отталкиваться в выборе подтяжек.


По основному роду деетельности занимаюсь ремонтом ноутбуков.
Подобные "включатели" в них применяются в адских количествах и, на практике, не горят без видимых причин.
Единственные проблемы которые видел это "включающий" резистор(R2 в вашем случае) явно нездорового номинала(10 MOm) + остатки плохо "прожаренного" безотмывочного флюса создающие утечку в R1.
В сырую погоду транзистор открывался плохо и всё переставало работать. laughing.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post

2 страниц V  < 1 2
Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 18th July 2025 - 12:23
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01451 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016