|
Максимальное сопротивление для подтяжки затвора |
|
|
|
Jan 26 2016, 22:01
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980

|
Цитата(Plain @ Jan 26 2016, 23:58)  Какие ещё мегаомы, когда модем потребляет амперы. Модем-то потребляет миллиамперы, но в устройстве он большую часть времени спит и средний ток мал. Ну и биполярник тут не годится, нужно сопротивление открытого ключа в десятки мОм
|
|
|
|
Guest_TSerg_*
|
Jan 26 2016, 22:05
|
Guests

|
Цитата(Herz @ Jan 27 2016, 00:10)  Как я отстал... Думал, это технология изготовления IGBT. Лучше всего, для коммутации тока в носимых девайсах, использовать давно и хорошо себя зарекомендовавшие неубиваемые полупроводниковые элементы:
|
|
|
|
|
Jan 27 2016, 10:56
|
Участник

Группа: Участник
Сообщений: 66
Регистрация: 15-01-05
Из: Москва
Пользователь №: 1 980

|
Потенциал на затворе может навестись электромагнитным полем от протекающего тока через другие проводники на плате, правильно? Или от электростатического потенциала. А резистор шунтирует затвор, позволяя току стечь на исток и выровнять потенциал затвора с истоком.
Вот как оценивать эти поля и наводки. Например, если можно было бы оценить для конкретной платы мощность этих помех, к примеру: не более 16 мкВт, то можно уже и резистор рассчитать.
Ключ начинает открываться при Vgs=0.4В, значит на резисторе должно падать меньше Vgs, т.е. R<V^2/P; R < 10 КОм
|
|
|
|
|
Jan 27 2016, 12:38
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 494
Регистрация: 23-06-09
Из: Полтава, UA
Пользователь №: 50 579

|
Цитата(ШСА @ Jan 26 2016, 22:06)  А нельзя ли поподробней? Суть в том что тренч это сотни/тысячи маломощных транзисторов включеных параллельно для уменьшения итогового RDS мосфета но крутизна каждого из них неодинакова, поэтому при заходе в линейный режим некоторая часть транзисторов будет открываться раньше и весь ток нагрузки потечет через них. Результат - локальный перегрев и отказ единичных транзисторов. Т.е. эти мосфеты можно применять только в режиме переключения, но никак не в линейном режиме. Есть апноут от IRF an-1155 Linear Mode Operation of Radiation Hardened MOSFETS там все подробно изложено.
|
|
|
|
|
Jan 29 2016, 04:53
|
Группа: Участник
Сообщений: 8
Регистрация: 26-01-16
Пользователь №: 90 203

|
Цитата(quarz @ Jan 26 2016, 12:41)  Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением. Для уменьшения потребления в открытом состоянии, затворы ключей собираюсь подтягивать мегаомными резисторами R1, R3. Это нормально, они не будут приоткрываться от наводок в отсутствии сигнала GSM_PWREN? Ведь сопротивление резисторов наверное сравнимо с входым сопротивлением затвора. Подскажите, от чего отталкиваться в выборе подтяжек.  По основному роду деетельности занимаюсь ремонтом ноутбуков. Подобные "включатели" в них применяются в адских количествах и, на практике, не горят без видимых причин. Единственные проблемы которые видел это "включающий" резистор(R2 в вашем случае) явно нездорового номинала(10 MOm) + остатки плохо "прожаренного" безотмывочного флюса создающие утечку в R1. В сырую погоду транзистор открывался плохо и всё переставало работать.
|
|
|
|
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|