Делаю коммутацию питания GSM модуля с плавным включением.
Для уменьшения потребления в открытом состоянии, затворы ключей собираюсь подтягивать мегаомными резисторами R1, R3. Это нормально, они не будут приоткрываться от наводок в отсутствии сигнала GSM_PWREN? Ведь сопротивление резисторов наверное сравнимо с входым сопротивлением затвора.

Подскажите, от чего отталкиваться в выборе подтяжек.

если под плавным включением подразумевается медленное нарастание напряжения питания, то так делать вредно

мегаом на затворе - норм

Почему?
Время нарастания меньше 1мс, емкости (а их там 100 мкФ LowESR) будут заряжаться через Rdson без дикого сквозняка и просадок напряжения.

1мс - это не медленно.
а медленно плохо, потому что не все модемы нормально в таких условиях включаются

я правильно понял, что вы используете ключ только для этого?

Ключ для обесточивания, т.к. в режиме Sleep модуль жрет 150 мкА.

тогда чем вы обеспечиваете скорость нарастания? цепочкой R2-C1?

да, С1 заряжается через R2. Меня правда смущает что при плавном нарастании напряжении на затворе открываться он будет все равно шустро

более того этот узел не поддаётся адекватному расчёту

Ну почему же не поддается? У транзистора известно Vgsth - напряжение затвора, когда он начинает открываться и крутизна тоже известна

и какое же Vgsth конкретно у вашего транзистора, и у 100 других?

для PMPB15XP от -0.47 до -0.9 и судя по графикам из даташита уменьшается с ростом температуры 3мВ\градус.
1113, если вы так лихо критикуете - то и предложите как улучшить, если знаете как

Если этот мосфет сделан по тренч-технологии то перевод в линейный режим грозит его деградацией и выгоранием со временем.
Используйте биполярный транзистор.

Берем пц-спайc, микрокап и там все эмулируется без проблем. R1, R3 в один мегом делают более чувствительные затворы к помехам.
Кроме проверки схемы еще проверить разводку цепей и земель оч желательно. Q1 как IRLML6402 ( к тому же HEXFET он ) может получше и подешевле будет, и в затвор ему биполярник.

А нельзя ли поподробней?

Эти страшилки - для больших относительных токов.

Какие ещё мегаомы, когда модем потребляет амперы.

Как я отстал... Думал, это технология изготовления IGBT.

Модем-то потребляет миллиамперы, но в устройстве он большую часть времени спит и средний ток мал.
Ну и биполярник тут не годится, нужно сопротивление открытого ключа в десятки мОм

Лучше всего, для коммутации тока в носимых девайсах, использовать давно и хорошо себя зарекомендовавшие неубиваемые полупроводниковые элементы:

Нажмите для просмотра прикрепленного файла

Во время сна, на всех резисторах Вашей схемы напряжение ноль, так что, какие эти резисторы номиналом — абсолютно без разницы.

Правильно сказать, что на концах резисторов почти равные потенциалы и почти не течёт ток. Но чем выше номинал резистора в затворе, тем он более чувствителен к наведенным различным помехам. Если без разницы, то и не ставили туда резисторы. Зачем то их ставят; может поясните зачем?

Потенциал на затворе может навестись электромагнитным полем от протекающего тока через другие проводники на плате, правильно? Или от электростатического потенциала.
А резистор шунтирует затвор, позволяя току стечь на исток и выровнять потенциал затвора с истоком.

Вот как оценивать эти поля и наводки.
Например, если можно было бы оценить для конкретной платы мощность этих помех, к примеру: не более 16 мкВт, то можно уже и резистор рассчитать.

Ключ начинает открываться при Vgs=0.4В, значит на резисторе должно падать меньше Vgs, т.е. R<V^2/P; R < 10 КОм

Суть в том что тренч это сотни/тысячи маломощных транзисторов включеных параллельно для уменьшения итогового RDS мосфета но крутизна каждого из них неодинакова, поэтому при заходе в линейный режим некоторая часть транзисторов будет открываться раньше и весь ток нагрузки потечет через них. Результат - локальный перегрев и отказ единичных транзисторов.
Т.е. эти мосфеты можно применять только в режиме переключения, но никак не в линейном режиме.

Есть апноут от IRF an-1155 Linear Mode Operation of Radiation Hardened MOSFETS
там все подробно изложено.

Спасибо за ссылку.

По основному роду деетельности занимаюсь ремонтом ноутбуков.
Подобные "включатели" в них применяются в адских количествах и, на практике, не горят без видимых причин.
Единственные проблемы которые видел это "включающий" резистор(R2 в вашем случае) явно нездорового номинала(10 MOm) + остатки плохо "прожаренного" безотмывочного флюса создающие утечку в R1.
В сырую погоду транзистор открывался плохо и всё переставало работать.