А в схеме с n-p-n транзистором, при открытом транзисторе, вытекающий из вывода ВГ ток потечет через транзистор (сначала через np-переход и потом через pn-переход). Сопротивление этих переходов должно вызвать падение напряжения на транзисторе, и как следствие на коллекторе появится какой-то потенциал.
Этот потенциал будет намного меньше, чем в схеме с p-n-n транзистором?

Конечно.
В схеме с p-n-p транзистором потенциал лог 0 на коллекторе получается при закрытом транзисторе, т.е. обеспечивает подтяжку к минусу питания R3, у которого сопротивление 10 кОм. В схеме с n-p-n транзистором открытый транзистор обеспечивает подтяжку к минусу. У открытого транзистора сопротивление намного меньше, чем у R3, поэтому при одном и том же вытекающем входном токе индикатора потенциал на коллекторах транзисторов в каждой из схем будет ниже в схеме с n-p-n транзистором.
Куда сильнее нужно подтягивать (к плюсу или минусу), туда и транзистор должен быть включен. Это если совсем по простому.

Александр1, спасибо огромное за разъяснения. Прям не хочется Вас отпускать. Разрешите в будущем обращаться к Вам с вопросами? Вы очень толково объясняете.

Я рад, что мои ответы помогли Вам разобраться.
Если буде время заглядывать на форум - помогу, чем смогу.