реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> CGH40006P от Cree, разница между идеальной моделью и реалом
SergRuan
сообщение May 3 2016, 13:13
Сообщение #1


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 22
Регистрация: 31-10-09
Пользователь №: 53 333



Добрый день, коллеги!
Начал моделировать CGH40006P. Повторил для начала один в один топологию из даташита.
Пока все параметры подложки идеальные, результ близок к указанному в даташите


Потом задал реальные значения проводимости для меди и тангенс дельта (для duroid 5880) и результат стал как-то сильно печальный.


Не понял почему, ведь плата указанная в даташите сделана именно на 5880 и с этой топологией.
Кто имел дело с данным транзистором, подскажите, пожалуйста, что я делаю не так.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SergRuan
сообщение May 7 2016, 13:02
Сообщение #2


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 22
Регистрация: 31-10-09
Пользователь №: 53 333



Переформулирую вопрос: насколько сильно в действительности (не обязательно для указанного транзистора, для любого) различаются результаты моделирования при идеальных условиях и в реальных платах где имеют место быть потери?
Влияют ли потери в проводниках и диэлектрике на согласование, или они вызывают только активные потери (затухание волны)?
Go to the top of the page
 
+Quote Post
l1l1l1
сообщение May 7 2016, 14:35
Сообщение #3


Профессионал
******

Группа: Модератор FTP
Сообщений: 2 111
Регистрация: 29-12-05
Пользователь №: 12 684



Цитата(SergRuan @ May 3 2016, 16:13) *
Добрый день, коллеги!
Начал моделировать CGH40006P. Повторил для начала один в один топологию из даташита.
Пока все параметры подложки идеальные, результ близок к указанному в даташите
...
Потом задал реальные значения проводимости для меди и тангенс дельта (для duroid 5880) и результат стал как-то сильно печальный.
...
Не понял почему, ведь плата указанная в даташите сделана именно на 5880 и с этой топологией.
Кто имел дело с данным транзистором, подскажите, пожалуйста, что я делаю не так.

давайте сначала уточним, чем вы моделировали и какие куда данные для меди вводили, и какова у вас толщина проводников.
и еще такой личный вопрос: как вы сумели сделать такие картинки, что глаза сломаешь?
такие, что красную кривую невозможно отличить от синей,
а отложены по оси Х единицы или десятки ГГц, можно только догадываться.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
SergRuan
сообщение May 7 2016, 16:26
Сообщение #4


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 22
Регистрация: 31-10-09
Пользователь №: 53 333



Цитата(l1l1l1 @ May 7 2016, 17:35) *
давайте сначала уточним, чем вы моделировали и какие куда данные для меди вводили, и какова у вас толщина проводников.

ADS2011.10

Т.е. толщина 18 микрон, проводимость по википедии.

Цитата(l1l1l1 @ May 7 2016, 17:35) *
и еще такой личный вопрос: как вы сумели сделать такие картинки, что глаза сломаешь?
такие, что красную кривую невозможно отличить от синей,
а отложены по оси Х единицы или десятки ГГц, можно только догадываться.


Картинки такие получились через " • Добавить картинку в сообщение" в форме ответа. Сайт предложил уменьшить, я согласился, предположив, что это уменьшение для превьюшки (по нажатию вылезут большие). Каюсь, больше не буду уменьшать.

В большом формате:


Go to the top of the page
 
+Quote Post
Alexey_B
сообщение May 12 2016, 13:32
Сообщение #5


Частый гость
**

Группа: Свой
Сообщений: 124
Регистрация: 23-09-05
Из: Москва
Пользователь №: 8 887



Цитата(SergRuan @ May 7 2016, 16:02) *
Переформулирую вопрос: насколько сильно в действительности (не обязательно для указанного транзистора, для любого) различаются результаты моделирования при идеальных условиях и в реальных платах где имеют место быть потери?
Влияют ли потери в проводниках и диэлектрике на согласование, или они вызывают только активные потери (затухание волны)?


1. Кроме топологии, на плате есть пассивные элементы (резисторы, конденсаторы). Их параметры тоже будут влиять.
2. Размеры проводников реальной платы всегда будут отличаться от модели из-за ошибок изготовления. Параметры реальной меди и реального диэлектрика тоже.
3. Ещё сильнее будет влиять режим работы транзистора. Даже в даташите видно заметные различия в малосигнальных параметрах при питании 20 и 28 В. А в режиме большого сигнала об S-параметрах вообще можно забыть. Для более-менее близкой оценки в модели можно использовать импедансы с 8-й страницы даташита.
4. Скорей всего, все эти грустности в реальной плате легко исправятся парой-тройкой нашлёпок из индия sm.gif
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ser_aleksey_p
сообщение May 17 2016, 20:33
Сообщение #6


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 399
Регистрация: 25-07-10
Из: Rybinsk
Пользователь №: 58 593



Цитата(SergRuan @ May 3 2016, 16:13) *
Потом задал реальные значения проводимости для меди и тангенс дельта (для duroid 5880) и результат стал как-то сильно печальный.


На мой взгляд, второй результат ближе к даташите.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
ser_aleksey_p
сообщение May 19 2016, 20:31
Сообщение #7


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 399
Регистрация: 25-07-10
Из: Rybinsk
Пользователь №: 58 593



Цитата(ser_aleksey_p @ May 17 2016, 23:33) *
На мой взгляд, второй результат ближе к даташите.


Собрал схему и топологию:


и соответствующие результаты:

Go to the top of the page
 
+Quote Post
SergRuan
сообщение May 20 2016, 19:53
Сообщение #8


Участник
*

Группа: Участник
Сообщений: 22
Регистрация: 31-10-09
Пользователь №: 53 333



Цитата(ser_aleksey_p @ May 19 2016, 23:31) *
Собрал схему и топологию


Ух. Это Вы в чем такой результат получили?
Может ли мой результат быть искажен, если я топологию не трогал? Только схемный анализ.
Для моделирования тоже SPICE модель использовали?
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 17th June 2025 - 08:22
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01402 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016