MW_des
Установка в базу верхнего транзистора цепочки 100pF-68 Ohm на землю позволила поднять усиление до 15dB без потери устойчивости. Это уже предел.

Да, приемлима. Рабочая точка AB выбрана как компромисс между усиление и кпд, т.к. потребление в контексте этой задачи важно, не более 100 мА. Отсчека приемлима, по плану это должен быть усилитель гетеродина для двойного балансного смесителя.

По поводу плеча: хотел еще потом попробовать объединить в диф.каскад. Т.к. у смесителя вход гетеродина дифференциальный и сейчас включен через трансформатор. Можно поставить усилитель гетеродина как перед так и после трансформатора, главное чтоб 16 дБм было.



4. По поводу согласующих цепей: входную и выходную емкость вы компенсировали индуктивностью четвертьволновых отрезков (т.е. поэтому длина не 90 град)?
5. Вот с блокировочным конденсатором интересно... Я тоже когда добивался устойчивости, то ставил последовательную RC цепь, без нее коэф.устойчивости сваливался в отрицательные значения. Без него макс.усиление было где-то 17-18 дБ, что меня в принципе устраивало. Все-таки непонятно - нужен этот конденсатор или нет. В статьях и книжках которые читал везде по разному. Где-то ставят, где-то нет. Но нигде пока не объясняли почему он нужен) Про ООС честно пытался понять, но без успеха. Знаю только 2 классические - параллельную по напряжению (с выхода на вход тянем какую-нибудь RC цепь) и последовательную по току (резистор или индуктивность в цепи эммитера/истока).

Кстати, можете ваш проект выложить? Интересно было бы посмотреть

Это так, поигрался просто, проект еще далеко неполный, остался на рабочем компе. Как только приду в контору к 9:00, так и выставлю.
Длину согласующих линий подбирал "экспериментально" встроенным тюнером AWRDE по критерию выходной мощности, усиления и устойчивости. Более точно согласование можно подобрать включая параллельно концам основной линии короткие "емкостные" (разомкнутые на одном конце) отрезки линий. Учитывая, что плечо усилителя будет нагружено на оптимальное 25 а не 50 Ohm, выходную согласующую цепочку можно вообще не ставить.
В режиме большого сигнала коэффициент устойчивости теряет смысл, поэтому критерием устойчивости должно быть положительное значение активной части входного импеданса. Чтобы вся кривулька на диаграмме Смита не заходила за пределы самой диаграммы.
Идея включить резистор последовательно с блокировочной емкостью с базы верхнего транзистора пришла в процессе "виртуальной настройки" как золотая середина между наличием и отсутствием блокировочного конденсатора.
Построение дифкаскада вместо симметрирующего трансформатора - весьма технологично, особенно в микросхемотехнике, однако перед подачей сигнала гетеродина на смеситель, его надо пропустить через ФНЧ, который должен задавить гармоники. Высокий уровень гармоник - следствие использования класса АВ в усилителе, а гармоники гетеродина на диодном смесителе ведут к ухудшению характеристик смесителя. Так, наличие четных гармоник эквивалентно разбалансу балансного смесителя, со всеми вытекающими последствиями.

Сообщение отредактировал Proffessor - Jun 10 2016, 08:43

Собственно проджект:
 PA_AB_nonlinear.rar ( 21.97 килобайт ) Кол-во скачиваний: 32


Сообщение отредактировал Proffessor - Jun 10 2016, 08:44

базовый делитель в помощь =)
а вообще, если вы делаете по интегральной технологии, то можете использовать транзитор в диодном включении

типа такого

про делитель это понятно. Просто хочется еще потом покрутить напряжения отдельно, чтобы на практике выбрать оптимальный режим.

Разработал схему со сложением мощности от нескольких транзисторов (каскодов). Есть немного глупый вопрос - как правильно параллелить каскод?


Результаты моделирования для всех 3 вариантов одинаковые. Может тут есть какие-то подводные камни? Сейчас использую схему включения 1, но иногда кажется что 2 или 3 схема более правильная что-ли.

Разработать схему и нарисовать схему - разные вещи. Разработка в конечном итоге предполагает выдачу рабочего образца, опытного, макетного. Если находитесь на стадии компьютерного моделирования, как говорится "еще не вечер". Варианты схем объединения в принципе равнозначны (а 2 и 3 в принципе одно и тоже), но если первый вариант удовлетворяет, продолжайте его внедрять в железо (в чип). 2 и 3 варианты могут потребовать установку в эмиттеры верхних транзисторов выравнивающих резисторов.

Сообщение отредактировал Proffessor - Jun 30 2016, 07:21

По топологии получается 1 вариант попроще, т.к. нет общей линии которая объединяет эмиттеры-коллекторы внутри каскода. И неясно, что будет если их объединить, т.к. для компьютерного моделирования нет разницы. Просто в одной статье нашел топологию где явно видно что есть общая шина для эмиттеров-коллекторов внутри каскода, это и смутило. До этого параллелил именно каскодное включение тр-ров.
А зачем будут нужны выравнивающие резисторы в эмиттерах?

Обычно их ставят для выравнивания токов, их номиналы небольшие, по несколько Ohm.

Можно не изобретать велосипед). Это уже давно есть в интегральном исполнении, например TGA2227, 2567.
Делал на подобных микросхемах усилители 40МГц-40ГГц.

Кстати, очень не рекомендую использовать биполярные транзисторы в широкополосных трактах.
Большая нелинейность и высокий порядок нелинейности.

Сообщение отредактировал enom - Jul 12 2016, 05:24

ну в принципе то можно и радары и все оборудование радиоэлектронное закупать, как сейчас и происходит. Надо бы и свое что-то развивать, на уровне ИС.
Triquint делает усилители в основном на GaAs и GaN технологиях, в моем конкретном случае этих технологий нет.
Был вариант использовать полевики, но почему-то посмотрев статьи, пришел в выводу что надо делать на биполярных транзисторах.

GaN cкоро так же вытеснит кремний, как кремний германий.

тут смотря для чего, если нужны лучшие параметры, то да, но и цена будет соответствующая. При использовании кремния, кремний германия, цены ниже получаются, стоимость ИС меньше. Интеграция с цифровой частью опять же, системы на кристалле.