Помогите разобраться.
Хочу вот такую мс использовать : MT45W8MW16BGX
Ранее с такими не приходилось сталкиваться.

Возникло несколько вопросов :

1. МС 16-ти битная, а мне нужно 8-ми.
Могу ли я соединить D7..0 c D15..8 соответственно , на вход LB# подать прямой а на UB# инверсный A0 чтобы получить 8-ми битную шину данных?

2. Правильно ли я понимаю что внутренние регистры BCR и RCR нужны только при синхронном режиме работы, а в асинхронном режиме их состояние до лампочки?
Если состояние default устраивает.

3. – 1.7–3.6V VCCQ и сноска 1 :
Notes: 1. The 3.6V I/O and the 133MHz clock frequency exceed the CellularRAM 1.5 Workgroup specification.
Что этим хотят сказать.

Сначала подумал что да, обычно так и делалось. Но смущает вот эта фраза: (стр.16).
Т.е байтовую ЗАПИСЬ оно поддерживает, а вот ЧТЕНИЕ должно быть 16-битным?..хотя возможно просто очепятка.

Скорее всего что работать как 8-битная на чтение не будет.
На сайте есть модель памяти на verilog.
https://www.micron.com/parts/psram/cellular...8mw16bgx-701-it

если посмотреть код, то там явно указано, что для поколения выше CellularRAM 1.0 режим чтения с раздельными LB/UB не поддерживается.
т.е. при чтении LB/UB должны быть оба 0.

В симуляторе код не крутил.

Спасибо. Вы правы.
Нашел даже документ у MICRON где об этом говорят.
TN-45-01: CellularRAM 1.0 and 1.5 Functional Differences Introduction
Печально.