реклама на сайте
подробности

 
 
 
Reply to this topicStart new topic
> CellularRAM
zombi
сообщение Nov 21 2016, 15:14
Сообщение #1


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 076
Регистрация: 10-09-08
Пользователь №: 40 106



Помогите разобраться.
Хочу вот такую мс использовать : MT45W8MW16BGX
Ранее с такими не приходилось сталкиваться.

Возникло несколько вопросов :

1. МС 16-ти битная, а мне нужно 8-ми.
Могу ли я соединить D7..0 c D15..8 соответственно , на вход LB# подать прямой а на UB# инверсный A0 чтобы получить 8-ми битную шину данных?

2. Правильно ли я понимаю что внутренние регистры BCR и RCR нужны только при синхронном режиме работы, а в асинхронном режиме их состояние до лампочки?
Если состояние default устраивает.

3. – 1.7–3.6V VCCQ и сноска 1 :
Notes: 1. The 3.6V I/O and the 133MHz clock frequency exceed the CellularRAM 1.5 Workgroup specification.
Что этим хотят сказать.
Прикрепленные файлы
Прикрепленный файл  128mb_burst_cr1_5_p26z_.pdf ( 1.93 мегабайт ) Кол-во скачиваний: 18
 
Go to the top of the page
 
+Quote Post
Alexashka
сообщение Nov 22 2016, 06:10
Сообщение #2


Практикующий маг
******

Группа: Свой
Сообщений: 3 634
Регистрация: 28-04-05
Из: Дубна, Моск.обл
Пользователь №: 4 576



Цитата(zombi @ Nov 21 2016, 18:14) *
1. МС 16-ти битная, а мне нужно 8-ми.
Могу ли я соединить D7..0 c D15..8 соответственно , на вход LB# подать прямой а на UB# инверсный A0 чтобы получить 8-ми битную шину данных?

Сначала подумал что да, обычно так и делалось. Но смущает вот эта фраза:
Цитата
LB# and UB# must be LOW during READ cycles.
(стр.16).
Т.е байтовую ЗАПИСЬ оно поддерживает, а вот ЧТЕНИЕ должно быть 16-битным?..хотя возможно просто очепятка.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
jks
сообщение Nov 22 2016, 08:52
Сообщение #3


Местный
***

Группа: Свой
Сообщений: 249
Регистрация: 3-04-11
Из: .
Пользователь №: 64 084



Скорее всего что работать как 8-битная на чтение не будет.
На сайте есть модель памяти на verilog.
https://www.micron.com/parts/psram/cellular...8mw16bgx-701-it

если посмотреть код, то там явно указано, что для поколения выше CellularRAM 1.0 режим чтения с раздельными LB/UB не поддерживается.
т.е. при чтении LB/UB должны быть оба 0.
CODE
...
parameter BY_BITS = 2;
parameter CR10 = 2'b01;
parameter CR15 = 2'b10;
parameter CR20 = 2'b11;
parameter GENERATION = 2'b10; // DIDR[7:5] = CR1.5
...
if ((GENERATION > CR10) && (by_n !== {BY_BITS{1'b0}}))
$display ("%t ERROR: Async - BY# must be LOW during READ cycles.", $realtime);

В симуляторе код не крутил.
Go to the top of the page
 
+Quote Post
zombi
сообщение Nov 22 2016, 10:51
Сообщение #4


Гуру
******

Группа: Свой
Сообщений: 2 076
Регистрация: 10-09-08
Пользователь №: 40 106



Цитата(jks @ Nov 22 2016, 12:52) *
для поколения выше CellularRAM 1.0 режим чтения с раздельными LB/UB не поддерживается.

Спасибо. Вы правы.
Нашел даже документ у MICRON где об этом говорят.
TN-45-01: CellularRAM 1.0 and 1.5 Functional Differences Introduction
Печально.
Go to the top of the page
 
+Quote Post

Reply to this topicStart new topic
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0

 


RSS Текстовая версия Сейчас: 25th July 2025 - 22:48
Рейтинг@Mail.ru


Страница сгенерированна за 0.01349 секунд с 7
ELECTRONIX ©2004-2016