Pubzor Тоже как-то с этим сталкивался. Тогда подумал, что может такое связано с самовозбуждением усилителя и разбираться не стал, так как проект был учебный. После этого про это забыл, пока Вы не напомнили. Если разберётесь, то обязательно расскажите что к чему...

1. А где Вы приложили КСВ? Я вижу диаграмму Вольперта. По ней Всё логично, если Ваша схема активная.
2. Я Вам посикрету скажу, что если есть активная схема с ОбратнойСвязью (ну например по паразитам (по S12) или специально введённая ОС), то представленная диаграмма может принимать ЛЮБЫЕ значения (Включая отрицательные или больше единичной окружности). Всё зависит от решаемой задачи. В усилителях отрицательное сопротивление полохо, а для генераторов - хорошо. И кстати где-то читал, что чем меньше пролазов по S12 у транзистоной/усилительной схемы, тем усилитель более устойчив. Но ссылку найти не смогу.
3. Было бы неплохо приложить проектик и расписать конкретно и с картинками (схема, графики, модели), что Вам ненравится.


Ну вот например. Первое, что нашел.
http://www.jpier.org/PIER/pier118/06.11041403.pdf
см. лист 16 фигуру 10. Какая то схема имеет ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ сопротивление активной и реактивной составляющей S11. И это хорошо.

Я пока своё мнение не изменил.
а - или AWR достраивает Вашу модель чего то (транзистора, конденсатора и т.п.), до той частоты которая Вам интересна, но эта частота неизмерена у модели.
б - у Вас неоптимальная активная схема, которая самовозбудилась.

Без картиночек сложно судить. Лучше картиночки, т.к. AWR капризничает по версиям программ, может неоткрываться.

Добрый день господа!

Подскажите пожалуйста, что такое PAE (Power-added efficiency)? Формулу нашел, но в чем физический смысл не могу понять.
Спасибо_)

Это ж КПД, отношение полезной мощности на выходе к потребляемой мощности.

PAE%=(Pout-Pin)/Pdc
КПД%=Pout/(Pdc+Pin)

Если я правильно понял, то PAE это не КПД.

КПД чуть-чуть другой.

Я думал, что вы совсем не знаете о PAE, поэтому решил упростить для понимания
Вот здесь даны пояснения для всех эффективностей: https://www.microwaves101.com/encyclopedias...crowave-devices

Физический смысл этого параметра можно объяснить так - например, есть усилитель, который выдает мощность Рвых=1 Вт. При этом он потребляет мощность тоже Pdc= 1 Вт. Таким образом, его кпд по стандартной формуле равно 100% (кпд=Рвых/Pdc*100%).
Но если при этом у него на входе Рвх = 1 Вт, то смысл этого усилителя теряется, потому что усиление равно 1.
Поэтому есть смысл рассматривать кпд усилителя именно по добавленной мощности, т.е. включать в расчет еще и коэффициент усиления, PAE = (Рвых-Рвх)/Pdc*100%.
Чем больше коэффициент усиления, тем больше PAE стремится к кпд. Соответственно, когда усиление падает, PAE тоже падает.

Вам в преподаватели надо. Доходчиво объясняете

Добрый день, товарищи электронщики!

Есть вопрос, касающийся моделирования копланарных волноводов.
Нужно ли рисовать дополнительно землю по бокам копланара или не нужно? В Microwave office топология копланарного волновода состоит из двух слоёв: слой Copper и слой Copper-, значит дополнительно нужно нарисовать еще и Copper+ по бокам для земли, правильно ли я всё понял?
И еще вопрос, скажем необходимо смоделировать усилитель на микросхеме AH420, к нему есть S параметры, нужно ли моделировать цепь питания усилителя? Если нужно, то до какого компонента? Заранее спасибо.

И еще небольшой вопрос: есть ли смысл делать согласование на полосках входного и выходного импеданса усилителя? Если есть, то как это сделать правильнее? Я нашел несколько уроков (https://www.youtube.com/watch?v=EZXWDeS_I30) , там согласование делалось исходя из получения максимального усиления. Согласование проводилось для транзистора. В другом уроке (https://www.youtube.com/watch?v=EokRZGCNec4) согласование проводилось исходя из получения максимальной выходной мощности. Каким путём лучше пойти?

Спасибо всем за ответ по поводу PAE))



Сообщение отредактировал Tetta - Dec 14 2016, 07:40

По компланарам не отвечу, не знаю.
Если усилитель описывается только S-параметрами, то цепи питания (сами по себе питающие напряжения) можно не моделировать, а вот bias-tee (то есть элементы, предназначенные для ввода постоянных питающих напряжений) будут влиять.
Про согласование тут уж Вам решать, по какому параметру. Вариантов масса. Полоса частот, усиление, P1dB, и параметр, про который часто забывают новички - устойчивость. Обычно как раз нужно найти компромисс между устойчивостью и коэффициентом усиления.

Aга, много получится согласовать по P1dB при доступных только S параметрах. Вот тут-то и понадобится нелинейная модель и в ней в принципе должно быть понятно куда питание заводить.
Согласовывать надо по возможности и там, и там хотя бы потому, что не хорошо если параметры усилителя будут зависеть от длины 50Ом кабеля, которым он подключен...
По идее при расчете усилителя люди дают спецификация чего и как им хочется: куму мало шума, кому хороший КУ, кому широкополосность ( (не)в ущерб всем остальному). По ситуации.

Здравствуйте коллеги!
При экспорте топологии в файл формата *.gds появляется помимо выделенных для экспорта слоев в файле *.lpf, служебный слой. Как от него избавиться, чтобы он каждый раз не экспортировался?

Спасибо, очень помогли)!

Ребята, доброго времени суток! Прошу помощи, иначе меня MWO уже почти победил. Сразу прошу прощения, если такой вопрос поднимался. Пытаюсь добавить нелинейную модель транзистора MRF8S9260H, при добавлении файла .ini, MWO издает два коротких гудка (чего я до этого случая не слышал ни разу) и более ничего не происходит, модель не добавляется. При следующем запуске выскакивает вот такое предложение. Сначала делал все по инструкции от NXP, потом забил и начал править файл .ini вручную, никак не могу победить. Помогите, пожалуйста!