|
|
  |
согласование малошумящего транзистора NE3210 |
|
|
|
Jan 11 2017, 10:41
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 186
Регистрация: 23-09-08
Из: Москва
Пользователь №: 40 417

|
Уважаемые коллеги, форумчане! Возможно ли согласовать транзистор NE3210 (в модель заложены S-параметры) таким образом, чтобы коэффициенты отражения по входу и выходу были не хуже 1,5 (S11<-14дБ, S22<-14дБ) в полосе от 7 до 8 ГГц? Или это принципиально невозможно? У меня получается либо S22=-14дБ при этом S11= -5дБ либо наоборот. Материал подложки Rogers 4350. Ширина 50 Ом-ной линии = 1 мм. 
|
|
|
|
|
Jan 11 2017, 15:48
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 182
Регистрация: 29-04-06
Пользователь №: 16 607

|
А как именно ты трансформируешь цепи согласования - только меняешь длину отрезков? Этого недостаточно, надо и расстояние от них до транзистора менять, и ширину согласующих отрезков тоже неплохо бы. И не факт, что по одному согласующему отрезку достаточно - может быть добавить по второму отрезку и расстояние между ними тоже настраивать. И на этой частоте конфигурацию площадок заземления и заземляющие отверстия тоже необходимо учесть, они будут играть непременно. Посмотри в вложении схему согласования VMMK-1218 на 10 гиг. Там 4 шлейфа и еще конденсаторы по 0,5 пФ тоже согласущие.
|
|
|
|
|
Jan 12 2017, 06:55
|
Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 186
Регистрация: 23-09-08
Из: Москва
Пользователь №: 40 417

|
Цитата(ScrewDriver @ Jan 11 2017, 18:48)  А как именно ты трансформируешь цепи согласования - только меняешь длину отрезков? Этого недостаточно, надо и расстояние от них до транзистора менять, и ширину согласующих отрезков тоже неплохо бы. И не факт, что по одному согласующему отрезку достаточно - может быть добавить по второму отрезку и расстояние между ними тоже настраивать. И на этой частоте конфигурацию площадок заземления и заземляющие отверстия тоже необходимо учесть, они будут играть непременно. Посмотри в вложении схему согласования VMMK-1218 на 10 гиг. Там 4 шлейфа и еще конденсаторы по 0,5 пФ тоже согласущие. Серёж, если ты внимательно посмотришь на топологию, то увидишь, что и расстояние от отрезков до полосков разное и менялось ширинасогласующих отрезков менялась и дополнительные ставились (один на одну частоту(полосу) другой на другую(и расстояние регулировал). Про конфигурацию площадок заземления речи пока не идёт(понятно что они будут влиять). И RF-Shoke ставил. Всё делал! Таких схем согласования тоже миллион штук видел. Эта кстати в ADS  . Но не получается и всё!!! Тут нужен спец по load-pull согласовальщик транзисторов с опытом. Интересует вопрос - это вообще в принципе реально или ничего не получится? файл проекта файл проекта
|
|
|
|
|
Jan 12 2017, 07:30
|
Частый гость
 
Группа: Участник
Сообщений: 182
Регистрация: 29-04-06
Пользователь №: 16 607

|
Цитата(APEHDATOP @ Jan 12 2017, 09:37)  Серёж, если ты внимательно посмотришь на топологию, то увидишь, что и расстояние от отрезков до полосков разное и менялось ширинасогласующих отрезков менялась и дополнительные ставились (один на одну частоту(полосу) другой на другую(и расстояние регулировал). А емкость связи МЕЖДУ парами шлейфов ставил? Классическая схема согласования - П-образная, LCL, если между шлейфами просто 50-омный полосок, не получится эффекта трансформации импеданса в полосе. То есть реактивности ты компенсируешь, но в 50 ом входную и выходную проводимости не пересчитываешь. Цитата(APEHDATOP @ Jan 12 2017, 09:37)  Интересует вопрос - это вообще в принципе реально или ничего не получится? Любой транзистор возможно согласовать по входу и выходу в частотной точке; иначе он бы просто не продавался. Возможность согласования транзистора в некой полосе - уже зависит от ширины полосы и сложности примененных цепей согласования, но она в любом случае ограничена. Конкретно этот транзистор - в этой не очень широкой полосе - КМК согласовать вполне реально. Вот проанализируй свои же данные: Цитата У меня получается либо S22=-14дБ при этом S11= -5дБ либо наоборот. Когда у тебя S22=-14 дБ, то чем вызвано -5дБ отражение по S11 - нескомпенсированной реактивностью входа или отличием активной составляющей от 50 Ом? В первом случае надо добавлять компенсацию, во втором - трансфомировать импеданс вышеупомянутой П-цепью. И всё срастется.
|
|
|
|
|
Jan 20 2017, 11:00
|

Местный
  
Группа: Свой
Сообщений: 382
Регистрация: 2-05-06
Из: мiсто Харкiв
Пользователь №: 16 681

|
Цитата(APEHDATOP @ Jan 11 2017, 14:41)  Возможно ли согласовать транзистор NE3210 Add resistor(s) in series (or in parallel) to output (input, or both) of the transistor and I am sure you'll be able to match. Everything is possible. It is always a question of a trade-off. Theoretically speaking, simultaneous power matching at the input and at the output exists ONLY IF THE TRANSISTOR IS STABLE. Here is the book about this, read Chapter 3: rftoolbox.dtu.dk
|
|
|
|
|
Jan 21 2017, 06:52
|

Профессионал
    
Группа: Участник
Сообщений: 1 072
Регистрация: 11-12-12
Пользователь №: 74 815

|
Цитата(ASDFG123 @ Jan 21 2017, 08:58)  в программе Genesys можно авто согласование сделать, и вход и выход будут одновременно согласованы. Если пытаться согласовать сначала вход (или выход), то при согласовании второго получиться черти че. Т.к у всех транзисторов вход влияет на выход по импедансу. И как мы убогие раньше без нее обходились. И ручками по анализатору настраивали, наваривая фольгу, без всяких программ. Вся настройка сводится к подключению резистора на выход с модулем сопротивления близким к выходному и подстройке входа. Потом резистор убирается и подгоняется выход. Потом крутите оба, улучшая характеристику. Вообще, полевики СВЧ работают элементарно. Исключая вторичные паразитные цепи, есть четыре ключевых параметра: емкость входа, емкость выхода, обратная емкость и крутизна по истоку. Соответственно, надо компенсировать индуктивностями эти емкости. Чтобы не было самовозбуждения, ни ниже ни выше рабочей полосы усилитель не должен работать на чистую индуктивность. Иначе, с обратной емкостью выходит генератор. Ниже добавляют резистор в параллель емкости. Выше спасает смена типа резонанса в МПЛ, включенной последовательно с стоком. Такая МПЛ должна быть правильно подобрана. Модули входных-выходных сопротивлений, как правило, приблизительно равны реактивному сопротивлению соответствующих емкостей. Простейшим трансформатором является 1/4 длины волны МПЛ с волновым сопротивлением равным корню из произведения модулей сопротивлений транзистора и входа-выхода. Такой трансформатор, помимо активного сопротивления, еще трансформирует емкость в индуктивность и наоборот.
|
|
|
|
|
Jan 22 2017, 20:28
|

Частый гость
 
Группа: Свой
Сообщений: 188
Регистрация: 11-11-13
Из: Воронеж
Пользователь №: 79 150

|
Цитата(APEHDATOP @ Jan 11 2017, 13:41)  Возможно ли согласовать транзистор NE3210 (в модель заложены S-параметры) таким образом, чтобы коэффициенты отражения по входу и выходу были не хуже 1,5 (S11<-14дБ, S22<-14дБ) в полосе от 7 до 8 ГГц? Или это принципиально невозможно? Без введения диссипативных цепей на этих частотах невозможно. Вероятно по выходу лучше настроить на оптимальный импеданс на большом сигнале, а вход настроить на КСВ=1,5 при минимуме коэффициента шума. Потом всё это сложить по балансной схеме и получить требуемые КСВ по входу и выходу. Пусть при такой настройке на малом сигнале усиление будет не самым максимальным, но в принципе по Кш можно получить вполне удовлетворительные результаты.
|
|
|
|
|
  |
1 чел. читают эту тему (гостей: 1, скрытых пользователей: 0)
Пользователей: 0
|
|
|