Смотрю в даташит и "млею", в том смысле, что предполагается, что между CS и землей должно быть сопротивление в 0.02-0.1 ом.
И от того, 0.02 оно, или 0.1 кардинально меняется output current, и боюсь с 0.01 или 0.2 вообще работать не будет...

Никогда с такими сопротивлениями не работал, вероятно найти можно(хотя сходу ближе ебея не видать),
но не окажется-ли так, что сопротивления дорожек будут вносить недетские искажения во всю эту кухню ?

Что-то навскидку дорожка 0.3 длиной 10мм дает сопротивление порядка тех самых 20 миллиом (на 18мкм меди без олова).

Как с этим всем живут-то ?

Почитайте про четырехпроводную схему подключения сопротивления. Например платинового или медного датчика температуры

Так у меня в контуре управления, т.е. фиг я что там вычту.
И в даташите нет никаких 4х проводных схем, просто "вкорячен" резистор на 20мОм и всё...

Вероятно, это не единственная схема с подобной радостью, я пытаюсь понять как и работают ли
с такими номиналами, и работают ли ?. Может неверно выбран сам IC ?
Подводить к нему широченные дороги ?
Меня терзают сомнения касательно реального сопротивления пайки, не выйдет ли так, что
в трех точках я наберу больше этого норминала ?

https://www.terraelectronica.ru/catalog.php...;search=cra2512

А насчёт как разводить — четверть первой страницы паспорта, трудно будет не заметить.

Т.е. я вас верно понял, что это не экзотика, и при дополнительной аккуратности и правильно
разводке проблемы с такими номиналами не гарантированы ?

Да, если правильно разводить, проблем не будет, только не понятно, почему Вы такой золотой антиквариат выбрали.

http://www.power-e.ru/2005_01_4.php

Честно говоря сходу не нашел альтернативы.
Надо иметь на выходе 150-200V 5-10ma.
Питание - литиевый аккумулятор.

Можете посоветовать куда рыть в плане современных решений ?


Сообщение отредактировал _SVP_ - May 26 2017, 13:38

Смысл простой - измеряемый ток бежит до шунта по своим дорожкам, а напряжение от шунта до микросхемы - по своим. В вашей схеме, для минимизации ошибки, заземленный конец шунта должен быть как можно ближе к AGND микросхемы.

LM3478/88/81

Но в любом случае, для затвора высоковольтного NMOS мало 3 В с аккумулятора, требуется поднять питание, например, помпой.

Посмотрел, спасибо, вижу он в отличии от МАХа аж до мегагерца (против 300кгц).
А эээ... чем в лучшую сторону еще отличается ?
Вроде бы тоже начала 2000х разработка ?
Что-то поигрался в TI калькуляторе, получается как-то невесело в плане КПД (под 30-40%), либо очень
консервативно считает, либо врут те, кто пишут что на максе под 80 получить можно


Попадались мне и logic line вроде-бы.
Не хочется дополнительную повышайку городить, по крайней мере хочется попытаться обойтись без неё, не взлетит... так добавим.

Сообщение отредактировал _SVP_ - May 26 2017, 16:33

В Компэле вчетверо дешевле.


Можно.


Тут просто законы природы — помимо Rds, ключевые колонки Vgsth и Qg:
https://www.digikey.com/products/en/discret...amp;pageSize=25

Эхь... тяжело без эрудиции. Про помпу где почитать ? Как правильно по-английски или русски искать ?
Потому как с очевидными добавочными словами я нашел очень много... но не для увеличения напряжения,
а для увеличения.... других... частей тела...

Верно понимаю, что только питание IC требуется на 10-12вольт, а "увеличиваемое" питание можно оставить в ~3в ?


Сообщение отредактировал _SVP_ - May 29 2017, 09:04

https://www.google.ru/search?hl=ru&q=pump+dc+converter

В общем случае, для одной секции, т.е. удвоения, требуется прямоугольное напряжение, например, с ноги таймера микроконтроллера, пара диодов Шоттки и пара конденсаторов — получится удвоенное напряжение питания, минус падение на двух диодах и на общем сопротивлении цепи, т.е. вывода микроконтроллера, например, (3,3 В + 3,3 В – 2·0,5 В)= 5,6 В.

Для данной схемы этого мало, и при удвоении количества деталей получится утроитель: (3,3 В + 3,3 В + 3,3 В – 4·0,5 В)= 7,9 В

В готовых преобразователях арифметика получше, потому что там диоды заменены транзисторами.

Для КПД надо выбирать частоту поменьше, порядка 50 кГц, и режим прерывного тока (DCM).

еще немного про разводку шунтов Optimize High-Current Sensing Accuracy by Improving Pad Layout of Low-Value Shunt Resistors