Возможно, поможет ознакомление с работой лампы-триода.
Как ни странно, много общего (например, процессы в тонкой сетке - базе, соотношение размеров эмиттера-коллектора и т.д.).

Не поможет. Сетка не при делах и процессов в ней нет.
Как с икрой кабачковой и рыбьей: "Нiкакого сравненiя"...
Потому как действительно связано с физикой полупроводников, а конкретно - с поведением основных и неосновных носителей зарядов в теле эмиттера и базы, а особенно в районе p-n переходов.


-Знаешь, Петька, как работает трансформатор?
-Как?
- Вот так: "УУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУ
УУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУУ"

Припоминаю, была в серии "Библиотечка Квант" пара неплохих книжек про полупроводники и транзисторы.
Там не совсем на пальцах, немного формул всё же есть.
Можно сказать что это "Физика полупроводников"-лайт.

33. Левинштейн М.Е. и Симин Г.С. Знакомство с полупроводниками. 1984
65. Левинштейн М.Е. и Симин Г.С. Барьеры. От кристалла до интегральной схемы. 1987
транзисторы во второй.

PS. есть на рутрекере (запрещённом в РФ ) но не очень качественный скан.

Потому что невозможно понять процессы, оперируя моделью "на пальцах".
В памяти 20++ лет назад застряло понятие "инжекция носителей в базу"
Гуглим:

Так понятнее?
Если второй переход заменить металлом, получится диод. И работать он будет именно как диод

А триоды и сетки более применимы к полевикам, но опять же до некоторой степени.

И даже "на пальцах" понятно, если сравнить Uбэ и Uкэ.
Подайте на базу, скажем, 5В - посмотрите результат.

Правда, я помню и обратную ситуацию. На лабах по ТОР бедный студент пытался сдать допуск. Схема ОК, вопрос - почему выходное напряжение меньше входного?
Он, бедняга, закопался в формулах ВАХ (со степенями 3/2), исписал двойной лист, из ушей дым, в глазах слёзы..
А действительно, почему?

Конечно, поле задает направление движения элементарных носителей зарядов, но и эти самые носители собравшись в какой-то зоне создадут объемный заряд, который сам уже формирует поле и это поле может быть направлено против того которое приложено извне. Короче всё сложно А если просто, то выше уже ответили.

Тут еще сложнее...если посмотреть конструкцию диода Шоттки, то в нем есть и два металлических контакта и два сорта полупроводника n и n+ (хотя казалось бы достаточно соединить металл и n-полупроводник). Нужно ведь еще и к полупроводнику (с другой стороны) подключить контакт который будет омический (а не выпрямляющий). Вот например делают транзисторы Шоттки, где по сути параллельно переходу база-коллектор подключен диод Шоттки, казалось бы зачем тогда переход база-коллектор? Наверно потому, что если мы уберем окружающую базу p-область эмиттер с коллектором просто замкнутся друг на друга

В режиме насыщения КЭ МЕНЬШЕ БЭ, как это ни парадоксально.

Книжка "транзистор это просто" была у меня в детстве, мой папа ожидал, что я ее буду понимать в 12-13 лет ))) Все что я тогда понял, что транзистор это нифига не просто

Для многих еще больший парадокс, что теоретической разницы между К и Э нет никакой (прямое и инверсное включение).
Разница появляется только в конкретной конструкции.

Переход база-эмиттер находится в прямом включении, потенциальный барьер уменьшается и свободные носители заряда (электроны для npn-транзистора или дырки для pnp) устремляются в область базы в результате диффузионного процесса (для базы эти носители заряда - неосновные и их концентрация значительно меньше, чем в эмиттере - поэтому происходит их диффузия). Попадая в базу эти носители будут рекомбинировать (электрон встречается с дыркой, т. е. прицепляется к атому со свободной вакансией). Но поскольку база делается тонкой, то очень малая часть носителей рекомбинирует, так как не успевают (на рекомбинацию нужно определенное время) - пролетают базу и втягиваются в коллектор полем обратносмещенного перехода коллектор-база. В этом случае механизм перемещения носителей не диффузионный, а дрейфовый (потенциальный барьер между коллектором и базой большой, но носители устремляются в коллектор, поскольку попадают в электрическое поле коллекторного перехода).

На практике легирование эмиттера делают больше, чем коллектора. Да, можно вместо эмиттера использовать коллектор и наоборот, но в этом случае коэффициент передачи тока у транзистора будет меньше.

При напряжении U (кэ)=0 коллекторный переход открыт, т.к к нему прикладывается напряжение U (бэ), и инжектирует дырки (например, структура p-n-p), или электроны (при n-p-n) в базу. По мере повышения напряжения U(кэ) прямое падение напряжения снимается и на коллекторном переходе становится обратным, тем самым уменьшается инжекция. Основная причина в том, что коллекторный переход открыт при U (кэ)=0. А если коллектор сделать из металла, то там другая физика будет.

Какой прок от этого знания? Почему недостаточно рассматривать транзистор как черный ящик со спецификацией, где приведены параметры и кривые

А это зависит от того, как вообще рассматривать транзисторные структуры: структурно, функционально, модельно и т.п.

Еще надо понять, какой черный ящик, и какие спецификации учитывать. А это сильно зависит от сферы применения: обычные линейные схемы, высоковольтные, СВЧ, СВЧ с существенной нелинейностью (усилители мощности). Для всех этих сфер содержимое черного ящика будет разным.

Уровень вхождения в электронику высок. Либо ищите другие игры для себя любимого.

Всегда знал, что коллектор делается большим оттого, что там больше мощность выделяется чем на эмиттере, но в том что вы говорите тоже есть резон.