Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли? А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?
Не могли бы как-то попонятней объяснить этот момент?

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

переход база-коллектор всегда закрыт этим напряжением.

Как я себе это представляю.

хорошо, а почему бы тогда коллектор из металла не делать? На примере диода Шотки? Думаю, что тогда к безе сразу бует и U базы приложено и U коллектора. А так, U коллектора не приложено к базе. Но это догадки только.

Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Возможно, поможет ознакомление с работой лампы-триода.
Как ни странно, много общего (например, процессы в тонкой сетке - базе, соотношение размеров эмиттера-коллектора и т.д.).

Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Инжекция электронов в базу. Инжекцией называют процесс введения неравновесных носителей. Так как источник напряжении ЕЭБ подключен к эмиттерному n+-p‒переходу в прямом направлении (минус на эмиттере, плюс на базе), из эмиттера в базу инжектируются электроны, а из базы в эмиттер дырки. Поскольку эмиттер легирован значительно сильнее базы, поток электронов будет намного больше встречного потока дырок, и поэтому он определяет основные процессы, происходящие в транзисторе. Через эмиттерный переход протекает достаточно большой прямой ток IЭ.

Экстракция электронов в коллекторную область. Экстракцией называют процесс отбора из приповерхностного слоя части равновесных носителей (процесс, обратный инжекции). Из-за разности концентраций инжектированные в базу электроны движутся к коллектору, стремясь равномерно распределиться по всему объему базы.

Толщина базы w мала, поэтому большинство электронов достигает коллекторного перехода, не успевая рекомбинировать в базе.

Еще раз перечитал о работе транзистора, стал задаваться вопросом- как происходит, что при схеме с ОЭ (n-p-n возьмем для примера), при подаче тока в БЭ, электроны из Э идут не только в Б, но и в К потекли? Какая физика происходит на переходе КБ, что электроны и в К текут? Как бы поле тоже положительное, как и у Б, более высоковольтное, поэтому они текут в К. Так что -ли?

А зачем коллектор делать из полупроводника? Нельзя ли сделать из металла? Там еще больше свободных электронов?

Как же это напряжение коллектора к базе не приложено? Приложено и составляет Uкб=Uкэ-Uбэ, напряжение на базе всегда ниже напряжения коллектора и переход база-коллектор всегда закрыт этим напряжением.

В режиме насыщения КЭ МЕНЬШЕ БЭ, как это ни парадоксально.

ну т.е. я в точку попал- ясности как и у меня, ни у кого нет )))
база тонкая- да, но это только облегчает задачу перехода в коллектор из базы. Была бы толще, нужно было бы напряжение побольше, скорее всего. Я хочу сказать, что не из-за того, что база тонкая, электроны в npn залетаю в базу, и, как на картинке, не налево в базу идут, а прямо, по инерции )) Их затягивает поле. Более сильное. А почему?

Для многих еще больший парадокс, что теоретической разницы между К и Э нет никакой (прямое и инверсное включение).
Разница появляется только в конкретной конструкции.

Какой прок от этого знания? Почему недостаточно рассматривать транзистор как черный ящик со спецификацией, где приведены параметры и кривые

Сложно то как всё

Как я себе это представляю.
Коллекторный переход как диод закрыт обратным полем, т.е. в нем неоткуда взяться подвижным зарядам и тока нет.
Но эмиттерный переход при прямом напряжении (и токе) заполняется движ. зарядами.
Дальше часть этих зарядов попадает тонкий базовый слой (который вплотную граничит с эмиттерным переходом).
Далее часть этих зарядов попадает в запирающий слой коллекторного перехода и уж там захватываются полем и "летят" к коллектору, т.е. создают ток.
А так как эмиттер делается маленьким, а коллектор большим, а слой базы тоньше длины свободного пробега, то бОльшая часть зарядов "улетает" к коллектору.
(например, у npn-транзистора эмиттер выглядит как узкая площадка в центре полуцилиндра, слой базы вокруг него, а еще дальше по радиусу - коллекторный слой и далее "тело" кристалла-подложки).
Примечание. Под движущимися зарядами понимать электроны и дырки соответственно, направление - условное в зависимости от структуры транзистора.